分立半导体产品(2160)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）
S150K	35.5695	询价	5944	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-205AA、DO-8、螺柱	S150	标准	DO-205AA (DO-8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		S150公斤	EAR99	8541.10.0080	10	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													800V		1.2V@150A		600V时为10μA	-65℃～200℃	150A	-
MBRH120100R	60.0375	询价	5098	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	D-67	MBRH120100	肖特基，反	D-67	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBRH120100RGN	EAR99	8541.10.0080	36	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													100伏		840毫伏@120安		4毫安@20伏		120A	-
穆尔塔20060R	145.3229	询价	3707	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	穆尔塔20060	标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	24	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												1对共阳极	600伏	100A	1.7V@100A		600V时为25μA	-55℃～150℃
GKR130/04	35.2590	询价	9386	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-205AA、DO-8、螺柱	GKR130	标准	DO-205AA (DO-8)	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	10	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													400伏		1.5V@60A		22毫安@400伏	-40℃～180℃	165A	-
MBRTA80040RL	-	询价	1126	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		肖特基	三塔	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	18	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	40V	400A	600 毫伏 @ 400 安		5毫安@40伏	-55℃～150℃
MBR8035R	1985年22月	询价	9491	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	MBR8035	肖特基，反	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR8035RGN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													35V		750毫伏@80安		1毫安@35伏	-65℃～150℃	80A	-
GA08JT17-247	-	询价	7236	基恩碳化硅半导体	-	管子	过时的	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3		SiC（碳化硅结晶体管）	TO-247AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30		-	1700伏	8A（温度）（90°C）	-	250毫欧@8A	-		-		-	48W（温度）
1N1184	10.1200	询价	第749章	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	1N1184	标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1013	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													100伏		1.2V@35A		50V时为10μA	-65℃～190℃	35A	-
FST10045	65.6445	询价	9381	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	TO-249AB		肖特基	TO-249AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FST10045GN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	45V	100A	650毫伏@100安		2毫安@20伏	-55℃～150℃
GD2X75MPS17N	111.7100	询价	199	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GD2X	SiC（碳化硅）肖特基	SOT-227	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-GD2X75MPS17N	EAR99	8541.10.0080	10	无恢复T>500mA(Io)												2 独立	1700伏	115A（直流）				-55℃～175℃
MBR6030	20.2695	询价	6336	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		肖特基	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR6030GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		650 毫伏 @ 60 安		5毫安@20伏	-65℃～150℃	60A	-
穆尔特40060R	-	询价	8384	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	三塔		标准	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MURT40060RGN	EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	600伏	200A	1.7V@200A	240纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
MBR600150CTR	129.3585	询价	2637	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR600150	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	150伏	300A	880毫伏@300安		3毫安@150伏	-55℃～150℃
1N5831R	14.8695	询价	1913年	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱	1N5831R	肖特基，反	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1N5831RGN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													35V		580毫伏@25安		2毫安@20伏	-55℃～150℃	25A	-
MSRTA300100D	159.9075	询价	6624	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	模块	MSRTA300	标准	-	下载	符合ROHS3标准			1242-MSRTA300100D	EAR99	8541.10.0080	24	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												1对中央	1000伏	300A	1.1V@300A		1000V时为20μA	-55℃～150℃
MBRT30060	107.3070	询价	第1378章	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔		肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBRT30060GN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	60V	150A	800毫伏@150安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
毛里求斯5020	17.4870	询价	6381	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		穆尔5020GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													200V		1V@50A	75纳秒	50V时为10μA	-55℃～150℃	50A	-
S85Y	12.2460	询价	8502	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱		标准	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		S85YGN	EAR99	8541.10.0080	100	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													1600伏		1.1V@85A		10μA@100V	-65℃～150℃	85A	-
G2R1000MT17D	5.4400	询价	第717章	基恩碳化硅半导体	G2R™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	G2R1000	SiCFET（碳化硅）	TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-G2R1000MT17D	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1700伏	5A（温度）	20V	1.2欧姆@2A，20V	5.5V@500μA	11nC@20V	+25V，-10V	111pF@1000V	-	44W（温度）
S400K	88.0320	询价	2658	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-205AB、DO-9、螺柱	S400	标准	DO-205AB (DO-9)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		S400公斤	EAR99	8541.10.0080	8	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													800V		1.2V@400A		50V时为10μA	-60℃～200℃	400A	-
S6G	3.8625	询价	8196	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱		标准	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		S6GGN	EAR99	8541.10.0080	250	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													400伏		1.1V@6A		10μA@100V	-65℃～175℃	6A	-
1N3891	9.3000	询价	196	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱	1N3891	标准	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													200V		1.4V@12A	200纳秒	50V时为25μA	-65℃～150℃	12A	-
MBRH24035	76.4925	询价	第1573章	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	D-67		肖特基	D-67	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	36	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													35V		720毫伏@240安		1毫安@35伏	-55℃～150℃	240A	-
GC50MPS33H	244.8500	询价	275	基恩碳化硅半导体	SiC 肖特基 MPS™	管子	的积极		通孔	TO-247-2		SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-2	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1242-GC50MPS33H	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)													3300伏			0纳秒		175℃	50A	-
MBRT20020R	98.8155	询价	1324	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	三塔	MBRT20020	肖特基	三塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBRT20020RGN	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	20V	100A	750毫伏@100安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
1N3882	4.9020	询价	9735	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AA、DO-4、螺柱	1N3882	标准	DO-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1N3882GN	EAR99	8541.10.0080	250	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													300伏		1.4V@6A	200纳秒	50V时为15μA	-65℃～150℃	6A	-
穆尔夫40005	-	询价	6908	基恩碳化硅半导体	-	大部分	过时的		安装结构	TO-244AB		标准	TO-244	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	25	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	50V	200A	1V@200A	150纳秒	50V时为25μA	-55℃～150℃
MBR60040CTR	132.0100	询价	12	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		安装结构	双塔	MBR60040	肖特基	双塔	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1242-1076	EAR99	8541.10.0080	40	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共阳极	40V	300A	750毫伏@300安		1毫安@20伏	-55℃～150℃
MBR7535	20.8845	询价	5565	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极		结构，螺柱安装	DO-203AB、DO-5、螺柱	MBR7535	肖特基	溶解O	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		MBR7535GN	EAR99	8541.10.0080	100	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													35V		750毫伏@75安		1毫安@35伏	-55℃～150℃	75A	-
GBJ10K	0.7470	询价	2810	基恩碳化硅半导体	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-SIP，GBJ	国标J10	标准	GBJ	下载	符合ROHS3标准			1242-GBJ10K	EAR99	8541.10.0080	200																1.05V@5A		800V时为10μA		10A		单相	800V

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2160)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²