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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252 1.3500
RFQ
 ECAD 5379 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 GB01SLT12 SIC （碳化硅） TO-252 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 1 A 0 ns 2 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 1a 69pf @ 1V，1MHz
GBPC3508T GeneSiC Semiconductor GBPC3508T 2.8650
RFQ
 ECAD 9078 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC3508 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 800 V 35 a 单相 800 v
FST7335M GeneSiC Semiconductor FST7335M -
RFQ
 ECAD 1899年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 35a 700 MV @ 35 A 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor MUR20010CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR20010 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1033 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR10060CT GeneSiC Semiconductor mur10060ct -
RFQ
 ECAD 9422 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10060ctgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 50a 1.7 V @ 50 A 110 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURTA300120 GeneSiC Semiconductor Murta300120 159.9075
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 600 v 150a 2.6 V @ 150 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBR2X050A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A150 43.6545
RFQ
 ECAD 4549 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X050 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 150 v 50a 880 mv @ 50 A 3 ma @ 150 V -40°C〜150°C
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor MBR200150CT 90.1380
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR200150 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 100a 880 mv @ 100 a 3 ma @ 150 V -55°C〜150°C
GC2X20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X20MPS12-247 16.5525
RFQ
 ECAD 9210 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 不适合新设计 通过洞 TO-247-3 GC2X20 SIC （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1337 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 90A（DC） 1.8 V @ 20 A 0 ns 18 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
1N1202AR GeneSiC Semiconductor 1N1202AR 4.3635
RFQ
 ECAD 1430 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1202AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N1202ARGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
MBRH12045R GeneSiC Semiconductor MBRH12045R 60.0375
RFQ
 ECAD 6770 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67半粉 MBRH12045 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 700 MV @ 120 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C 120a -
GKN26/16 GeneSiC Semiconductor GKN26/16 -
RFQ
 ECAD 9467 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 5 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.55 V @ 60 A 4 ma @ 1600 V -40°C〜180°C 25a -
FR20G02 GeneSiC Semiconductor FR20G02 9.0510
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR20G02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 20a -
GBPC1502T GeneSiC Semiconductor GBPC1502T 2.4180
RFQ
 ECAD 1510 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC1502 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
MUR7060 GeneSiC Semiconductor MUR7060 17.5905
RFQ
 ECAD 5311 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR7060GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.7 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
1N3214R GeneSiC Semiconductor 1N3214R 7.0650
RFQ
 ECAD 9573 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3214R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1003 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
MBRF30040 GeneSiC Semiconductor MBRF30040 -
RFQ
 ECAD 7258 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB MBRF3004 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 150a 700 MV @ 150 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
1N4595R GeneSiC Semiconductor 1N4595R 35.5695
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N4595R 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.5 V @ 150 A 4 ma @ 1200 V -60°C 〜200°C 150a -
1N4592R GeneSiC Semiconductor 1N4592R 35.5695
RFQ
 ECAD 6078 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N4592R 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N4592RGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.5 V @ 150 A 6.5 ma @ 600 V -60°C 〜200°C 150a -
GBPC2506W GeneSiC Semiconductor GBPC2506W 4.2000
RFQ
 ECAD 8886 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC2506 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1291 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 a 单相 600 v
FST160200 GeneSiC Semiconductor FST160200 75.1110
RFQ
 ECAD 3080 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 80a 920 MV @ 80 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
UFT14060 GeneSiC Semiconductor UFT14060 -
RFQ
 ECAD 7552 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-249AB 标准 TO-249AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 70a 1.7 V @ 70 A 90 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRT40045L GeneSiC Semiconductor MBRT40045L -
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 200a 600 mV @ 200 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
MBRTA80030 GeneSiC Semiconductor MBRTA80030 -
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 400a 720 MV @ 400 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
FST10020 GeneSiC Semiconductor FST10020 65.6445
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST10020GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 100a 650 MV @ 100 A 2 ma @ 20 V
MBRF12040 GeneSiC Semiconductor MBRF12040 -
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 60a 700 mv @ 60 a 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
1N1202A GeneSiC Semiconductor 1N1202A 4.2345
RFQ
 ECAD 8639 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N1202 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1042 Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
MBRT20045 GeneSiC Semiconductor MBRT20045 98.8155
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT20045GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 100a 750 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT30045R GeneSiC Semiconductor MBRT30045R 107.3070
RFQ
 ECAD 5209 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT30045 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1073 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MUR2X100A10 GeneSiC Semiconductor MUR2X100A10 48.6255
RFQ
 ECAD 5406 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MUR2X100 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2独立 1000 v 100a 2.35 V @ 100 A 25 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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