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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 当前 - 最大 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电阻@If,F |
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1N8030-GA | - | ![]() | 5782 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-257-3 | 1N8030 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-257 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.39V@750mA | 0纳秒 | 5μA@650V | -55℃~250℃ | 750毫安 | 76pF@1V、1MHz | |||||||||||
![]() | S300DR | 63.8625 | ![]() | 7570 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | S300 | 标准,反脊柱 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S300DRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.2V@300A | 10μA@100V | -60℃~200℃ | 300A | - | ||||||||||
![]() | MBRTA50045 | - | ![]() | 3338 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 250A | 700毫伏@250安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | 穆尔2560R | 10.1910 | ![]() | 2236 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 毛里求斯2560 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔2560RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@25A | 90纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 25A | - | |||||||||
![]() | 穆尔特10005 | - | ![]() | 8545 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT10005GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 50V | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||
1N1204AR | 4.2345 | ![]() | 8105 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N1204AR | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1064 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | |||||||||||
![]() | GBJ30D | 1.1205 | ![]() | 7632 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标J30 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ30D | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@15A | 5μA@200V | 30A | 单相 | 200V | ||||||||||||
W01M | - | ![]() | 7665 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4-循环,口碑 | 标准 | 口碑营销 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1V@1A | 10μA@100V | 1.5A | 单相 | 100V | |||||||||||||||
MBR3560R | 18.5700 | ![]() | 71 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | MBR3560 | 肖特基,反 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750 毫伏 @ 35 安 | 1.5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 35A | - | ||||||||||||
![]() | DB104G | 0.1980 | ![]() | 2293 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) | DB104 | 标准 | 数据库 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | DB104GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 1.1V@1A | 400V时为10μA | 1A | 单相 | 400V | |||||||||||
![]() | 穆尔塔300120 | 159.9075 | ![]() | 2294 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 150A | 2.6V@150A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||
![]() | GBPC5002W | 4.0155 | ![]() | 第1771章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC-W | GBPC5002 | 标准 | GBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2V@25A | 5μA@200V | 50A | 单相 | 200V | ||||||||||||
![]() | BR610 | 0.7425 | ![]() | 5194 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4方,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | BR610GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1V@3A | 10μA@1000V | 6A | 单相 | 1kV | ||||||||||||
![]() | GBU10K | 1.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU10 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU10KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@10A | 800V时为5μA | 10A | 单相 | 800V | |||||||||||
![]() | GBU15D | 0.6120 | ![]() | 9784 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU15 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU15DGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@15A | 5μA@200V | 15A | 单相 | 200V | |||||||||||
![]() | GA01PNS80-220 | 349.8000 | ![]() | 6920 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 结合 | GA01PNS80 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1259 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 2A | 4pF@1000V,1MHz | PIN-单个 | 8000V | - | |||||||||||||
![]() | GB01SLT12-252 | 1.3500 | ![]() | 5379 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | GB01SLT12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@1A | 0纳秒 | 1200V时为2μA | -55℃~175℃ | 1A | 69pF@1V、1MHz | |||||||||
![]() | 1N4590 | 35.5695 | ![]() | 3928 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N4590 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N4590GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.5V@150A | 9毫安@400伏 | -60℃~200℃ | 150A | - | ||||||||||
![]() | MBRH12045R | 60.0375 | ![]() | 6770 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 半包 | MBRH12045 | 肖特基,反 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 700毫伏@120安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | 120A | - | |||||||||||
![]() | KBU8M | 1.8200 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBU | KBU8 | 标准 | 科布 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1V@8A | 10μA@1000V | 8A | 单相 | 1kV | ||||||||||||
![]() | MBR2X060A200 | 46.9860 | ![]() | 5106 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X060 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 200V | 60A | 920 毫伏 @ 60 安 | 3毫安@200伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||
![]() | M3P75A-80 | - | ![]() | 1180 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | 5-SMD模块 | 标准 | 5-SMD | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 800V时为10μA | 75A | 土耳其 | 800V | |||||||||||||||
![]() | GD2X100MPS12N | 82.9100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | MSP | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GD2X | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD2X100MPS12N | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 1200伏 | 136A(直流) | 1.8V@100A | 0纳秒 | 1200V时为25μA | -55℃~175℃ | ||||||||
KBPC50005T | 2.5875 | ![]() | 9886 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC50005 | 标准 | KBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@25A | 5μA@50V | 50A | 单相 | 50V | |||||||||||||
![]() | GBPC1504W | 2.4180 | ![]() | 1714 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC-W | GBPC1504 | 标准 | GBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBPC1504WGS | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 5μA@400V | 15A | 单相 | 400V | |||||||||||
![]() | GBPC1510W | 2.4180 | ![]() | 8311 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC-W | GBPC1510 | 标准 | GBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBPC1510WGS | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@7.5A | 1000V时为5μA | 15A | 单相 | 1kV | |||||||||||
![]() | GBPC5008W | 4.0155 | ![]() | 3277 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC-W | GBPC5008 | 标准 | GBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2V@25A | 800V时为5μA | 50A | 单相 | 800V | ||||||||||||
![]() | 1N6097R | 21.5010 | ![]() | 5797 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N6097R | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N6097RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 700毫伏@50安 | 5毫安@30伏 | -65℃~150℃ | 50A | - | ||||||||||
![]() | FR70JR02 | 17.7855 | ![]() | 6539 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR70JR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@70A | 250纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 70A | - | ||||||||||
![]() | 穆尔塔50020R | 174.1546 | ![]() | 7352 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 穆尔塔50020 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔塔50020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 250A | 1.3V@250A | 150纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ |
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