SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
MBRTA50035R GeneSiC Semiconductor MBRTA50035R -
RFQ
ECAD 9617 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 35 v 250a 700 MV @ 250 A 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
MBR120150CT GeneSiC Semiconductor MBR120150CT -
RFQ
ECAD 9573 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 60a 880 mv @ 60 a 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
S70VR GeneSiC Semiconductor S70VR 10.1310
RFQ
ECAD 8410 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 S70V 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) S70VRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1400 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 70a -
MBRF50060R GeneSiC Semiconductor MBRF50060R -
RFQ
ECAD 4099 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 60 V 250a 780 mv @ 250 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
FR16DR05 GeneSiC Semiconductor FR16DR05 8.5020
RFQ
ECAD 6857 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准,反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR16DR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
FR70KR05 GeneSiC Semiconductor FR70KR05 17.7855
RFQ
ECAD 4229 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR70KR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor MUR20010CTR 101.6625
RFQ
ECAD 2964 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR20010 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1033 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 100 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MUR7060 GeneSiC Semiconductor MUR7060 17.5905
RFQ
ECAD 5311 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR7060GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
GBPC1502T GeneSiC Semiconductor GBPC1502T 2.4180
RFQ
ECAD 1510 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC1502 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
GBPC2504T GeneSiC Semiconductor GBPC2504T 4.2000
RFQ
ECAD 100 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC2504 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 400 V 25 a 单相 400 v
MBR120200CT GeneSiC Semiconductor MBR120200CT -
RFQ
ECAD 9679 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 60a 920 mv @ 60 a 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
FR40M05 GeneSiC Semiconductor FR40M05 12.8985
RFQ
ECAD 4560 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
1N1183R GeneSiC Semiconductor 1N1183R 6.2320
RFQ
ECAD 7189 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N1183R 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1N1183RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
MBR6020R GeneSiC Semiconductor MBR6020R 21.3105
RFQ
ECAD 3641 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 MBR6020 肖特基,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR6020RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 650 mv @ 60 a 5 ma @ 20 V -65°C〜150°C 60a -
MBRT60045 GeneSiC Semiconductor MBRT60045 140.2020
RFQ
ECAD 8840 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT60045GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT40040R GeneSiC Semiconductor MBRT40040R 118.4160
RFQ
ECAD 8525 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT40040 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT40040RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 40 V 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRH12045 GeneSiC Semiconductor MBRH12045 60.0375
RFQ
ECAD 1810 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRH12045GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 650 MV @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
MBRTA40030RL GeneSiC Semiconductor MBRTA40030RL -
RFQ
ECAD 3118 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 30 V 200a 580 mv @ 200 a 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
FR30KR05 GeneSiC Semiconductor FR30KR05 10.5930
RFQ
ECAD 4390 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR30KR05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1 V @ 30 A 500 ns 25 µA @ 800 V -40°C〜125°C 30a -
1N1188R GeneSiC Semiconductor 1N1188R 10.1200
RFQ
ECAD 74 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N1188R 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1094 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
MBR60035CT GeneSiC Semiconductor MBR60035CT 129.3585
RFQ
ECAD 4784 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR60035 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR60035CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MUR2X060A04 GeneSiC Semiconductor MUR2X060A04 47.1200
RFQ
ECAD 38 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MUR2X060 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1310 Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 400 v 60a 1.3 V @ 60 A 75 ns 25 µA @ 400 V -55°C 〜175°C
MBRT60030R GeneSiC Semiconductor MBRT60030R 140.2020
RFQ
ECAD 7277 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT60030 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT60030RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 30 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MUR10060CT GeneSiC Semiconductor mur10060ct -
RFQ
ECAD 9422 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) mur10060ctgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 50a 1.7 V @ 50 A 110 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURTA300120 GeneSiC Semiconductor Murta300120 159.9075
RFQ
ECAD 2294 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 600 v 150a 2.6 V @ 150 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBR60045CT GeneSiC Semiconductor MBR60045CT 129.3585
RFQ
ECAD 9131 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR60045 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR60045CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GD2X100MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS12N 82.9100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 基因半导体 MSP 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GD2X SIC (碳化硅) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-GD2X100MPS12N Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA(IO) 2独立 1200 v 136a(DC) 1.8 V @ 100 A 0 ns 25 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06D 9.7900
RFQ
ECAD 695 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GD2X SIC (碳化硅) TO-247-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-GD2X30MPS06D Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 600 v 30A(DC) 0 ns 175°C
GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252 2.3475
RFQ
ECAD 8544 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 GC05MPS12 SIC (碳化硅) TO-252-2 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 5 A 0 ns 4 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 27a 359pf @ 1V,1MHz
FR6K05 GeneSiC Semiconductor FR6K05 5.0745
RFQ
ECAD 4999 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR6K05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库