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分立半导体产品(2160)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） Rds On（最大）@Id、Vgs Vgs(th)（顶部）@Id 惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs Vgs（最大） 输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds 场效应管特性 消耗（最大） 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大）
FST10030 GeneSiC Semiconductor FST10030 65.6445
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 ECAD 2996 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FST10030GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 30V 100A 650毫伏@100安 2毫安@20伏
MBRT50040R GeneSiC Semiconductor MBRT50040R -
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 ECAD 9641 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT50040RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 40V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
1N3890 GeneSiC Semiconductor 1N3890 6.7605
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 ECAD 7871 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3890 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N3890GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100伏 1.4V@12A 200纳秒 50V时为25μA -65℃～150℃ 12A -
1N3210 GeneSiC Semiconductor 1N3210 9.6500
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 ECAD 7 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 柱螺安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N3210 标准 DO-203AB (DO-5) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 200V 1.5V@15A 50V时为10μA -65℃～175℃ 15A -
FST83100SM GeneSiC Semiconductor FST83100SM -
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 ECAD 1711 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3SM 肖特基 D61-3SM 下载 1（无限制） REACH 不出行 FST83100SMGN EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 100伏 80A（直流） 840毫伏@80安 1.5毫安@20伏 -40℃～175℃
MSRTA200140AD GeneSiC Semiconductor MSRTA200140AD 85.9072
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 ECAD 3875 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRTA200 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 1400伏 200A 1.1V@200A 10μA@1400V -55℃～150℃
MBR60080CTR GeneSiC Semiconductor MBR60080CTR 129.3585
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 ECAD 4484 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR60080 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR60080CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 80V 300A 880毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
FR70J02 GeneSiC Semiconductor FR70J02 17.5905
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 ECAD 2631 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR70J02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 600伏 1.4V@70A 250纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 70A -
MSRT150120AD GeneSiC Semiconductor MSRT150120AD 71.6012
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 ECAD 8971 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT150 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 1200伏 150A 1.1V@150A 10μA@1200V -55℃～150℃
MSRTA400120A GeneSiC Semiconductor MSRTA400120A 60.2552
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 ECAD 2269 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRTA400120 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对共轴线 1200伏 400A（直流） 1.2V@400A 600V时为25μA -55℃～150℃
FR70G05 GeneSiC Semiconductor FR70G05 17.5905
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 ECAD 3917 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR70G05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400伏 1.4V@70A 500纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 70A -
1N3892 GeneSiC Semiconductor 1N3892 9.3000
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 ECAD 第652章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3892 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1035 EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400伏 1.4V@12A 200纳秒 50V时为25μA -65℃～150℃ 12A -
GBPC3508T GeneSiC Semiconductor GBPC3508T 2.8650
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 ECAD 9078 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 质检终端 4方，GBPC GBPC3508 标准 GBPC 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@17.5A 800V时为5μA 35A 单相 800V
MSRTA20080D GeneSiC Semiconductor MSRTA20080D 142.3575
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 ECAD 2531 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 模块 MSRTA200 标准 - 下载 符合ROHS3标准 1242-MSRTA20080D EAR99 8541.10.0080 24 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 800V 200A 1.1V@200A 800V时为10μA -55℃～150℃
MBRF500150R GeneSiC Semiconductor MBRF500150R -
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 ECAD 9365 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 150伏 250A 880毫伏@250安 1毫安@150伏 -55℃～150℃
FST10060 GeneSiC Semiconductor FST10060 65.6445
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 ECAD 4181 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FST10060GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 60V 100A 750毫伏@100安 2毫安@20伏 -55℃～150℃
S380ZR GeneSiC Semiconductor S380ZR 86.5785
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 ECAD 5464 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 S380 标准，反脊柱 DO-205AB (DO-9) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S380ZRGN EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 2000伏 1.2V@380A 10μA@1600V -60℃～180℃ 380A -
MBRT60030L GeneSiC Semiconductor MBRT60030L -
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 ECAD 5731 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 30V 300A 580毫伏@300安 3毫安@30伏 -55℃～150℃
MBRT40020RL GeneSiC Semiconductor MBRT40020RL -
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 ECAD 8227 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 20V 200A 580毫伏@200安 3毫安@20伏 -55℃～150℃
MURF10060R GeneSiC Semiconductor 穆尔夫10060R -
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 ECAD 7750 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244AB - 1（无限制） 穆尔夫10060RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 600伏 50A 1.7V@50A 75纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MUR7010 GeneSiC Semiconductor 穆尔7010 17.5905
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 ECAD 4310 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 穆尔7010GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100伏 1V@70A 75纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃ 70A -
KBU8A GeneSiC Semiconductor KBU8A -
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 ECAD 3434 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP、KBU 标准 科布 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 300 1V@8A 50V时为10μA 8A 单相 50V
KBP208G GeneSiC Semiconductor KBP208G 0.2280
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 ECAD 3867 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP、KBP KBP208 标准 钾BP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） KBP208GGS EAR99 8541.10.0080 500 1.1V@2A 50V时为10μA 2A 单相 800V
KBU10005 GeneSiC Semiconductor KBU10005 0.8205
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 ECAD 5287 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP、KBU 标准 科布 下载 符合RoHS标准 1（无限制） KBU10005GN EAR99 8541.10.0080 400 1.05V@10A 50V时为10μA 10A 单相 50V
FR30M05 GeneSiC Semiconductor FR30M05 10.3155
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 ECAD 3813 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR30M05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1000伏 1V@30A 500纳秒 800V时为25μA -40℃～125℃ 30A -
KBPC2510W GeneSiC Semiconductor KBPC2510W 2.2995
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 ECAD 6108 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4方，KBPC-W KBPC2510 标准 KBPC-W 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 1.1V@12.5A 10μA@1000V 25A 单相 1kV
1N3294A GeneSiC Semiconductor 1N3294A 33.5805
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 ECAD 6744 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N3294 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N3294AGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 800V 1.5V@100A 13毫安@800伏 -40℃～200℃ 100A -
G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J 12.9800
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 ECAD 1161 0.00000000 基恩碳化硅半导体 G3R™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA G3R160 SiCFET（碳化硅） TO-263-7 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-G3R160MT17J EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 1700伏 22A（温度） 15V 208毫欧@12A，15V 2.7V@5mA 51nC@15V ±15V 1272pF@1000V - 187W（温度）
FR6AR05 GeneSiC Semiconductor FR6AR05 8.5020
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 ECAD 9169 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准，反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR6AR05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 50V 1.4V@6A 500纳秒 50V时为25μA -65℃～150℃ 16A -
MBRT60020RL GeneSiC Semiconductor MBRT60020RL -
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 ECAD 2670 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 20V 300A 580毫伏@300安 3毫安@20伏 -55℃～150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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