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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MBRH15040RL GeneSiC Semiconductor MBRH15040RL -
RFQ
 ECAD 7961 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基，反极性 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 600 MV @ 150 A 5 ma @ 40 V 150a -
GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X5MPS12-247 5.3730
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GC2X5 SIC （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1324 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 27A（DC） 1.8 V @ 5 A 0 ns 4 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MBRF20045 GeneSiC Semiconductor MBRF20045 -
RFQ
 ECAD 8356 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 100a 700 mv @ 100 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MSRTA300160AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300160AD 159.9078
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA300 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 300A 1.2 V @ 300 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263 29.3250
RFQ
 ECAD 9279 0.00000000 基因半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA GA10SICP12 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 - 1200 v 25A（TC） - 100mohm @ 10a - - 1403 PF @ 800 V - 170W（TC）
FST16040 GeneSiC Semiconductor FST16040 75.1110
RFQ
 ECAD 6832 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST16040GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 160a（DC） 750 MV @ 160 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N3892 GeneSiC Semiconductor 1N3892 9.3000
RFQ
 ECAD 652 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3892 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1035 Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 12 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
FR85D02 GeneSiC Semiconductor FR85D02 23.1210
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR85D02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.4 V @ 85 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 85a -
FR12D05 GeneSiC Semiconductor FR12D05 6.7605
RFQ
 ECAD 6436 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12D05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 800 mv @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
MBR2X160A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A080 59.6700
RFQ
 ECAD 1486年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X160 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 80 V 160a 840 mv @ 160 A 1 mA @ 80 V -40°C〜150°C
MBRTA80040 GeneSiC Semiconductor MBRTA80040 -
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 400a 720 MV @ 400 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
MBRT40040L GeneSiC Semiconductor MBRT40040L -
RFQ
 ECAD 6219 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 200a 600 mV @ 200 A 3 ma @ 40 V -55°C〜150°C
1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-257-3 1N8032 SIC （碳化硅） TO-257 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.3 V @ 2.5 A 0 ns 5 µA @ 650 V -55°C〜250°C 2.5a 274pf @ 1V，1MHz
GKN130/18 GeneSiC Semiconductor GKN130/18 35.5490
RFQ
 ECAD 9985 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKN130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1800 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1800 V -55°C〜150°C 165a -
MBRH240200 GeneSiC Semiconductor MBRH240200 76.4925
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 920 MV @ 240 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C 240a -
MUR40060CTR GeneSiC Semiconductor MUR40060CTR 132.0780
RFQ
 ECAD 8477 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR40060 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR40060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 200a 1.3 V @ 125 A 180 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURT20005 GeneSiC Semiconductor Murt20005 -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt20005gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FST8360SM GeneSiC Semiconductor FST8360SM -
RFQ
 ECAD 2491 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3SM 肖特基 D61-3SM 下载 （1 （无限） 到达不受影响 FST8360SMGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 80A（DC） 750 MV @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N5830 GeneSiC Semiconductor 1N5830 14.0145
RFQ
 ECAD 2616 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N5830 肖特基 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5830GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 25 v 580 mv @ 25 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C 25a -
GBL08 GeneSiC Semiconductor GBL08 0.4230
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，gbl 标准 GBL - Rohs符合条件 （1 （无限） GBL08GN Ear99 8541.10.0080 500 1 V @ 2 A 10 µA @ 800 V 4 a 单相 800 v
GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N 40.4900
RFQ
 ECAD 585 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GD2X SIC （碳化硅） SOT-227 下载 （1 （无限） 1242-GD2X60MPS06N Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 2独立 650 v 70A（DC） 1.8 V @ 60 A 0 ns 10 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor MSRTA500100A 101.4000
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA500100 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1000 v 500A（DC） 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
S25JR GeneSiC Semiconductor S25JR 5.2485
RFQ
 ECAD 5636 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S25J 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25JRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
1N2138AR GeneSiC Semiconductor 1N2138AR 11.7300
RFQ
 ECAD 179 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N2138AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1072 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
GKN26/14 GeneSiC Semiconductor GKN26/14 -
RFQ
 ECAD 2241 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 5 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.55 V @ 60 A 4 mA @ 1400 V -40°C〜180°C 25a -
MBRH15040L GeneSiC Semiconductor MBRH15040L -
RFQ
 ECAD 7698 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 600 MV @ 150 A 5 ma @ 40 V 150a -
FR70GR02 GeneSiC Semiconductor FR70GR02 21.3300
RFQ
 ECAD 124 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 70 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
MBRF50045 GeneSiC Semiconductor MBRF50045 -
RFQ
 ECAD 3009 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 250a 750 MV @ 250 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
GBPC50005T GeneSiC Semiconductor GBPC50005T 4.0155
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC50005 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 50 V 50 a 单相 50 V
GKR130/14 GeneSiC Semiconductor GKR130/14 35.4765
RFQ
 ECAD 6687 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKR130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1400 V -40°C〜180°C 165a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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