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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大)
MBRF200100R GeneSiC Semiconductor MBRF200100R -
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ECAD 9738 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 100伏 60A 840 毫伏 @ 60 安 1毫安@100伏 -55℃~150℃
MBRF600100 GeneSiC Semiconductor MBRF600100 -
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ECAD 2584 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 250A 840毫伏@250安 1毫安@100伏 -55℃~150℃
MBRH30030L GeneSiC Semiconductor MBRH30030L -
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ECAD 6258 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 肖特基 D-67 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 30V 580毫伏@300安 3毫安@30伏 -55℃~150℃ 300A -
MBRTA500200R GeneSiC Semiconductor MBRTA500200R -
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ECAD 5719 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 200V 250A 920 毫伏 @ 250 安 4毫安@200伏 -55℃~150℃
GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214 10.7600
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ECAD 1119 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AA、SMB GAP3SLT33 SiC(碳化硅)肖特基 DO-214AA 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 无恢复T>500mA(Io) 3300伏 2.2V@300mA 0纳秒 10μA@3300V -55℃~175℃ 300毫安 42pF@1V、1MHz
FST8340M GeneSiC Semiconductor FST8340M -
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ECAD 6819 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3M 肖特基 D61-3M 下载 1(无限制) FST8340MGN EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 80A(直流) 650毫伏@80安 1.5毫安@20伏 -55℃~150℃
1N8024-GA GeneSiC Semiconductor 1N8024-GA -
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ECAD 8416 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 通孔 TO-257-3 1N8024 SiC(碳化硅)肖特基 TO-257 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.74V@750mA 0纳秒 10μA@1200V -55℃~250℃ 750毫安 66pF@1V、1MHz
FR6AR02 GeneSiC Semiconductor FR6AR02 5.1225
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ECAD 2978 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR6AR02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1.4V@6A 200纳秒 50V时为25μA -65℃~150℃ 6A -
1N1183R GeneSiC Semiconductor 1N1183R 6.2320
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ECAD 7189 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N1183R 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N1183RGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 50V 1.2V@35A 50V时为10μA -65℃~190℃ 35A -
MBR6035 GeneSiC Semiconductor MBR6035 20.2695
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ECAD 7206 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR6035GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 35V 650 毫伏 @ 60 安 5毫安@20伏 -65℃~150℃ 60A -
MSRT100100D GeneSiC Semiconductor MSRT100100D 87.1935
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ECAD 4135 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 微软RT100 标准 三塔 下载 符合ROHS3标准 1242-MSRT100100D EAR99 8541.10.0080 40 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 1000伏 100A 1.1V@100A 10μA@1000V -55℃~150℃
MBR30030CT GeneSiC Semiconductor MBR30030CT 94.5030
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ECAD 3603 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR30030 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR30030CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 30V 150A 650毫伏@150安 8毫安@20伏 -55℃~150℃
FR85D05 GeneSiC Semiconductor FR85D05 23.1210
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ECAD 2199 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR85D05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1.4V@85A 500纳秒 100V时为25μA -40℃~125℃ 85A -
MURH7020 GeneSiC Semiconductor 默尔H7020 49.5120
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ECAD 5054 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 标准 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1V@70A 75纳秒 25μA@200V -55℃~150℃ 70A -
FR30KR05 GeneSiC Semiconductor FR30KR05 10.5930
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ECAD 4390 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR30KR05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 800V 1V@30A 500纳秒 800V时为25μA -40℃~125℃ 30A -
G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J 8.0400
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ECAD 7 0.00000000 基恩碳化硅半导体 G3R™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA G3R450 SiCFET(碳化硅) TO-263-7 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-G3R450MT17J EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 1700伏 9A(温度) 15V 585毫欧@4A,15V 2.7V@2mA 18nC@15V ±15V 454pF@1000V - 91W(温度)
MURT20040R GeneSiC Semiconductor MURT20040R 104.4930
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ECAD 8659 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MURT20040 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MURT20040RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 400伏 100A 1.35V@100A 90纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
GB25MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB25MPS17-247 -
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ECAD 第1657章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 过时的 通孔 TO-247-2 GB25MPS17 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-1344 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1700伏 1.8V@25A 0纳秒 1700V时为10μA -55℃~175℃ 52A 2350pF @ 1V、1MHz
GBPC15010T GeneSiC Semiconductor GBPC15010T 1.8979
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ECAD 8514 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,GBPC-T GBPC15010 标准 GBPC-T - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 200 1.1V@7.5A 1000V时为5μA 15A 单相 1kV
1N3297A GeneSiC Semiconductor 1N3297A 33.8130
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ECAD 7080 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N3297 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3297AGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1400伏 1.5V@100A 7毫安@1400伏 -40℃~200℃ 100A -
MBRF30060 GeneSiC Semiconductor MBRF30060 -
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ECAD 2330 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB MBRF3006 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 60V 150A 750毫伏@150安 1毫安@60伏 -55℃~150℃
SD4145R GeneSiC Semiconductor SD4145R 14.3280
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ECAD 5296 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 SD4145 肖特基,反 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 45V 680 毫伏 @ 30 安 1.5毫安@35伏 -55℃~150℃ 30A -
KBPC3510T GeneSiC Semiconductor KBPC3510T 2.4750
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ECAD 6256 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 质检终端 4方,KBPC-T KBPC3510 标准 KBPC-T 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@17.5A 1000V时为5μA 35A 单相 1kV
FR30J02 GeneSiC Semiconductor FR30J02 13.4000
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ECAD 64 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR30J02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1V@30A 200纳秒 50V时为25μA -40℃~125℃ 30A -
MBRF200150 GeneSiC Semiconductor MBRF200150 -
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ECAD 8690 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 100A 880 毫伏 @ 100 安 1毫安@150伏 -55℃~150℃
MURTA600120 GeneSiC Semiconductor 穆尔塔600120 207.4171
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ECAD 4406 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共轴线 1200伏 300A 2.6V@300A 1200V时为25μA -55℃~150℃
GB02SHT06-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT06-46 52.4500
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ECAD 8029 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 通孔 TO-206AB、TO-46-3金属罐 GB02SHT06 SiC(碳化硅)肖特基 TO-46 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1256 EAR99 8541.10.0080 200 无恢复T>500mA(Io) 600伏 1.6V@1A 0纳秒 5μA@600V -55℃~225℃ 4A 76pF@1V、1MHz
MBRTA800150 GeneSiC Semiconductor MBRTA800150 -
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ECAD 3664 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 400A 880毫伏@400安 5毫安@150伏 -55℃~150℃
MBR30040CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30040CTRL -
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ECAD 1110 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 肖特基 双塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 40V 150A 600毫伏@150安 3毫安@40伏 -55℃~150℃
GKN26/04 GeneSiC Semiconductor GKN26/04 -
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ECAD 3544 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 5 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400伏 1.55V@60A 4毫安@400伏 -40℃~180℃ 25A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库