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分立半导体产品(2160)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） Rds On（最大）@Id、Vgs Vgs(th)（顶部）@Id Vgs（最大） 输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds 场效应管特性 消耗（最大） 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大）
1N1199AR GeneSiC Semiconductor 1N1199AR 4.2345
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 ECAD 2646 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N1199AR 标准，反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1028 EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 50V 1.1V@12A 50V时为10μA -65℃～200℃ 12A -
MBRF20045R GeneSiC Semiconductor MBRF20045R -
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 ECAD 9838 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 45V 100A 700毫伏@100安 1毫安@45伏 -55℃～150℃
GBPC5001W GeneSiC Semiconductor GBPC5001W 4.0155
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 ECAD 7784 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4方，GBPC-W GBPC5001 标准 GBPC-W 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 1.2V@25A 100V时为5μA 50A 单相 100V
MBRT40040R GeneSiC Semiconductor MBRT40040R 118.4160
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 ECAD 8525 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT40040 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT40040RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 40V 200A 750 毫伏 @ 200 安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MURH10010 GeneSiC Semiconductor 穆尔赫10010 49.5120
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 ECAD 9951 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 标准 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 穆尔赫10010GN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100V 1.3V@100A 75纳秒 50V时为25μA 100A -
GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H 10.4700
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 ECAD 980 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 1242-GD30MPS12H EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1200伏 1.8V@30A 1200V时为20μA -55℃～175℃ 55A 1101pF@1V、1MHz
MBRT40060 GeneSiC Semiconductor MBRT40060 118.4160
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 ECAD 3228 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT40060GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 60V 200A 800毫伏@200安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MSRT15080A GeneSiC Semiconductor MSRT15080A 38.5632
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 ECAD 6133 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT150 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对共轴线 800V 150A 1.2V@150A 600V时为10μA -55℃～150℃
FST8380M GeneSiC Semiconductor FST8380M -
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 ECAD 2519 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 D61-3M 肖特基 D61-3M 下载 1（无限制） FST8380MGN EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 80V 80A（直流） 840毫伏@80安 1.5毫安@20伏 -55℃～150℃
GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46 -
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 ECAD 7264 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -55°C ~ 225°C（太焦） 通孔 TO-46-3 SiC（碳化硅结晶体管） TO-46 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1251 EAR99 8541.29.0095 200 - 100V 9A（温度） - 240毫欧@5A - - - 20W（温度）
GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A 8.4800
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 ECAD 1 0.00000000 基恩碳化硅半导体 SiC 肖特基 MPS™ 管子 的积极 通孔 TO-220-2 GD20 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2 下载 1（无限制） 1242-GD20MPS12A EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@20A 0纳秒 10μA@1200V -55℃～175℃ 42A 737pF @ 1V、1MHz
MUR40005CT GeneSiC Semiconductor MUR40005CT -
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 ECAD 2519 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 双塔 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MUR40005CTGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 50V 200A 1.3V@125A 90纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MBR40080CT GeneSiC Semiconductor MBR40080CT 98.8155
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 ECAD 第1784章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR40080 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR40080CTGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 80V 200A 840 毫伏 @ 200 安 5毫安@20伏 -55℃～150℃
2N7639-GA GeneSiC Semiconductor 2N7639-GA -
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 ECAD 7360 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -55°C ~ 225°C（太焦） 通孔 TO-257-3 SiC（碳化硅结晶体管） TO-257 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） 1242-1150 EAR99 8541.29.0095 10 - 650伏 15A（温度）（155°C） - 105毫欧@15A - - 1534pF@35V - 172W（温度）
MURT40005R GeneSiC Semiconductor MURT40005R -
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 ECAD 3577 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MURT40005RGN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 50V 200A 1.3V@200A 125纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
KBJ404G GeneSiC Semiconductor KBJ404G 0.5160
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 ECAD 第1782章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP、KBJ KBJ404 标准 KBJ 下载 符合RoHS标准 1（无限制） KBJ404GGN EAR99 8541.10.0080 250 1.1V@4A 5μA@400V 4A 单相 400伏
1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA -
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 ECAD 6268 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 通孔 TO-257-3 1N8032 SiC（碳化硅）肖特基 TO-257 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.3V@2.5A 0纳秒 5μA@650V -55℃～250℃ 2.5A 274pF@1V、1MHz
MBRT12080 GeneSiC Semiconductor MBRT12080 75.1110
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 ECAD 5417 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT12080GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 80V 60A 880毫伏@60安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRTA60060 GeneSiC Semiconductor MBRTA60060 -
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 ECAD 2546 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 60V 300A 750毫伏@300安 1毫安@60伏 -55℃～150℃
MSRTA200140AD GeneSiC Semiconductor MSRTA200140AD 85.9072
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 ECAD 3875 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRTA200 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 1400伏 200A 1.1V@200A 10μA@1400V -55℃～150℃
1N1200A GeneSiC Semiconductor 1N1200A 6.3300
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 ECAD 1 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N1200 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1065 EAR99 8541.10.0080 250 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 100V 1.1V@12A 50V时为10μA -65℃～200℃ 12A -
MBRF30030R GeneSiC Semiconductor MBRF30030R -
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 ECAD 5710 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB MBRF3003 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 30V 150A 700毫伏@150安 1毫安@30伏 -55℃～150℃
FR70G05 GeneSiC Semiconductor FR70G05 17.5905
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 ECAD 3917 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR70G05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400伏 1.4V@70A 500纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 70A -
MSRTA400120A GeneSiC Semiconductor MSRTA400120A 60.2552
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 ECAD 2269 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRTA400120 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对共轴线 1200伏 400A（直流） 1.2V@400A 600V时为25μA -55℃～150℃
1N3892 GeneSiC Semiconductor 1N3892 9.3000
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 ECAD 第652章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 1N3892 标准 DO-4 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1035 EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400伏 1.4V@12A 200纳秒 50V时为25μA -65℃～150℃ 12A -
KBU8A GeneSiC Semiconductor KBU8A -
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 ECAD 3434 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP、KBU 标准 科布 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 300 1V@8A 50V时为10μA 8A 单相 50V
MUR7010 GeneSiC Semiconductor 穆尔7010 17.5905
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 ECAD 4310 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 穆尔7010GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100V 1V@70A 75纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃ 70A -
MBRF30040 GeneSiC Semiconductor MBRF30040 -
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 ECAD 7258 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB MBRF3004 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 40V 150A 700毫伏@150安 1毫安@40伏 -55℃～150℃
1N3294A GeneSiC Semiconductor 1N3294A 33.5805
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 ECAD 6744 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N3294 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N3294AGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 800V 1.5V@100A 13毫安@800伏 -40℃～200℃ 100A -
S150QR GeneSiC Semiconductor S150QR 35.5695
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 ECAD 第1469章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 S150 标准，反脊柱 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1200伏 1.2V@150A 600V时为10μA -65℃～200℃ 150A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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    智能仓库

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196-LFBGA 裸露焊盘

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