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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRTA50035R | - | ![]() | 9617 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 35 v | 250a | 700 MV @ 250 A | 1 mA @ 35 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBR120150CT | - | ![]() | 9573 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 60a | 880 mv @ 60 a | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | S70VR | 10.1310 | ![]() | 8410 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | S70V | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S70VRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.1 V @ 70 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 70a | - | ||||||||
![]() | MBRF50060R | - | ![]() | 4099 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 60 V | 250a | 780 mv @ 250 A | 1 mA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | FR16DR05 | 8.5020 | ![]() | 6857 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR16DR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.1 V @ 16 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||||||
![]() | FR70KR05 | 17.7855 | ![]() | 4229 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR70KR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.4 V @ 70 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 70a | - | ||||||||
![]() | MUR20010CTR | 101.6625 | ![]() | 2964 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MUR20010 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1033 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 100 v | 100a | 1.3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | MUR7060 | 17.5905 | ![]() | 5311 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR7060GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | ||||||||
![]() | GBPC1502T | 2.4180 | ![]() | 1510 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC1502 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 200 V | 15 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
![]() | GBPC2504T | 4.2000 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC2504 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | ||||||||||
![]() | MBR120200CT | - | ![]() | 9679 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 60a | 920 mv @ 60 a | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
FR40M05 | 12.8985 | ![]() | 4560 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1 V @ 40 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 40a | - | ||||||||||
![]() | 1N1183R | 6.2320 | ![]() | 7189 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1183R | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N1183RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜190°C | 35a | - | ||||||||
![]() | MBR6020R | 21.3105 | ![]() | 3641 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MBR6020 | 肖特基,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR6020RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 650 mv @ 60 a | 5 ma @ 20 V | -65°C〜150°C | 60a | - | ||||||||
![]() | MBRT60045 | 140.2020 | ![]() | 8840 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT60045GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | MBRT40040R | 118.4160 | ![]() | 8525 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT40040 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT40040RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 40 V | 200a | 750 MV @ 200 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MBRH12045 | 60.0375 | ![]() | 1810 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRH12045GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 650 MV @ 120 A | 4 mA @ 20 V | 120a | - | ||||||||||
![]() | MBRTA40030RL | - | ![]() | 3118 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 200a | 580 mv @ 200 a | 3 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | FR30KR05 | 10.5930 | ![]() | 4390 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR30KR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1 V @ 30 A | 500 ns | 25 µA @ 800 V | -40°C〜125°C | 30a | - | ||||||||
![]() | 1N1188R | 10.1200 | ![]() | 74 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1188R | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1094 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜190°C | 35a | - | ||||||||
![]() | MBR60035CT | 129.3585 | ![]() | 4784 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR60035 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR60035CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | MUR2X060A04 | 47.1200 | ![]() | 38 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MUR2X060 | 标准 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1310 | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 400 v | 60a | 1.3 V @ 60 A | 75 ns | 25 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | |||||||
![]() | MBRT60030R | 140.2020 | ![]() | 7277 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT60030 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT60030RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | mur10060ct | - | ![]() | 9422 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | mur10060ctgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 50a | 1.7 V @ 50 A | 110 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | Murta300120 | 159.9075 | ![]() | 2294 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 150a | 2.6 V @ 150 A | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | MBR60045CT | 129.3585 | ![]() | 9131 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR60045 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR60045CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | GD2X100MPS12N | 82.9100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 基因半导体 | MSP | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GD2X | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-GD2X100MPS12N | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 1200 v | 136a(DC) | 1.8 V @ 100 A | 0 ns | 25 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | GD2X30MPS06D | 9.7900 | ![]() | 695 | 0.00000000 | 基因半导体 | Sic Schottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | GD2X | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-GD2X30MPS06D | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 600 v | 30A(DC) | 0 ns | 175°C | ||||||||
![]() | GC05MPS12-252 | 2.3475 | ![]() | 8544 | 0.00000000 | 基因半导体 | Sic Schottky MPS™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | GC05MPS12 | SIC (碳化硅) | TO-252-2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 5 A | 0 ns | 4 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 27a | 359pf @ 1V,1MHz | |||||||
![]() | FR6K05 | 5.0745 | ![]() | 4999 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR6K05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.4 V @ 6 A | 500 ns | 25 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 6a | - |
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