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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
1N3765R GeneSiC Semiconductor 1N3765R 6.2320
RFQ
 ECAD 1506 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3765R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3765RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 700 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252 1.3500
RFQ
 ECAD 5379 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 GB01SLT12 SIC （碳化硅） TO-252 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 1 A 0 ns 2 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 1a 69pf @ 1V，1MHz
MBRT120100 GeneSiC Semiconductor MBRT120100 75.1110
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT120100GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 60a 880 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N2131AR GeneSiC Semiconductor 1N2131AR 11.7300
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N2131AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
MBRF20045R GeneSiC Semiconductor MBRF20045R -
RFQ
 ECAD 9838 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 100a 700 mv @ 100 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MBRF40030R GeneSiC Semiconductor MBRF40030R -
RFQ
 ECAD 2863 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 200a 700 mv @ 200 a 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
1N3294A GeneSiC Semiconductor 1N3294A 33.5805
RFQ
 ECAD 6744 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N3294 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3294AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.5 V @ 100 A 13 ma @ 800 V -40°C 200°C 100a -
MSRT200100AD GeneSiC Semiconductor MSRT200100AD 80.4872
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1000 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C
MBRT60020L GeneSiC Semiconductor MBRT60020L -
RFQ
 ECAD 3867 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR40045CTS GeneSiC Semiconductor MBR40045CT -
RFQ
 ECAD 9313 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 螺丝安装 SOT-227-4 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1132 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 45 v 400A（DC） 1.2 V @ 200 A 5 µA @ 36 V -40°C〜175°C
MBRTA80035R GeneSiC Semiconductor MBRTA80035R -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 400a 720 MV @ 400 A 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
MBRT60035L GeneSiC Semiconductor MBRT60035L -
RFQ
 ECAD 5242 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 300A 600 MV @ 300 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBR2X100A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A100 50.2485
RFQ
 ECAD 5931 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 100 v 100a 840 mv @ 100 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
MBRT12080 GeneSiC Semiconductor MBRT12080 75.1110
RFQ
 ECAD 5417 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT12080GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 60a 880 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MURTA300120 GeneSiC Semiconductor Murta300120 159.9075
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 600 v 150a 2.6 V @ 150 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBR20030CT GeneSiC Semiconductor MBR20030CT 90.1380
RFQ
 ECAD 2000 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1008 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 200a（DC） 650 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S320JR GeneSiC Semiconductor S320JR 62.2080
RFQ
 ECAD 6119 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S320 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S320JRGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60°C〜180°C 320a -
MBR40080CT GeneSiC Semiconductor MBR40080CT 98.8155
RFQ
 ECAD 1784年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40080 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR40080CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 200a 840 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MUR30010CTR GeneSiC Semiconductor MUR30010CTR 118.4160
RFQ
 ECAD 3859 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30010 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30010CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR20045CTR GeneSiC Semiconductor MBR20045CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20045 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR20045CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 200a（DC） 650 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V
MBR2X160A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A150 59.6700
RFQ
 ECAD 6381 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X160 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 150 v 160a 880 mv @ 160 A 3 ma @ 150 V -40°C〜150°C
S70V GeneSiC Semiconductor S70V 10.1310
RFQ
 ECAD 9525 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70VGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 70a -
150K100A GeneSiC Semiconductor 150K100A 35.5695
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 150K100 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 150K100AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.33 V @ 150 A 24 mA @ 1000 V -40°C 200°C 150a -
S70GR GeneSiC Semiconductor S70GR 9.8985
RFQ
 ECAD 9048 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S70G 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70GRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
MBRT50030 GeneSiC Semiconductor MBRT50030 -
RFQ
 ECAD 4648 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50030GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MUR40060CTR GeneSiC Semiconductor MUR40060CTR 132.0780
RFQ
 ECAD 8477 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR40060 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR40060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 600 v 200a 1.3 V @ 125 A 180 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRF12045 GeneSiC Semiconductor MBRF12045 -
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 60a 700 mv @ 60 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
S40J GeneSiC Semiconductor S40J 6.3770
RFQ
 ECAD 5569 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S40JGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 40a -
MBRT200150 GeneSiC Semiconductor MBRT200150 98.8155
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 100a 880 mv @ 100 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
1N8033-GA GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA -
RFQ
 ECAD 9724 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 表面安装 TO-276AA 1N8033 SIC （碳化硅） TO-276 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.65 V @ 5 A 0 ns 5 µA @ 650 V -55°C〜250°C 4.3a 274pf @ 1V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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