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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大)
1N3294A GeneSiC Semiconductor 1N3294A 33.5805
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ECAD 6744 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N3294 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3294AGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.5V@100A 13毫安@800伏 -40℃~200℃ 100A -
G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J 12.9800
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ECAD 1161 0.00000000 基恩碳化硅半导体 G3R™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA G3R160 SiCFET(碳化硅) TO-263-7 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-G3R160MT17J EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 1700伏 22A(温度) 15V 208毫欧@12A,15V 2.7V@5mA 51nC@15V ±15V 1272pF@1000V - 187W(温度)
FR6AR05 GeneSiC Semiconductor FR6AR05 8.5020
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ECAD 9169 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR6AR05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1.4V@6A 500纳秒 50V时为25μA -65℃~150℃ 16A -
MBRT60020RL GeneSiC Semiconductor MBRT60020RL -
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ECAD 2670 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 20V 300A 580毫伏@300安 3毫安@20伏 -55℃~150℃
MURF30040R GeneSiC Semiconductor 穆尔夫30040R -
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ECAD 6740 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 400伏 150A 1.3V@150A 110纳秒 400V时为25μA -55℃~150℃
MBR400200CT GeneSiC Semiconductor MBR400200CT 98.8155
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ECAD 5900 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR400200 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 200A 920毫伏@200安 3毫安@200伏 -55℃~150℃
MBRT40035L GeneSiC Semiconductor MBRT40035L -
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ECAD 1911年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 35V 200A 600毫伏@200安 3毫安@35伏 -55℃~150℃
MSRTA40080A GeneSiC Semiconductor MSRTA40080A 60.2552
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ECAD 5207 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRTA40080 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共轴线 800V 400A(直流) 1.2V@400A 600V时为25μA -55℃~150℃
MBR80100 GeneSiC Semiconductor MBR80100 21.1680
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ECAD 9276 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR80100GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 840毫伏@80安 1毫安@100伏 -55℃~150℃ 80A -
GKR130/14 GeneSiC Semiconductor GKR130/14 35.4765
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ECAD 6687 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 GKR130 标准 DO-205AA (DO-8) - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1400伏 1.5V@60A 22毫安@1400伏 -40℃~180℃ 165A -
S16G GeneSiC Semiconductor S16G 4.5900
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ECAD 1490 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S16GGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400伏 1.1V@16A 50V时为10μA -65℃~175℃ 16A -
GBJ25K GeneSiC Semiconductor GBJ25K 0.9795
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ECAD 5563 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP,GBJ 国标J25 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ25K EAR99 8541.10.0080 200 1.05V@12.5A 800V时为10μA 25A 单相 800V
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor MBR200150CT 90.1380
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ECAD 1041 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR200150 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 100A 880 毫伏 @ 100 安 3毫安@150伏 -55℃~150℃
DB155G GeneSiC Semiconductor DB155G 0.2325
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ECAD 6311 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-EDIP (0.321", 8.15mm) DB155 标准 数据库 下载 符合RoHS标准 1(无限制) DB155GGN EAR99 8541.10.0080 2,500人 1.1V@1.5A 5μA@600V 1.5A 单相 600伏
MBRT20040 GeneSiC Semiconductor MBRT20040 102.9600
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ECAD 12 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1018 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 100A 750毫伏@100安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MUR20010CT GeneSiC Semiconductor 穆尔20010CT 101.6625
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ECAD 4937 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯20010 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1000 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 100A 1.3V@100A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
1N4590R GeneSiC Semiconductor 1N4590R 35.5695
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ECAD 9089 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N4590R 标准,反脊柱 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N4590RGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400伏 1.5V@150A 9毫安@400伏 -60℃~200℃ 150A -
MURTA60040R GeneSiC Semiconductor 穆尔塔60040R 188.1435
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ECAD 1280 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 穆尔塔60040 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔塔60040RGN EAR99 8541.10.0080 24 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 400伏 300A 1.5V@300A 220纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X50MPS12N 46.3900
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ECAD 135 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GD2X SiC(碳化硅)肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-GD2X50MPS12N EAR99 8541.10.0080 10 无恢复T>500mA(Io) 2 独立 1200伏 76A(直流) 1.8V@50A 0纳秒 15μA@1200V -55℃~175℃
S300D GeneSiC Semiconductor S300D 63.8625
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ECAD 2518 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 S300 标准 DO-205AB (DO-9) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S300DGN EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 200V 1.2V@300A 10μA@100V -60℃~200℃ 300A -
MBR30080CT GeneSiC Semiconductor MBR30080CT 94.5030
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ECAD 4027 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR30080 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR30080CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 80V 150A 840毫伏@150安 8毫安@20伏 -55℃~150℃
KBPM302G GeneSiC Semiconductor KBPM302G -
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ECAD 2888 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBPM 标准 KBPM 下载 1(无限制) REACH 不出行 KBPM302GGN EAR99 8541.10.0080 900 1.1V@3A 5μA@50V 3A 单相 200V
MURH7010 GeneSiC Semiconductor 默尔H7010 49.5120
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ECAD 2594 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 标准 D-67 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1V@70A 75纳秒 100V时为25μA -55℃~150℃ 70A -
MURTA300120 GeneSiC Semiconductor 穆尔塔300120 159.9075
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ECAD 2294 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共轴线 600伏 150A 2.6V@150A 600V时为25μA -55℃~150℃
S25K GeneSiC Semiconductor S25K 5.2485
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ECAD 4962 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S25KGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.1V@25A 50V时为10μA -65℃~175℃ 25A -
MBRF12080R GeneSiC Semiconductor MBRF12080R -
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ECAD 3275 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 80V 60A 840 毫伏 @ 60 安 1毫安@80伏 -55℃~150℃
FR20AR02 GeneSiC Semiconductor FR20AR02 9.3555
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ECAD 8191 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR20AR02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1V@20A 200纳秒 50V时为25μA -40℃~125℃ 20A -
S85GR GeneSiC Semiconductor S85GR 11.8980
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ECAD 7575 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 S85G 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S85GRGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400伏 1.1V@85A 10μA@100V -65℃~180℃ 85A -
DB152G GeneSiC Semiconductor DB152G 0.2325
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ECAD 4573 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-EDIP (0.321", 8.15mm) DB152 标准 数据库 下载 符合RoHS标准 1(无限制) DB152GGN EAR99 8541.10.0080 2,500人 1.1V@1.5A 100V时为5μA 1.5A 单相 100伏
MBR2X080A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A100 53.8500
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ECAD 4 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 MBR2X080 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1302 EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 100伏 80A 840毫伏@80安 1毫安@100伏 -40℃~150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库