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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MSRT20060A GeneSiC Semiconductor MSRT20060A 48.2040
RFQ
 ECAD 6993 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 600 v 200a（DC） 1.2 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -40°C〜175°C
GKR130/14 GeneSiC Semiconductor GKR130/14 35.4765
RFQ
 ECAD 6687 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKR130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1400 V -40°C〜180°C 165a -
GBPC50005T GeneSiC Semiconductor GBPC50005T 4.0155
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC50005 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 50 V 50 a 单相 50 V
2N7639-GA GeneSiC Semiconductor 2N7639-GA -
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜225°C（TJ） 通过洞 TO-257-3 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-257 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 1242-1150 Ear99 8541.29.0095 10 - 650 v 15A（TC）（155°C） - 105mohm @ 15a - - 1534 PF @ 35 V - 172W（TC）
MURT40020 GeneSiC Semiconductor Murt40020 132.0780
RFQ
 ECAD 9233 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt40020gn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 200a 1.3 V @ 200 A 125 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FR40J02 GeneSiC Semiconductor FR40J02 12.8985
RFQ
 ECAD 7869 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40J02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1 V @ 40 A 250 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
1N3768R GeneSiC Semiconductor 1N3768R 10.1200
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3768R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1021 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
GBPC1510W GeneSiC Semiconductor GBPC1510W 2.4180
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC1510 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） GBPC1510WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
GBPC1504W GeneSiC Semiconductor GBPC1504W 2.4180
RFQ
 ECAD 1714年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC1504 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） GBPC1504WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct -
RFQ
 ECAD 5416 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10005ctgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
KBP204G GeneSiC Semiconductor KBP204G 0.2280
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBP KBP204 标准 KBP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） KBP204GGS Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 400 V 2 a 单相 400 v
MBRH240200R GeneSiC Semiconductor MBRH240200R 76.4925
RFQ
 ECAD 2704 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH240200 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 920 MV @ 240 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C 240a -
MBR30030CTR GeneSiC Semiconductor MBR30030CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 6989 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR30030CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 150a 650 MV @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURF20020R GeneSiC Semiconductor Murf20020r -
RFQ
 ECAD 3405 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Murf20020RGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR2X100A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A150 50.2485
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 150 v 100a 880 mv @ 100 a 3 ma @ 150 V -40°C〜150°C
GB20SLT12-247D GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247D -
RFQ
 ECAD 5669 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 SIC （碳化硅） TO-247 - （1 （无限） 1242-1316 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 1200 v 25a 1.8 V @ 10 A 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MBRTA800200 GeneSiC Semiconductor MBRTA800200 -
RFQ
 ECAD 7193 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 400a 920 MV @ 400 A 5 ma @ 200 V -55°C〜150°C
FR70GR02 GeneSiC Semiconductor FR70GR02 21.3300
RFQ
 ECAD 124 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 70 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
FR40G02 GeneSiC Semiconductor FR40G02 16.1200
RFQ
 ECAD 406 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1063 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1 V @ 40 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
S380YR GeneSiC Semiconductor S380yr 67.0005
RFQ
 ECAD 6288 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S380 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S380元 Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.2 V @ 380 A 10 µA @ 1600 V -60°C〜180°C 380a -
FST10030 GeneSiC Semiconductor FST10030 65.6445
RFQ
 ECAD 2996 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST10030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 100a 650 MV @ 100 A 2 ma @ 20 V
MSRTA600140A GeneSiC Semiconductor MSRTA600140A 109.2000
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 3-SMD模块 MSRTA600140 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1400 v 600A（DC） 1.2 V @ 600 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252 3.1200
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 GC08MPS12 SIC （碳化硅） TO-252-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 8 A 0 ns 7 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 40a 545pf @ 1V，1MHz
MBR8060 GeneSiC Semiconductor MBR8060 21.1680
RFQ
 ECAD 3813 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8060GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 750 MV @ 80 A 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 80a -
MBRF200100R GeneSiC Semiconductor MBRF200100R -
RFQ
 ECAD 9738 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 60a 840 mv @ 60 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
MBR2X060A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A180 46.9860
RFQ
 ECAD 2433 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 180 v 60a 920 mv @ 60 a 3 ma @ 180 V -40°C〜150°C
MURH10010 GeneSiC Semiconductor Murh10010 49.5120
RFQ
 ECAD 9951 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murh10010gn Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V 100a -
MBRF300150 GeneSiC Semiconductor MBRF300150 -
RFQ
 ECAD 6350 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB MBRF3001 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 150a 880 mv @ 150 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MBRTA800150 GeneSiC Semiconductor MBRTA800150 -
RFQ
 ECAD 3664 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 400a 880 mv @ 400 A 5 ma @ 150 V -55°C〜150°C
G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D 4.7400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 基因半导体 G3R™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 G3R350 sicfet （碳化硅） TO-247-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-G3R350MT12D Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 11A（TC） 15V 420MOHM @ 4A，15V 2.69V @ 2mA 12 nc @ 15 V ±15V 334 PF @ 800 V - 74W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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