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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GBPC3501T | 2.8650 | ![]() | 9862 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC3501 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 100 V | 35 a | 单相 | 100 v | ||||||
![]() | GBPC5001T | 4.0155 | ![]() | 5349 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC5001 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2 V @ 25 A | 5 µA @ 100 V | 50 a | 单相 | 100 v | |||||
![]() | GBPC5006T | 4.0155 | ![]() | 2194 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC5006 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2 V @ 25 A | 5 µA @ 600 V | 50 a | 单相 | 600 v | |||||
![]() | GBU15G | 0.6120 | ![]() | 8458 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU15 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu15ggn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA @ 400 V | 15 a | 单相 | 400 v | ||||
![]() | gbu4k | 0.4725 | ![]() | 7611 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU4 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu4kgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 800 V | 4 a | 单相 | 800 v | ||||
![]() | gbu6j | 1.5300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU6 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 600 V | 6 a | 单相 | 600 v | |||||
![]() | GBU8M | 1.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU8 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu8mgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 1000 V | 8 a | 单相 | 1 kV | ||||
KBJ25005G | 0.8955 | ![]() | 2490 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBJ | KBJ25005 | 标准 | KBJ | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 50 V | 25 a | 单相 | 50 V | ||||||
![]() | KBJ2504G | 0.8955 | ![]() | 6148 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBJ | KBJ2504 | 标准 | KBJ | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBJ2504GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | ||||
![]() | KBJ408G | 0.5160 | ![]() | 4271 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBJ | KBJ408 | 标准 | KBJ | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBJ408GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 800 V | 4 a | 单相 | 800 v | ||||
![]() | KBL604G | 0.5805 | ![]() | 9520 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | KBL604 | 标准 | KBL | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBL604GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 400 V | 6 a | 单相 | 400 v | ||||
![]() | KBP203 | 0.3750 | ![]() | 3839 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBP203GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 200 V | 2 a | 单相 | 200 v | |||||
![]() | KBP206 | 0.3750 | ![]() | 4816 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBP206GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 600 V | 2 a | 单相 | 600 v | |||||
KBPC3504T | 2.4720 | ![]() | 9671 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC3504 | 标准 | KBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 400 V | 35 a | 单相 | 400 v | ||||||
KBPC5004T | 2.5875 | ![]() | 1269 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC5004 | 标准 | KBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 5 µA @ 400 V | 50 a | 单相 | 400 v | ||||||
![]() | KBU1001 | 0.8205 | ![]() | 8284 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | kbu1001gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.05 V @ 10 A | 10 µA @ 100 V | 10 a | 单相 | 100 v | |||||
![]() | KBU1010 | 0.8205 | ![]() | 3018 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBU1010GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.05 V @ 10 A | 10 µA @ 1000 V | 10 a | 单相 | 1 kV | |||||
![]() | kbu6a | 0.7035 | ![]() | 4982 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU6 | 标准 | KBU | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | kbu6agn | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 6 A | 10 µA @ 50 V | 6 a | 单相 | 50 V | ||||
![]() | MBRH200100 | 70.0545 | ![]() | 7235 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRH200100GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 840 mv @ 200 a | 5 ma @ 20 V | 200a | - | |||||
![]() | BR305 | 0.5700 | ![]() | 2931 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-3 | 标准 | BR-3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | BR305GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 50 V | 3 a | 单相 | 50 V | |||||
![]() | BR36 | 0.4750 | ![]() | 1675年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-3 | 标准 | BR-3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | BR36GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 600 V | 3 a | 单相 | 600 v | |||||
![]() | BR605 | 0.7425 | ![]() | 4873 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | BR605GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 50 V | 6 a | 单相 | 50 V | |||||
![]() | BR64 | 0.7425 | ![]() | 5531 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | BR64GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 400 V | 6 a | 单相 | 400 v | |||||
![]() | DB101G | 0.1980 | ![]() | 7578 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB101 | 标准 | DB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | DB101GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 50 V | 1 a | 单相 | 50 V | ||||
![]() | GBPC2504W | 4.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC2504 | 标准 | GBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1290 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | ||||
![]() | GBPC3504W | 4.6200 | ![]() | 327 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC3504 | 标准 | GBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1294 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 400 V | 35 a | 单相 | 400 v | ||||
![]() | GBPC3508W | 4.6200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC3508 | 标准 | GBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1295 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 800 V | 35 a | 单相 | 800 v | ||||
![]() | GBPC3510W | 4.6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC3510 | 标准 | GBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1296 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 1000 V | 35 a | 单相 | 1 kV | ||||
![]() | GBPC15005W | 2.4180 | ![]() | 5222 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC15005 | 标准 | GBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | GBPC15005WGS | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 50 V | 15 a | 单相 | 50 V | ||||
![]() | GBPC1502W | 2.4180 | ![]() | 9386 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC1502 | 标准 | GBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | GBPC1502WGS | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 200 V | 15 a | 单相 | 200 v |
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