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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ （CT） 在sic中停产 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 SIC （碳化硅） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.35 V @ 4 A 0 ns 5 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 11a 186pf @ 1V，1MHz
MURH10010 GeneSiC Semiconductor Murh10010 49.5120
RFQ
 ECAD 9951 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） murh10010gn Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V 100a -
GKN240/14 GeneSiC Semiconductor GKN240/14 59.1766
RFQ
 ECAD 5389 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 GKN240 标准 DO-205AB（DO-9） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.4 V @ 60 A 60 ma @ 1400 V -40°C〜180°C 320a -
FST16060 GeneSiC Semiconductor FST16060 75.1110
RFQ
 ECAD 7797 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST16060GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 160a（DC） 800 mv @ 160 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S6Q GeneSiC Semiconductor S6Q 3.8625
RFQ
 ECAD 6053 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S6QGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214 10.7600
RFQ
 ECAD 1119 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 DO-214AA，SMB GAP3SLT33 SIC （碳化硅） do-214aa 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 没有恢复t> 500mA（IO） 3300 v 2.2 V @ 300 mA 0 ns 10 µA @ 3300 V -55°C 〜175°C 300mA 42pf @ 1V，1MHz
GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H 10.4700
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GD30MPS12H Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1200 v 1.8 V @ 30 A 20 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 55a 1101pf @ 1V，1MHz
FST16035L GeneSiC Semiconductor FST16035L -
RFQ
 ECAD 7782 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 80a 600 mv @ 80 a 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
MURF30005R GeneSiC Semiconductor Murf30005r -
RFQ
 ECAD 2520 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对公共阳极 50 V 150a 1 V @ 150 A 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MURH10060R GeneSiC Semiconductor Murh10060r 49.5120
RFQ
 ECAD 5768 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 Murh10060 标准，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Murh10060RGN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.7 V @ 100 A 110 ns 25 µA @ 600 V 100a -
FR12G05 GeneSiC Semiconductor FR12G05 6.7605
RFQ
 ECAD 4903 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 800 mv @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
GB20SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247 -
RFQ
 ECAD 1966年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 通过洞 TO-247-2 GB20SLT12 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 2 V @ 20 A 0 ns 200 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 20a 968pf @ 1V，1MHz
GKN130/08 GeneSiC Semiconductor GKN130/08 35.0777
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKN130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 800 V -40°C〜180°C 165a -
MBRF120100R GeneSiC Semiconductor MBRF120100R -
RFQ
 ECAD 3387 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 60a 840 mv @ 60 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
1N1199AR GeneSiC Semiconductor 1N1199AR 4.2345
RFQ
 ECAD 2646 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N1199AR 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1028 Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 50 V 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
MBR3520R GeneSiC Semiconductor MBR3520R 15.1785
RFQ
 ECAD 4876 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 MBR3520 肖特基，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR3520RGN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 680 mv @ 35 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 35a -
MUR7005R GeneSiC Semiconductor MUR7005R 17.7855
RFQ
 ECAD 3629 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MUR7005 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR7005RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C 70a -
1N1206AR GeneSiC Semiconductor 1N1206AR 4.2345
RFQ
 ECAD 6866 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N1206AR 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1012 Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
MBRH20040RL GeneSiC Semiconductor MBRH20040RL -
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67半粉 肖特基，反极性 D-67 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 600 mV @ 200 A 5 ma @ 40 V 200a -
MBRTA60045 GeneSiC Semiconductor MBRTA60045 -
RFQ
 ECAD 3977 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 300A 700 MV @ 300 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
S70D GeneSiC Semiconductor S70D 9.8985
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70DGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
KBU8M GeneSiC Semiconductor kbu8m 1.8200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbu KBU8 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 A 10 µA @ 1000 V 8 a 单相 1 kV
S400Y GeneSiC Semiconductor S400Y 92.3505
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S400 标准 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S400YGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.2 V @ 400 A 10 µA @ 50 V -60°C 〜200°C 400a -
FR12D02 GeneSiC Semiconductor FR12D02 8.2245
RFQ
 ECAD 8248 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12D02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 800 mv @ 12 a 200 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
MBRT12040 GeneSiC Semiconductor MBRT12040 75.1110
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT12040GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 60a 750 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GBL02 GeneSiC Semiconductor GBL02 2.9400
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，gbl 标准 GBL 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 200 V 4 a 单相 200 v
MSRT200100D GeneSiC Semiconductor MSRT200100D 110.1030
RFQ
 ECAD 9867 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT200100D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1000 v 200a 1.2 V @ 200 A 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C
MBR30080CT GeneSiC Semiconductor MBR30080CT 94.5030
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30080 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR30080CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 150a 840 mv @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FST10030 GeneSiC Semiconductor FST10030 65.6445
RFQ
 ECAD 2996 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST10030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 100a 650 MV @ 100 A 2 ma @ 20 V
MBR60030CTR GeneSiC Semiconductor MBR60030CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 3746 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR60030 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR60030CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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