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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRF200100R | - | ![]() | 9738 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 100伏 | 60A | 840 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF600100 | - | ![]() | 2584 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 250A | 840毫伏@250安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRH30030L | - | ![]() | 6258 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 580毫伏@300安 | 3毫安@30伏 | -55℃~150℃ | 300A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRTA500200R | - | ![]() | 5719 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 250A | 920 毫伏 @ 250 安 | 4毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | GAP3SLT33-214 | 10.7600 | ![]() | 1119 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | GAP3SLT33 | SiC(碳化硅)肖特基 | DO-214AA | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 3300伏 | 2.2V@300mA | 0纳秒 | 10μA@3300V | -55℃~175℃ | 300毫安 | 42pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | FST8340M | - | ![]() | 6819 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | 下载 | 1(无限制) | FST8340MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 80A(直流) | 650毫伏@80安 | 1.5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
1N8024-GA | - | ![]() | 8416 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-257-3 | 1N8024 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-257 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.74V@750mA | 0纳秒 | 10μA@1200V | -55℃~250℃ | 750毫安 | 66pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | FR6AR02 | 5.1225 | ![]() | 2978 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6AR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.4V@6A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 6A | - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N1183R | 6.2320 | ![]() | 7189 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1183R | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N1183RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBR6035 | 20.2695 | ![]() | 7206 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR6035GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 35V | 650 毫伏 @ 60 安 | 5毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 60A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MSRT100100D | 87.1935 | ![]() | 4135 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 微软RT100 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRT100100D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1000伏 | 100A | 1.1V@100A | 10μA@1000V | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR30030CT | 94.5030 | ![]() | 3603 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR30030 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR30030CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 150A | 650毫伏@150安 | 8毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | FR85D05 | 23.1210 | ![]() | 2199 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR85D05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.4V@85A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 85A | - | |||||||||||||||||||
默尔H7020 | 49.5120 | ![]() | 5054 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@70A | 75纳秒 | 25μA@200V | -55℃~150℃ | 70A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | FR30KR05 | 10.5930 | ![]() | 4390 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR30KR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1V@30A | 500纳秒 | 800V时为25μA | -40℃~125℃ | 30A | - | |||||||||||||||||||
![]() | G3R450MT17J | 8.0400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | G3R™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | G3R450 | SiCFET(碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-G3R450MT17J | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 1700伏 | 9A(温度) | 15V | 585毫欧@4A,15V | 2.7V@2mA | 18nC@15V | ±15V | 454pF@1000V | - | 91W(温度) | ||||||||||||||
![]() | MURT20040R | 104.4930 | ![]() | 8659 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MURT20040 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT20040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400伏 | 100A | 1.35V@100A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
GB25MPS17-247 | - | ![]() | 第1657章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-247-2 | GB25MPS17 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1344 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1700伏 | 1.8V@25A | 0纳秒 | 1700V时为10μA | -55℃~175℃ | 52A | 2350pF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | GBPC15010T | 1.8979 | ![]() | 8514 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,GBPC-T | GBPC15010 | 标准 | GBPC-T | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1V@7.5A | 1000V时为5μA | 15A | 单相 | 1kV | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N3297A | 33.8130 | ![]() | 7080 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3297 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3297AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.5V@100A | 7毫安@1400伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF30060 | - | ![]() | 2330 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | MBRF3006 | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 150A | 750毫伏@150安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
SD4145R | 14.3280 | ![]() | 5296 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | SD4145 | 肖特基,反 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 680 毫伏 @ 30 安 | 1.5毫安@35伏 | -55℃~150℃ | 30A | - | |||||||||||||||||||||
KBPC3510T | 2.4750 | ![]() | 6256 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC3510 | 标准 | KBPC-T | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@17.5A | 1000V时为5μA | 35A | 单相 | 1kV | ||||||||||||||||||||||
![]() | FR30J02 | 13.4000 | ![]() | 64 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR30J02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1V@30A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 30A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF200150 | - | ![]() | 8690 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 100A | 880 毫伏 @ 100 安 | 1毫安@150伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔塔600120 | 207.4171 | ![]() | 4406 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 300A | 2.6V@300A | 1200V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
GB02SHT06-46 | 52.4500 | ![]() | 8029 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-206AB、TO-46-3金属罐 | GB02SHT06 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-46 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1256 | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.6V@1A | 0纳秒 | 5μA@600V | -55℃~225℃ | 4A | 76pF@1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MBRTA800150 | - | ![]() | 3664 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 400A | 880毫伏@400安 | 5毫安@150伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR30040CTRL | - | ![]() | 1110 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 150A | 600毫伏@150安 | 3毫安@40伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | GKN26/04 | - | ![]() | 3544 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400伏 | 1.55V@60A | 4毫安@400伏 | -40℃~180℃ | 25A | - |
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