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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大)
MUR40005CTR GeneSiC Semiconductor MUR40005CTR -
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ECAD 3094 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MUR40005CTRGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 50V 200A 1.3V@125A 90纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 -
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ECAD 5630 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 - GA10JT12 SiC(碳化硅结晶体管) - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 50 - 1200伏 25A(温度) - 120毫欧@10A - - 800V时为1403pF - 170W(温度)
MBRF50020 GeneSiC Semiconductor MBRF50020 -
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ECAD 8795 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 20V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
MBRF120150 GeneSiC Semiconductor MBRF120150 -
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ECAD 1966年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 60A 880毫伏@60安 1毫安@150伏 -55℃~150℃
FR30BR02 GeneSiC Semiconductor FR30BR02 10.5930
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ECAD 4814 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR30BR02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 1V@30A 200纳秒 50V时为25μA -40℃~125℃ 30A -
MSRT15080AD GeneSiC Semiconductor MSRT15080AD 71.6012
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ECAD 6900 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT150 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 800V 150A 1.1V@150A 800V时为10μA -55℃~150℃
MBR20045CTR GeneSiC Semiconductor MBR20045CTR 90.1380
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ECAD 1612 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR20045 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR20045CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 45V 200A(直流) 650毫伏@100安 5毫安@20伏
1N6098R GeneSiC Semiconductor 1N6098R 21.5010
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ECAD 4696 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N6098R 肖特基,反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N6098RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 700毫伏@50安 5毫安@30伏 -65℃~150℃ 50A -
MBR2X120A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A100 51.8535
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ECAD 3033 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 MBR2X120 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 100V 120A 840毫伏@120安 1毫安@100伏 -40℃~150℃
MUR10010CT GeneSiC Semiconductor 穆尔10010CT 75.1110
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ECAD 8480 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯10010 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MUR10010CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100V 50A 1.3V@50A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
MUR5020R GeneSiC Semiconductor 穆尔5020R 17.8380
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ECAD 2942 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 毛里求斯5020 标准,反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 穆尔5020RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1V@50A 75纳秒 50V时为10μA -55℃~150℃ 50A -
MBR2X050A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A120 43.6545
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ECAD 1366 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 MBR2X050 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 120V 50A 880毫伏@50安 3毫安@120伏 -40℃~150℃
GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263 36.7400
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ECAD 4850 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 的积极 175°C(太焦) 表面贴装 TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA GA20JT12 SiC(碳化硅结晶体管) TO-263-7 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 50 - 1200伏 45A(温度) - 60毫欧@20A - - 800V时为3091pF - 282W(温度)
MBRF12040 GeneSiC Semiconductor MBRF12040 -
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ECAD 8447 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 60A 700 毫伏 @ 60 安 1毫安@40伏 -55℃~150℃
S6QR GeneSiC Semiconductor S6QR 3.8625
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ECAD 第1284章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 S6Q 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.1V@6A 10μA@100V -65℃~175℃ 6A -
FR20A02 GeneSiC Semiconductor FR20A02 9.0510
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ECAD 8652 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR20A02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1V@20A 200纳秒 50V时为25μA -40℃~125℃ 20A -
MBRT50030R GeneSiC Semiconductor MBRT50030R -
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ECAD 9524 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBRT50030RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 30V 250A 750毫伏@250安 1毫安@20伏 -55℃~150℃
GBU6M GeneSiC Semiconductor GBU6M 0.5385
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ECAD 9765 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-SIP、GBU GBU6 标准 GBU 下载 符合RoHS标准 1(无限制) GBU6MGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1V@6A 1000V时为5μA 6A 单相 1kV
MBRTA80045 GeneSiC Semiconductor MBRTA80045 -
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ECAD 2156 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 45V 400A 720 毫伏 @ 400 安 1毫安@45伏 -55℃~150℃
MBRF30080R GeneSiC Semiconductor MBRF30080R -
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ECAD 6743 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB MBRF3008 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 80V 150A 840毫伏@150安 1毫安@80伏 -55℃~150℃
FR12D02 GeneSiC Semiconductor FR12D02 8.2245
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ECAD 8248 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR12D02GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 800毫伏@12安 200纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 12A -
MBRF12035R GeneSiC Semiconductor MBRF12035R -
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ECAD 4524 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 35V 60A 700 毫伏 @ 60 安 1毫安@35伏 -55℃~150℃
FR40G02 GeneSiC Semiconductor FR40G02 16.1200
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ECAD 406 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1242-1063 EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400伏 1V@40A 200纳秒 100V时为25μA -40℃~125℃ 40A -
1N4593 GeneSiC Semiconductor 1N4593 35.5695
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ECAD 8887 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N4593 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1N4593GN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.5V@150A 5.5毫安@800伏 -60℃~200℃ 150A -
MUR2X120A12 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A12 51.8535
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ECAD 7352 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 穆尔2X120 标准 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 52 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 2 独立 1200伏 120A 2.35V@120A 1200V时为25μA -55℃~175℃
S16M GeneSiC Semiconductor S16M 4.5900
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ECAD 4308 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) S16MGN EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1000伏 1.1V@16A 50V时为10μA -65℃~175℃ 16A -
MSRT20060AD GeneSiC Semiconductor MSRT20060AD 80.4872
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ECAD 7515 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT200 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对中央 600伏 200A 1.1V@200A 600V时为10μA -55℃~150℃
FST12040 GeneSiC Semiconductor FST12040 70.4280
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ECAD 2307 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FST12040GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 120A(直流) 650毫伏@120安 2毫安@20伏 -55℃~150℃
MBR7545 GeneSiC Semiconductor MBR7545 20.8845
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ECAD 9676 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR7545 肖特基 溶解O 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MBR7545GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 45V 650毫伏@75安 1毫安@45伏 -55℃~150℃ 75A -
MURF10040R GeneSiC Semiconductor 穆尔夫10040R -
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ECAD 2115 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 标准 TO-244AB - 1(无限制) 穆尔夫10040RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 400伏 50A 1.3V@50A 75纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库