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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 当前 - 最大 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电阻@If,F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 穆尔夫10005R | - | ![]() | 9420 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | 穆尔夫10005RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 50V | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | 1N3291A | 33.5805 | ![]() | 8851 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3291 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3291AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400伏 | 1.5V@100A | 24毫安@400伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | ||||||||||
![]() | GC08MPS12-252 | 3.1200 | ![]() | 6092 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | GC08MPS12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@8A | 0纳秒 | 1200V时为7μA | -55℃~175℃ | 40A | 545pF@1V、1MHz | |||||||||
![]() | FR70JR02 | 17.7855 | ![]() | 6539 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR70JR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@70A | 250纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 70A | - | ||||||||||
![]() | MBRT50030 | - | ![]() | 4648 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT50030GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | FST16060 | 75.1110 | ![]() | 7797 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FST16060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 160A(直流) | 800毫伏@160安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | 穆尔夫40020R | - | ![]() | 3160 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 200A | 1V@200A | 150纳秒 | 25μA@200V | -55℃~150℃ | ||||||||||||
![]() | GA01PNS80-220 | 349.8000 | ![]() | 6920 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 结合 | GA01PNS80 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1259 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 2A | 4pF@1000V,1MHz | PIN-单个 | 8000V | - | |||||||||||||
![]() | FST16035L | - | ![]() | 7782 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 80A | 600毫伏@80安 | 1毫安@35伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | MBR200200CTR | 90.1380 | ![]() | 5931 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR200200 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 100A | 920毫伏@100安 | 3毫安@200伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | GD2X30MPS06N | 24.2385 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GD2X | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD2X30MPS06N | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 650伏 | 42A(直流) | -55℃~175℃ | |||||||||||
GBU4A | 1.4500 | ![]() | 第348章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU4 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@4A | 5μA@50V | 4A | 单相 | 50V | |||||||||||||
![]() | GC2X5MPS12-247 | 5.3730 | ![]() | 8661 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | GC2X5 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-1324 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 27A(直流) | 1.8V@5A | 0纳秒 | 1200V时为4μA | -55℃~175℃ | ||||||||
![]() | MBRF120100R | - | ![]() | 3387 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 100伏 | 60A | 840 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | MBR20040CTR | 90.1380 | ![]() | 1535 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR20040 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR20040CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 200A(直流) | 650毫伏@100安 | 5毫安@20伏 | |||||||||||
![]() | GBPC1508T | 2.4180 | ![]() | 8094 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,GBPC | GBPC1508 | 标准 | GBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 800V时为5μA | 15A | 单相 | 800V | ||||||||||||
![]() | 1N2133AR | 8.9025 | ![]() | 9934 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N2133AR | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N2133ARGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 300伏 | 1.1V@60A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 60A | - | ||||||||||
![]() | MBR2X120A180 | 51.8535 | ![]() | 7514 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X120 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 180伏 | 120A | 920毫伏@120安 | 3毫安@180伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||
![]() | FR12J05 | 6.7605 | ![]() | 第1174章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR12J05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 800毫伏@12安 | 500纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | ||||||||||
![]() | MUR2X060A06 | 47.1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | 穆尔2X060 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1311 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 600伏 | 60A | 1.5V@60A | 90纳秒 | 600V时为25μA | -55℃~175℃ | |||||||||
![]() | MBRTA60030RL | - | ![]() | 3356 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 300A | 580毫伏@300安 | 1毫安@30伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | MBR50030CTR | - | ![]() | 2432 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR50030CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBR300100CT | 94.5030 | ![]() | 1755 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR300100 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR300100CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 150A | 840毫伏@150安 | 8毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | 穆尔10040CT | 75.1110 | ![]() | 8433 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯10040 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR10040CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 400伏 | 50A | 1.3V@50A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | MBR30030CTR | 94.5030 | ![]() | 6989 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR30030 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR30030CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 150A | 650毫伏@150安 | 8毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | MBR2X080A200 | 48.6255 | ![]() | 5975 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 200V | 80A | 920毫伏@80安 | 3毫安@200伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||
![]() | MBR20040CT | 90.1380 | ![]() | 2790 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR20040 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR20040CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 200A(直流) | 650毫伏@100安 | 5毫安@20伏 | |||||||||||
![]() | MSRTA30080AD | 113.5544 | ![]() | 3891 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA300 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 800V | 300A | 1.1V@300A | 800V时为20μA | -55℃~150℃ | |||||||||||
![]() | FST6315M | - | ![]() | 4458 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 15V | 30A | 700 毫伏 @ 30 安 | 1毫安@15伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | MBRT120200 | 75.1110 | ![]() | 9437 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 60A | 920 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ |
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