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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MBR60040CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60040CTRL -
RFQ
 ECAD 2096 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 40 V 300A 600 MV @ 300 A 5 ma @ 40 V -55°C〜150°C
GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263 36.7400
RFQ
 ECAD 4850 0.00000000 基因半导体 - 管子 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA GA20JT12 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-263-7 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 - 1200 v 45A（TC） - 60mohm @ 20a - - 3091 PF @ 800 V - 282W（TC）
MURH7020 GeneSiC Semiconductor Murh7020 49.5120
RFQ
 ECAD 5054 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C 70a -
GKR13012 GeneSiC Semiconductor GKR13012 37.6023
RFQ
 ECAD 8899 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKR130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1200 V -40°C〜180°C 165a -
1N6098R GeneSiC Semiconductor 1N6098R 21.5010
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N6098R 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N6098RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 700 MV @ 50 A 5 ma @ 30 V -65°C〜150°C 50a -
MUR2X120A12 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A12 51.8535
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MUR2X120 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2独立 1200 v 120a 2.35 V @ 120 A 25 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MBRT120100 GeneSiC Semiconductor MBRT120100 75.1110
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT120100GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 60a 880 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR200200CTR GeneSiC Semiconductor MBR200200CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 5931 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR200200 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 100a 920 MV @ 100 A 3 ma @ 200 V -55°C〜150°C
MBRTA40030RL GeneSiC Semiconductor MBRTA40030RL -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRT60035L GeneSiC Semiconductor MBRT60035L -
RFQ
 ECAD 5242 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 300A 600 MV @ 300 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBR30030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30030CTRL -
RFQ
 ECAD 5353 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 150a 580 mv @ 150 A 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBR12080CT GeneSiC Semiconductor MBR12080CT 68.8455
RFQ
 ECAD 1773年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR12080 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR12080CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 120A（DC） 840 mv @ 60 a 3 ma @ 20 V
1N3765 GeneSiC Semiconductor 1N3765 6.2320
RFQ
 ECAD 5017 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3765 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3765GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 700 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
MBRT30060R GeneSiC Semiconductor MBRT30060R 107.3070
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT30060 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT30060RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 60 V 150a 800 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA800100 GeneSiC Semiconductor MBRTA800100 -
RFQ
 ECAD 9826 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 400a 840 mv @ 400 A 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
FST8360SM GeneSiC Semiconductor FST8360SM -
RFQ
 ECAD 2491 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3SM 肖特基 D61-3SM 下载 （1 （无限） 到达不受影响 FST8360SMGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 80A（DC） 750 MV @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR16JR05 GeneSiC Semiconductor FR16JR05 8.5020
RFQ
 ECAD 3366 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR16JR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
GBPC50005T GeneSiC Semiconductor GBPC50005T 4.0155
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，GBPC GBPC50005 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 50 V 50 a 单相 50 V
MURT40020 GeneSiC Semiconductor Murt40020 132.0780
RFQ
 ECAD 9233 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murt40020gn Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 200a 1.3 V @ 200 A 125 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FR40J02 GeneSiC Semiconductor FR40J02 12.8985
RFQ
 ECAD 7869 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40J02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1 V @ 40 A 250 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
GBPC1510W GeneSiC Semiconductor GBPC1510W 2.4180
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC1510 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） GBPC1510WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
GBPC1504W GeneSiC Semiconductor GBPC1504W 2.4180
RFQ
 ECAD 1714年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC1504 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） GBPC1504WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
KBP204G GeneSiC Semiconductor KBP204G 0.2280
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBP KBP204 标准 KBP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） KBP204GGS Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 400 V 2 a 单相 400 v
FR40G02 GeneSiC Semiconductor FR40G02 16.1200
RFQ
 ECAD 406 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1063 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1 V @ 40 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
FST10030 GeneSiC Semiconductor FST10030 65.6445
RFQ
 ECAD 2996 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST10030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 100a 650 MV @ 100 A 2 ma @ 20 V
MBRF200100R GeneSiC Semiconductor MBRF200100R -
RFQ
 ECAD 9738 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 60a 840 mv @ 60 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
MBR2X060A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A180 46.9860
RFQ
 ECAD 2433 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X060 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 180 v 60a 920 mv @ 60 a 3 ma @ 180 V -40°C〜150°C
MURH10010 GeneSiC Semiconductor Murh10010 49.5120
RFQ
 ECAD 9951 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murh10010gn Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V 100a -
MBRF300150 GeneSiC Semiconductor MBRF300150 -
RFQ
 ECAD 6350 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB MBRF3001 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 150a 880 mv @ 150 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MBRTA800150 GeneSiC Semiconductor MBRTA800150 -
RFQ
 ECAD 3664 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 400a 880 mv @ 400 A 5 ma @ 150 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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