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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FST73100M | - | ![]() | 6895 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 35A | 840 毫伏 @ 35 安 | 1毫安@100伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4588 | 35.5695 | ![]() | 3219 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N4588 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N4588GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.5V@150A | 9.5毫安@200伏 | -60℃~200℃ | 150A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MUR40005CTR | - | ![]() | 3094 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR40005CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 50V | 200A | 1.3V@125A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF120150 | - | ![]() | 1966年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 60A | 880毫伏@60安 | 1毫安@150伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | FR30BR02 | 10.5930 | ![]() | 4814 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR30BR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1V@30A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 30A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MSRT15080AD | 71.6012 | ![]() | 6900 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT150 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 800V | 150A | 1.1V@150A | 800V时为10μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR20045CTR | 90.1380 | ![]() | 1612 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR20045 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR20045CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 200A(直流) | 650毫伏@100安 | 5毫安@20伏 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N3890 | 6.7605 | ![]() | 7871 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3890 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3890GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.4V@12A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRT50040R | - | ![]() | 9641 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT50040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | GD2X30MPS06D | 9.7900 | ![]() | 695 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | GD2X | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD2X30MPS06D | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 30A(直流) | 0纳秒 | 175℃ | |||||||||||||||||||
BR62 | 1.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 4方,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1V@3A | 10μA@200V | 6A | 单相 | 200V | |||||||||||||||||||||||
![]() | FST10030 | 65.6445 | ![]() | 2996 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FST10030GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 100A | 650毫伏@100安 | 2毫安@20伏 | |||||||||||||||||||||
1N3210 | 9.6500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N3210 | 标准 | DO-203AB (DO-5) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.5V@15A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 15A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N1188A | 6.3770 | ![]() | 6241 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1188 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N1188AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400伏 | 1.1V@40A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 40A | - | |||||||||||||||||||
KBU6D | 1.7600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBU | KBU6 | 标准 | 科布 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1V@6A | 10μA@200V | 6A | 单相 | 200V | ||||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔10010CT | 75.1110 | ![]() | 8480 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯10010 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR10010CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | S6QR | 3.8625 | ![]() | 第1284章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S6Q | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.1V@6A | 10μA@100V | -65℃~175℃ | 6A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF12040 | - | ![]() | 8447 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 60A | 700 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@40伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | FST83100SM | - | ![]() | 1711 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3SM | 肖特基 | D61-3SM | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | FST83100SMGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 80A(直流) | 840毫伏@80安 | 1.5毫安@20伏 | -40℃~175℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔5020R | 17.8380 | ![]() | 2942 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 毛里求斯5020 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔5020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@50A | 75纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 50A | - | ||||||||||||||||||
![]() | FR20A02 | 9.0510 | ![]() | 8652 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR20A02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1V@20A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 20A | - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N6098R | 21.5010 | ![]() | 4696 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N6098R | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N6098RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 700毫伏@50安 | 5毫安@30伏 | -65℃~150℃ | 50A | - | |||||||||||||||||||
![]() | FR20JR02 | 9.3555 | ![]() | 9256 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR20JR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1V@20A | 250纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 20A | - | |||||||||||||||||||
![]() | S70VR | 10.1310 | ![]() | 8410 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | S70V | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S70VRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.1V@70A | 10μA@100V | -65℃~150℃ | 70A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT40040L | - | ![]() | 6219 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 200A | 600毫伏@200安 | 3毫安@40伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||
S12D | 4.2345 | ![]() | 第1447章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 12A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1183 | 7.4730 | ![]() | 9741 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1183 | 标准 | DO-203AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N1183GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | |||||||||||||||||||
G3R20MT12K | 36.0900 | ![]() | 3655 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | G3R™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-4 | G3R20 | SiCFET(碳化硅) | TO-247-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-G3R20MT12K | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 1200伏 | 128A(温度) | 15V | 24毫欧@60A,15V | 2.69V@15mA | 219nC@15V | ±15V | 5873pF@800V | - | 542W(温度) | |||||||||||||||
![]() | MBR7560R | 21.9195 | ![]() | 8324 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR7560 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR7560RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750毫伏@75安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | 75A | - | |||||||||||||||||||
1N3768 | 6.2320 | ![]() | 6923 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N3768 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1025 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - |
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