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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR2X050A120 | 43.6545 | ![]() | 1366 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 120V | 50A | 880毫伏@50安 | 3毫安@120伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | GA20JT12-263 | 36.7400 | ![]() | 4850 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 的积极 | 175°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | GA20JT12 | SiC(碳化硅结晶体管) | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 1200伏 | 45A(温度) | - | 60毫欧@20A | - | - | 800V时为3091pF | - | 282W(温度) | |||||||||||||||
![]() | MBR6045R | 21.3105 | ![]() | 2688 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR6045 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR6045RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 650 毫伏 @ 60 安 | 5毫安@20伏 | -65℃~150℃ | 60A | - | ||||||||||||||||||
G3R20MT17K | 107.2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | G3R™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-4 | G3R20 | SiCFET(碳化硅) | TO-247-4 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-G3R20MT17K | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 1700伏 | 124A(温度) | 15V | 26毫欧@75A,15V | 2.7V@15mA | 400nC@15V | ±15V | 10187pF@1000V | - | 809W(温度) | ||||||||||||||
![]() | GBU6M | 0.5385 | ![]() | 9765 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU6 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU6MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@6A | 1000V时为5μA | 6A | 单相 | 1kV | |||||||||||||||||||
![]() | S16M | 4.5900 | ![]() | 4308 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S16MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@16A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 16A | - | |||||||||||||||||||
![]() | FST12040 | 70.4280 | ![]() | 2307 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FST12040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 120A(直流) | 650毫伏@120安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MBRTA80040 | - | ![]() | 3010 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 400A | 720 毫伏 @ 400 安 | 1毫安@40伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRT50030R | - | ![]() | 9524 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT50030RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MBR2X120A100 | 51.8535 | ![]() | 3033 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X120 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 100V | 120A | 840毫伏@120安 | 1毫安@100伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4593 | 35.5695 | ![]() | 8887 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N4593 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N4593GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.5V@150A | 5.5毫安@800伏 | -60℃~200℃ | 150A | - | ||||||||||||||||||
![]() | 穆尔塔400120 | 174.1546 | ![]() | 4800 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 200A | 2.6V@200A | 1200V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N1202A | 4.2345 | ![]() | 8639 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N1202 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1042 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | ||||||||||||||||||
![]() | FR16J02 | 8.1330 | ![]() | 3747 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR16J02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 900毫伏@16安 | 250纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | ||||||||||||||||||
![]() | G3R160MT17J | 12.9800 | ![]() | 1161 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | G3R™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | G3R160 | SiCFET(碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-G3R160MT17J | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 1700伏 | 22A(温度) | 15V | 208毫欧@12A,15V | 2.7V@5mA | 51nC@15V | ±15V | 1272pF@1000V | - | 187W(温度) | |||||||||||||
![]() | MBRF300200 | - | ![]() | 1519 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | MBRF3002 | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 150A | 920毫伏@150安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | FR6AR05 | 8.5020 | ![]() | 9169 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6AR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.4V@6A | 500纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | ||||||||||||||||||
![]() | FR6G05 | 4.9020 | ![]() | 6711 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6G05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 1.4V@6A | 500纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRTA60030R | - | ![]() | 7659 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 300A | 700 毫伏 @ 300 安 | 1毫安@30伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRT60045 | 140.2020 | ![]() | 8840 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT60045GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 300A | 750毫伏@300安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | FR40B02 | 12.8985 | ![]() | 4193 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR40B02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1V@40A | 200纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 40A | - | ||||||||||||||||||
![]() | FR40J02 | 12.8985 | ![]() | 7869 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR40J02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1V@40A | 250纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 40A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRF20030 | - | ![]() | 3637 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 100A | 700毫伏@100安 | 1毫安@30伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔20040CT | 101.6625 | ![]() | 6926 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯20040 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR20040CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 400伏 | 100A | 1.3V@50A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||
![]() | MBRTA600150 | - | ![]() | 6296 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 300A | 880毫伏@300安 | 4毫安@150伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRT40035L | - | ![]() | 1911年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 35V | 200A | 600毫伏@200安 | 3毫安@35伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | MSRTA40080A | 60.2552 | ![]() | 5207 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA40080 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 800V | 400A(直流) | 1.2V@400A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT60020RL | - | ![]() | 2670 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 20V | 300A | 580毫伏@300安 | 3毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔夫30040R | - | ![]() | 6740 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400伏 | 150A | 1.3V@150A | 110纳秒 | 400V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR400200CT | 98.8155 | ![]() | 5900 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR400200 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 200A | 920毫伏@200安 | 3毫安@200伏 | -55℃~150℃ |
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