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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MUR40005CTR | - | ![]() | 3094 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR40005CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 50V | 200A | 1.3V@125A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||
![]() | GA10JT12-263 | - | ![]() | 5630 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 175°C(太焦) | 表面贴装 | - | GA10JT12 | SiC(碳化硅结晶体管) | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 1200伏 | 25A(温度) | - | 120毫欧@10A | - | - | 800V时为1403pF | - | 170W(温度) | ||||||||||||||
![]() | MBRF50020 | - | ![]() | 8795 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 20V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF120150 | - | ![]() | 1966年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 60A | 880毫伏@60安 | 1毫安@150伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | FR30BR02 | 10.5930 | ![]() | 4814 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR30BR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1V@30A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 30A | - | |||||||||||||||||
![]() | MSRT15080AD | 71.6012 | ![]() | 6900 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT150 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 800V | 150A | 1.1V@150A | 800V时为10μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBR20045CTR | 90.1380 | ![]() | 1612 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR20045 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR20045CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 200A(直流) | 650毫伏@100安 | 5毫安@20伏 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N6098R | 21.5010 | ![]() | 4696 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N6098R | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N6098RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 700毫伏@50安 | 5毫安@30伏 | -65℃~150℃ | 50A | - | |||||||||||||||||
![]() | MBR2X120A100 | 51.8535 | ![]() | 3033 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X120 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 100V | 120A | 840毫伏@120安 | 1毫安@100伏 | -40℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | 穆尔10010CT | 75.1110 | ![]() | 8480 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | 毛里求斯10010 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR10010CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||
![]() | 穆尔5020R | 17.8380 | ![]() | 2942 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 毛里求斯5020 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔5020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@50A | 75纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 50A | - | ||||||||||||||||
![]() | MBR2X050A120 | 43.6545 | ![]() | 1366 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 120V | 50A | 880毫伏@50安 | 3毫安@120伏 | -40℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | GA20JT12-263 | 36.7400 | ![]() | 4850 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 的积极 | 175°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | GA20JT12 | SiC(碳化硅结晶体管) | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 1200伏 | 45A(温度) | - | 60毫欧@20A | - | - | 800V时为3091pF | - | 282W(温度) | ||||||||||||||
![]() | MBRF12040 | - | ![]() | 8447 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 60A | 700 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@40伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | S6QR | 3.8625 | ![]() | 第1284章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | S6Q | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.1V@6A | 10μA@100V | -65℃~175℃ | 6A | - | ||||||||||||||||||
![]() | FR20A02 | 9.0510 | ![]() | 8652 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR20A02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1V@20A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -40℃~125℃ | 20A | - | |||||||||||||||||
![]() | MBRT50030R | - | ![]() | 9524 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT50030RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 250A | 750毫伏@250安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | GBU6M | 0.5385 | ![]() | 9765 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU6 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU6MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@6A | 1000V时为5μA | 6A | 单相 | 1kV | ||||||||||||||||||
![]() | MBRTA80045 | - | ![]() | 2156 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 400A | 720 毫伏 @ 400 安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF30080R | - | ![]() | 6743 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | MBRF3008 | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 80V | 150A | 840毫伏@150安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | FR12D02 | 8.2245 | ![]() | 8248 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR12D02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 800毫伏@12安 | 200纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | |||||||||||||||||
![]() | MBRF12035R | - | ![]() | 4524 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 60A | 700 毫伏 @ 60 安 | 1毫安@35伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
FR40G02 | 16.1200 | ![]() | 406 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1063 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 1V@40A | 200纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 40A | - | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4593 | 35.5695 | ![]() | 8887 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N4593 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N4593GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.5V@150A | 5.5毫安@800伏 | -60℃~200℃ | 150A | - | |||||||||||||||||
![]() | MUR2X120A12 | 51.8535 | ![]() | 7352 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | 穆尔2X120 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 2 独立 | 1200伏 | 120A | 2.35V@120A | 1200V时为25μA | -55℃~175℃ | ||||||||||||||||||
![]() | S16M | 4.5900 | ![]() | 4308 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S16MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@16A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 16A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSRT20060AD | 80.4872 | ![]() | 7515 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT200 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 600伏 | 200A | 1.1V@200A | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | FST12040 | 70.4280 | ![]() | 2307 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FST12040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 120A(直流) | 650毫伏@120安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBR7545 | 20.8845 | ![]() | 9676 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR7545 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR7545GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 650毫伏@75安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | 75A | - | |||||||||||||||||
![]() | 穆尔夫10040R | - | ![]() | 2115 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 标准 | TO-244AB | - | 1(无限制) | 穆尔夫10040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 400伏 | 50A | 1.3V@50A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ |
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