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分立半导体产品(2160)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr、F 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大）
MBRF200150R GeneSiC Semiconductor MBRF200150R -
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 ECAD 8632 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 150伏 100A 880 毫伏 @ 100 安 1毫安@150伏 -55℃～150℃
S300E GeneSiC Semiconductor S300E 63.8625
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 ECAD 8223 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 S300 标准 DO-205AB (DO-9) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S300EGN EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 300伏 1.2V@300A 10μA@100V -60℃～200℃ 300A -
MBRT30045R GeneSiC Semiconductor MBRT30045R 107.3070
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 ECAD 5209 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT30045 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1073 EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 45V 150A 750毫伏@150安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MSRTA30080A GeneSiC Semiconductor MSRTA30080A 56.2380
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 ECAD 1863年 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRTA300 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 800V 300A（直流） 1.2V@300A 25μA@200V -55℃～150℃
MSRT100140AD GeneSiC Semiconductor MSRT100140AD 54.0272
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 ECAD 4745 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 微软RT100 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 1400伏 100A 1.1V@100A 10μA@1400V -55℃～150℃
MURT20005R GeneSiC Semiconductor MURT20005R -
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 ECAD 4263 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MURT20005RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 50V 100A 1.3V@100A 75纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
1N5830R GeneSiC Semiconductor 1N5830R 14.8695
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 ECAD 5324 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N5830R 肖特基，反 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N5830RGN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 25V 580毫伏@25安 2毫安@20伏 -55℃～150℃ 25A -
MUR30005CTR GeneSiC Semiconductor MUR30005CTR -
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 ECAD 3402 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MUR30005CTRGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 50V 150A 1.3V@100A 90纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
KBP204 GeneSiC Semiconductor KBP204 0.3750
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 ECAD 8785 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -50°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP、KBP 标准 钾BP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） KBP204GN EAR99 8541.10.0080 2,000 1.1V@2A 50V时为10μA 2A 单相 400V
MURT30010R GeneSiC Semiconductor MURT30010R 118.4160
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 ECAD 4161 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MURT30010 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MURT30010RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 100V 150A 1.3V@150A 100纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MUR7060 GeneSiC Semiconductor 毛里求斯7060 17.5905
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 ECAD 5311 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 穆尔7060GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 600伏 1.7V@70A 75纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃ 70A -
MUR2X060A02 GeneSiC Semiconductor MUR2X060A02 47.1200
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 ECAD 6244 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4，迷你块 穆尔2X060 标准 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1309 EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 2 独立 200V 60A 1V@60A 75纳秒 25μA@200V -55℃～175℃
MBRF20080R GeneSiC Semiconductor MBRF20080R -
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 ECAD 8971 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 80V 100A 840 毫伏 @ 100 安 1毫安@80伏 -55℃～150℃
MSRT150160D GeneSiC Semiconductor MSRT150160D 98.8155
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 ECAD 8169 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT150 标准 三塔 下载 符合ROHS3标准 1242-MSRT150160D EAR99 8541.10.0080 40 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 1600伏 150A 1.1V@150A 10μA@1600V -55℃～150℃
GKN26/14 GeneSiC Semiconductor GKN26/14 -
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 ECAD 2241 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 5 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1400伏 1.55V@60A 4毫安@1400伏 -40℃～180℃ 25A -
MBRF60030R GeneSiC Semiconductor MBRF60030R -
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 ECAD 1325 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 30V 300A（直流） 650毫伏@300安 10毫安@20伏 -40℃～175℃
MBRH240200R GeneSiC Semiconductor MBRH240200R 76.4925
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 ECAD 2704 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 MBRH240200 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 920毫伏@240安 1毫安@200伏 -55℃～150℃ 240A -
FR70JR05 GeneSiC Semiconductor FR70JR05 17.7855
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 ECAD 4229 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR70JR05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 600伏 1.4V@70A 500纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 70A -
MBRT300200R GeneSiC Semiconductor MBRT300200R 107.3070
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 ECAD 8196 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT300200 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 200V 150A 920毫伏@150安 1毫安@200伏 -55℃～150℃
MBRH20040RL GeneSiC Semiconductor MBRH20040RL -
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 ECAD 5433 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D-67 半包 肖特基，反 D-67 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 600毫伏@200安 5毫安@40伏 200A -
MSRT150140D GeneSiC Semiconductor MSRT150140D 98.8155
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 ECAD 9637 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT150 标准 三塔 下载 符合ROHS3标准 1242-MSRT150140D EAR99 8541.10.0080 40 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 1400伏 150A 1.1V@150A 10μA@1400V -55℃～150℃
MBR2X050A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A080 43.6545
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 ECAD 5522 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4，迷你块 MBR2X050 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 2 独立 80V 50A 840 毫伏 @ 50 安 1毫安@80伏 -40℃～150℃
MBR2X080A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A045 53.8500
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 ECAD 158 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4，迷你块 MBR2X080 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1301 EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 2 独立 45V 80A 700毫伏@80安 1毫安@45伏 -40℃～150℃
1N4588 GeneSiC Semiconductor 1N4588 35.5695
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 ECAD 3219 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N4588 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N4588GN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 200V 1.5V@150A 9.5毫安@200伏 -60℃～200℃ 150A -
GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247 -
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 ECAD 6000 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 过时的 通孔 TO-247-2 GB05MPS17 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 1242-1342 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1700伏 1.8V@5A 0纳秒 1700V时为6μA -55℃～175℃ 25A 334pF@1V、1MHz
MBR60030CTR GeneSiC Semiconductor MBR60030CTR 129.3585
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 ECAD 3746 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR60030 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR60030CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 30V 300A 750毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRH20045R GeneSiC Semiconductor MBRH20045R 75.0900
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 ECAD 3 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 MBRH20045 肖特基，反 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1061 EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 45V 700毫伏@200安 1毫安@45伏 -55℃～150℃ 200A -
MBR2X160A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A150 59.6700
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 ECAD 6381 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4，迷你块 MBR2X160 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 2 独立 150伏 160A 880毫伏@160安 3毫安@150伏 -40℃～150℃
1N2130A GeneSiC Semiconductor 1N2130A 8.9025
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 ECAD 2480 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N2130 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1093 EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 150伏 1.1V@60A 50V时为10μA -65℃～200℃ 60A -
1N4592R GeneSiC Semiconductor 1N4592R 35.5695
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 ECAD 6078 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N4592R 标准，反脊柱 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N4592RGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 600伏 1.5V@150A 6.5毫安@600伏 -60℃～200℃ 150A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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