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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N3294A | 33.5805 | ![]() | 6744 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3294 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3294AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.5V@100A | 13毫安@800伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | |||||||||||||||||||
![]() | G3R160MT17J | 12.9800 | ![]() | 1161 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | G3R™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | G3R160 | SiCFET(碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-G3R160MT17J | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 1700伏 | 22A(温度) | 15V | 208毫欧@12A,15V | 2.7V@5mA | 51nC@15V | ±15V | 1272pF@1000V | - | 187W(温度) | ||||||||||||||
![]() | FR6AR05 | 8.5020 | ![]() | 9169 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6AR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.4V@6A | 500纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT60020RL | - | ![]() | 2670 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 300A | 580毫伏@300安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔夫30040R | - | ![]() | 6740 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400伏 | 150A | 1.3V@150A | 110纳秒 | 400V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR400200CT | 98.8155 | ![]() | 5900 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR400200 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 200A | 920毫伏@200安 | 3毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT40035L | - | ![]() | 1911年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 200A | 600毫伏@200安 | 3毫安@35伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | MSRTA40080A | 60.2552 | ![]() | 5207 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA40080 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 800V | 400A(直流) | 1.2V@400A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR80100 | 21.1680 | ![]() | 9276 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR80100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 840毫伏@80安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | 80A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | GKR130/14 | 35.4765 | ![]() | 6687 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | GKR130 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.5V@60A | 22毫安@1400伏 | -40℃~180℃ | 165A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | S16G | 4.5900 | ![]() | 1490 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S16GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400伏 | 1.1V@16A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 16A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | GBJ25K | 0.9795 | ![]() | 5563 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J25 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ25K | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@12.5A | 800V时为10μA | 25A | 单相 | 800V | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR200150CT | 90.1380 | ![]() | 1041 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR200150 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 100A | 880 毫伏 @ 100 安 | 3毫安@150伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | DB155G | 0.2325 | ![]() | 6311 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB155 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB155GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1.5A | 5μA@600V | 1.5A | 单相 | 600伏 | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT20040 | 102.9600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1018 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 100A | 750毫伏@100安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔20010CT | 101.6625 | ![]() | 4937 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯20010 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1000 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 100A | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4590R | 35.5695 | ![]() | 9089 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N4590R | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N4590RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400伏 | 1.5V@150A | 9毫安@400伏 | -60℃~200℃ | 150A | - | |||||||||||||||||||
![]() | 穆尔塔60040R | 188.1435 | ![]() | 1280 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔塔60040 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔塔60040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400伏 | 300A | 1.5V@300A | 220纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | GD2X50MPS12N | 46.3900 | ![]() | 135 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GD2X | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD2X50MPS12N | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 1200伏 | 76A(直流) | 1.8V@50A | 0纳秒 | 15μA@1200V | -55℃~175℃ | |||||||||||||||||
![]() | S300D | 63.8625 | ![]() | 2518 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S300 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S300DGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.2V@300A | 10μA@100V | -60℃~200℃ | 300A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBR30080CT | 94.5030 | ![]() | 4027 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR30080 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR30080CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 150A | 840毫伏@150安 | 8毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | KBPM302G | - | ![]() | 2888 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBPM | 标准 | KBPM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | KBPM302GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1V@3A | 5μA@50V | 3A | 单相 | 200V | |||||||||||||||||||||
![]() | 默尔H7010 | 49.5120 | ![]() | 2594 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1V@70A | 75纳秒 | 100V时为25μA | -55℃~150℃ | 70A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔塔300120 | 159.9075 | ![]() | 2294 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 150A | 2.6V@150A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | S25K | 5.2485 | ![]() | 4962 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S25KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@25A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 25A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF12080R | - | ![]() | 3275 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 60A | 840 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | FR20AR02 | 9.3555 | ![]() | 8191 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR20AR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1V@20A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 20A | - | |||||||||||||||||||
![]() | S85GR | 11.8980 | ![]() | 7575 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | S85G | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S85GRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400伏 | 1.1V@85A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 85A | - | |||||||||||||||||||
![]() | DB152G | 0.2325 | ![]() | 4573 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB152 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB152GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1.5A | 100V时为5μA | 1.5A | 单相 | 100伏 | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR2X080A100 | 53.8500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1302 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 100伏 | 80A | 840毫伏@80安 | 1毫安@100伏 | -40℃~150℃ |

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