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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
GBPC3501T GeneSiC Semiconductor GBPC3501T 2.8650
RFQ
ECAD 9862 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC3501 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 100 V 35 a 单相 100 v
GBPC5001T GeneSiC Semiconductor GBPC5001T 4.0155
RFQ
ECAD 5349 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC5001 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 100 V 50 a 单相 100 v
GBPC5006T GeneSiC Semiconductor GBPC5006T 4.0155
RFQ
ECAD 2194 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC5006 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 600 V 50 a 单相 600 v
GBU15G GeneSiC Semiconductor GBU15G 0.6120
RFQ
ECAD 8458 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU15 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu15ggn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
GBU4K GeneSiC Semiconductor gbu4k 0.4725
RFQ
ECAD 7611 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU4 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu4kgn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 800 V 4 a 单相 800 v
GBU6J GeneSiC Semiconductor gbu6j 1.5300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU6 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 600 V 6 a 单相 600 v
GBU8M GeneSiC Semiconductor GBU8M 1.5700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) gbu8mgn Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 1000 V 8 a 单相 1 kV
KBJ25005G GeneSiC Semiconductor KBJ25005G 0.8955
RFQ
ECAD 2490 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBJ KBJ25005 标准 KBJ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 50 V 25 a 单相 50 V
KBJ2504G GeneSiC Semiconductor KBJ2504G 0.8955
RFQ
ECAD 6148 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBJ KBJ2504 标准 KBJ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBJ2504GGN Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 400 V 25 a 单相 400 v
KBJ408G GeneSiC Semiconductor KBJ408G 0.5160
RFQ
ECAD 4271 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBJ KBJ408 标准 KBJ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBJ408GGN Ear99 8541.10.0080 250 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 800 V 4 a 单相 800 v
KBL604G GeneSiC Semiconductor KBL604G 0.5805
RFQ
ECAD 9520 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL KBL604 标准 KBL 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBL604GGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 400 V 6 a 单相 400 v
KBP203 GeneSiC Semiconductor KBP203 0.3750
RFQ
ECAD 3839 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBP 标准 KBP 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBP203GN Ear99 8541.10.0080 2,000 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 200 V 2 a 单相 200 v
KBP206 GeneSiC Semiconductor KBP206 0.3750
RFQ
ECAD 4816 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBP 标准 KBP 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBP206GN Ear99 8541.10.0080 2,000 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 600 V 2 a 单相 600 v
KBPC3504T GeneSiC Semiconductor KBPC3504T 2.4720
RFQ
ECAD 9671 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,KBPC-T KBPC3504 标准 KBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 400 V 35 a 单相 400 v
KBPC5004T GeneSiC Semiconductor KBPC5004T 2.5875
RFQ
ECAD 1269 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,KBPC-T KBPC5004 标准 KBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 400 V 50 a 单相 400 v
KBU1001 GeneSiC Semiconductor KBU1001 0.8205
RFQ
ECAD 8284 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbu 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) kbu1001gn Ear99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 A 10 µA @ 100 V 10 a 单相 100 v
KBU1010 GeneSiC Semiconductor KBU1010 0.8205
RFQ
ECAD 3018 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbu 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBU1010GN Ear99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 A 10 µA @ 1000 V 10 a 单相 1 kV
KBU6A GeneSiC Semiconductor kbu6a 0.7035
RFQ
ECAD 4982 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbu KBU6 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) kbu6agn Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 6 A 10 µA @ 50 V 6 a 单相 50 V
MBRH200100 GeneSiC Semiconductor MBRH200100 70.0545
RFQ
ECAD 7235 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRH200100GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V 200a -
BR305 GeneSiC Semiconductor BR305 0.5700
RFQ
ECAD 2931 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-3 标准 BR-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) BR305GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 A 10 µA @ 50 V 3 a 单相 50 V
BR36 GeneSiC Semiconductor BR36 0.4750
RFQ
ECAD 1675年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-3 标准 BR-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) BR36GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 A 10 µA @ 600 V 3 a 单相 600 v
BR605 GeneSiC Semiconductor BR605 0.7425
RFQ
ECAD 4873 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-6 标准 BR-6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) BR605GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA @ 50 V 6 a 单相 50 V
BR64 GeneSiC Semiconductor BR64 0.7425
RFQ
ECAD 5531 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -65°C〜125°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-6 标准 BR-6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) BR64GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA @ 400 V 6 a 单相 400 v
DB101G GeneSiC Semiconductor DB101G 0.1980
RFQ
ECAD 7578 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) DB101 标准 DB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) DB101GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 50 V 1 a 单相 50 V
GBPC2504W GeneSiC Semiconductor GBPC2504W 4.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC2504 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1290 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 400 V 25 a 单相 400 v
GBPC3504W GeneSiC Semiconductor GBPC3504W 4.6200
RFQ
ECAD 327 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC3504 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1294 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 400 V 35 a 单相 400 v
GBPC3508W GeneSiC Semiconductor GBPC3508W 4.6200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC3508 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1295 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 800 V 35 a 单相 800 v
GBPC3510W GeneSiC Semiconductor GBPC3510W 4.6200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC3510 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1296 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 a 单相 1 kV
GBPC15005W GeneSiC Semiconductor GBPC15005W 2.4180
RFQ
ECAD 5222 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC15005 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) GBPC15005WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 50 V 15 a 单相 50 V
GBPC1502W GeneSiC Semiconductor GBPC1502W 2.4180
RFQ
ECAD 9386 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC1502 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) GBPC1502WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库