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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大)
FST73100M GeneSiC Semiconductor FST73100M -
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ECAD 6895 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3M 肖特基 D61-3M - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100V 35A 840 毫伏 @ 35 安 1毫安@100伏 -55℃~150℃
1N4588 GeneSiC Semiconductor 1N4588 35.5695
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ECAD 3219 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N4588 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N4588GN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 200V 1.5V@150A 9.5毫安@200伏 -60℃~200℃ 150A -
MUR40005CTR GeneSiC Semiconductor MUR40005CTR -
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ECAD 3094 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MUR40005CTRGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 50V 200A 1.3V@125A 90纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MBRF120150 GeneSiC Semiconductor MBRF120150 -
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ECAD 1966年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 60A 880毫伏@60安 1毫安@150伏 -55℃~150℃
FR30BR02 GeneSiC Semiconductor FR30BR02 10.5930
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ECAD 4814 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR30BR02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 1V@30A 200纳秒 50V时为25μA -40℃~125℃ 30A -
MSRT15080AD GeneSiC Semiconductor MSRT15080AD 71.6012
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ECAD 6900 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT150 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 800V 150A 1.1V@150A 800V时为10μA -55℃~150℃
MBR20045CTR GeneSiC Semiconductor MBR20045CTR 90.1380
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ECAD 1612 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR20045 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR20045CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 45V 200A(直流) 650毫伏@100安 5毫安@20伏
1N3890 GeneSiC Semiconductor 1N3890 6.7605
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ECAD 7871 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3890 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N3890GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 1.4V@12A 200纳秒 50V时为25μA -65℃~150℃ 12A -
MBRT50040R GeneSiC Semiconductor MBRT50040R -
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ECAD 9641 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT50040RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 40V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06D 9.7900
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ECAD 695 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-247-3 GD2X SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 1242-GD2X30MPS06D EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 600伏 30A(直流) 0纳秒 175℃
BR62 GeneSiC Semiconductor BR62 1.8200
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ECAD 1 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -65°C ~ 125°C(太焦) 通孔 4方,BR-6 标准 BR-6 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 200 1V@3A 10μA@200V 6A 单相 200V
FST10030 GeneSiC Semiconductor FST10030 65.6445
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ECAD 2996 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FST10030GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 30V 100A 650毫伏@100安 2毫安@20伏
1N3210 GeneSiC Semiconductor 1N3210 9.6500
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ECAD 7 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 柱螺安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N3210 标准 DO-203AB (DO-5) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 200V 1.5V@15A 50V时为10μA -65℃~175℃ 15A -
1N1188A GeneSiC Semiconductor 1N1188A 6.3770
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ECAD 6241 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N1188 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N1188AGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400伏 1.1V@40A 50V时为10μA -65℃~200℃ 40A -
KBU6D GeneSiC Semiconductor KBU6D 1.7600
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ECAD 3 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、KBU KBU6 标准 科布 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 400 1V@6A 10μA@200V 6A 单相 200V
MUR10010CT GeneSiC Semiconductor 穆尔10010CT 75.1110
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ECAD 8480 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯10010 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MUR10010CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100V 50A 1.3V@50A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
S6QR GeneSiC Semiconductor S6QR 3.8625
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ECAD 第1284章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S6Q 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.1V@6A 10μA@100V -65℃~175℃ 6A -
MBRF12040 GeneSiC Semiconductor MBRF12040 -
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ECAD 8447 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 60A 700 毫伏 @ 60 安 1毫安@40伏 -55℃~150℃
FST83100SM GeneSiC Semiconductor FST83100SM -
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ECAD 1711 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3SM 肖特基 D61-3SM 下载 1(无限制) REACH 不出行 FST83100SMGN EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100V 80A(直流) 840毫伏@80安 1.5毫安@20伏 -40℃~175℃
MUR5020R GeneSiC Semiconductor 穆尔5020R 17.8380
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ECAD 2942 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 毛里求斯5020 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔5020RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1V@50A 75纳秒 50V时为10μA -55℃~150℃ 50A -
FR20A02 GeneSiC Semiconductor FR20A02 9.0510
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ECAD 8652 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR20A02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1V@20A 200纳秒 50V时为25μA -40℃~125℃ 20A -
1N6098R GeneSiC Semiconductor 1N6098R 21.5010
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ECAD 4696 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N6098R 肖特基,反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N6098RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 700毫伏@50安 5毫安@30伏 -65℃~150℃ 50A -
FR20JR02 GeneSiC Semiconductor FR20JR02 9.3555
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ECAD 9256 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR20JR02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1V@20A 250纳秒 50V时为25μA -40℃~125℃ 20A -
S70VR GeneSiC Semiconductor S70VR 10.1310
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ECAD 8410 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 S70V 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S70VRGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1400伏 1.1V@70A 10μA@100V -65℃~150℃ 70A -
MBRT40040L GeneSiC Semiconductor MBRT40040L -
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ECAD 6219 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 200A 600毫伏@200安 3毫安@40伏 -55℃~150℃
S12D GeneSiC Semiconductor S12D 4.2345
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ECAD 第1447章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 200V 1.1V@12A 50V时为10μA -65℃~175℃ 12A -
1N1183 GeneSiC Semiconductor 1N1183 7.4730
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ECAD 9741 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N1183 标准 DO-203AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N1183GN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 50V 1.2V@35A 50V时为10μA -65℃~190℃ 35A -
G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K 36.0900
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ECAD 3655 0.00000000 基恩碳化硅半导体 G3R™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-4 G3R20 SiCFET(碳化硅) TO-247-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-G3R20MT12K EAR99 8541.29.0095 30 N沟道 1200伏 128A(温度) 15V 24毫欧@60A,15V 2.69V@15mA 219nC@15V ±15V 5873pF@800V - 542W(温度)
MBR7560R GeneSiC Semiconductor MBR7560R 21.9195
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ECAD 8324 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR7560 肖特基,反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR7560RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 60V 750毫伏@75安 1毫安@60伏 -55℃~150℃ 75A -
1N3768 GeneSiC Semiconductor 1N3768 6.2320
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ECAD 6923 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N3768 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1025 EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1000伏 1.2V@35A 50V时为10μA -65℃~190℃ 35A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库