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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MBR60045CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60045CTRL -
RFQ
 ECAD 5064 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 300A 600 MV @ 300 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
GBJ35B GeneSiC Semiconductor GBJ35B 1.6410
RFQ
 ECAD 1019 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ35 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ35B Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 100 V 35 a 单相 100 v
MBRTA500200 GeneSiC Semiconductor MBRTA500200 -
RFQ
 ECAD 6348 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 250a 920 MV @ 250 A 4 mA @ 200 V -55°C〜150°C
FST10035 GeneSiC Semiconductor FST10035 65.6445
RFQ
 ECAD 9828 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST10035GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 100a 650 MV @ 100 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR40045CTR GeneSiC Semiconductor MBR40045CTR 98.8155
RFQ
 ECAD 6210 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40045 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR40045CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S12D GeneSiC Semiconductor S12D 4.2345
RFQ
 ECAD 1447 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
1N3293A GeneSiC Semiconductor 1N3293A 33.5805
RFQ
 ECAD 2493 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N3293 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3293AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.5 V @ 100 A 17 ma @ 600 V -40°C 200°C 100a -
MSRT25080A GeneSiC Semiconductor MSRT25080A 54.2296
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT25080 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 800 v 250a（DC） 1.2 V @ 250 A 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBRH12020 GeneSiC Semiconductor MBRH12020 60.0375
RFQ
 ECAD 5487 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRH12020GN Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 650 MV @ 120 A 4 mA @ 20 V 120a -
FST8360SM GeneSiC Semiconductor FST8360SM -
RFQ
 ECAD 2491 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3SM 肖特基 D61-3SM 下载 （1 （无限） 到达不受影响 FST8360SMGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 80A（DC） 750 MV @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-220 -
RFQ
 ECAD 3082 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 GB02SLT12 SIC （碳化硅） TO-220-2 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 2a 138pf @ 1V，1MHz
MURF30040R GeneSiC Semiconductor murf30040r -
RFQ
 ECAD 6740 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 400 v 150a 1.3 V @ 150 A 110 ns 25 µA @ 400 V -55°C〜150°C
1N1204A GeneSiC Semiconductor 1N1204A 4.2345
RFQ
 ECAD 3708 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N1204 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1026 Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
MBRF300200R GeneSiC Semiconductor MBRF300200R -
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB MBRF3002 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 150a 920 MV @ 150 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
MBR30080CTR GeneSiC Semiconductor MBR30080CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30080 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR30080CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 150a 840 mv @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N8033-GA GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA -
RFQ
 ECAD 9724 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 表面安装 TO-276AA 1N8033 SIC （碳化硅） TO-276 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.65 V @ 5 A 0 ns 5 µA @ 650 V -55°C〜250°C 4.3a 274pf @ 1V，1MHz
GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A 8.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 GD20 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 （1 （无限） 1242-GD20MPS12A Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 20 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 42a 737pf @ 1V，1MHz
GKN130/18 GeneSiC Semiconductor GKN130/18 35.5490
RFQ
 ECAD 9985 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKN130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1800 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1800 V -55°C〜150°C 165a -
FR30BR02 GeneSiC Semiconductor FR30BR02 10.5930
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR30BR02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
GB20SLT12-247D GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247D -
RFQ
 ECAD 5669 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 SIC （碳化硅） TO-247 - （1 （无限） 1242-1316 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 1200 v 25a 1.8 V @ 10 A 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
S70VR GeneSiC Semiconductor S70VR 10.1310
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S70V 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70VRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1400 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 70a -
MBRH240200 GeneSiC Semiconductor MBRH240200 76.4925
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 920 MV @ 240 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C 240a -
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor MBR200150CT 90.1380
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR200150 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 100a 880 mv @ 100 a 3 ma @ 150 V -55°C〜150°C
FR6M05 GeneSiC Semiconductor FR6M05 5.0745
RFQ
 ECAD 8511 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6M05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MSRT200160AD GeneSiC Semiconductor MSRT200160AD 80.4872
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 1600 V -55°C〜150°C
MURF10005 GeneSiC Semiconductor Murf10005 -
RFQ
 ECAD 2925 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - （1 （无限） murf10005gn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
S12G GeneSiC Semiconductor S12G 4.2345
RFQ
 ECAD 4684 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S12GGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
1N2138AR GeneSiC Semiconductor 1N2138AR 11.7300
RFQ
 ECAD 179 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N2138AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1072 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor MBR200150CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 1591年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR200150 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 150 v 100a 880 mv @ 100 a 3 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MSRTA30080A GeneSiC Semiconductor MSRTA30080A 56.2380
RFQ
 ECAD 1863年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA300 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 300A（DC） 1.2 V @ 300 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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