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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N1199AR | 4.2345 | ![]() | 2646 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N1199AR | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1028 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRF20045R | - | ![]() | 9838 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 100A | 700毫伏@100安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | GBPC5001W | 4.0155 | ![]() | 7784 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC-W | GBPC5001 | 标准 | GBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2V@25A | 100V时为5μA | 50A | 单相 | 100V | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT40040R | 118.4160 | ![]() | 8525 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MBRT40040 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT40040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 40V | 200A | 750 毫伏 @ 200 安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | 穆尔赫10010 | 49.5120 | ![]() | 9951 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔赫10010GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.3V@100A | 75纳秒 | 50V时为25μA | 100A | - | |||||||||||||||||||
![]() | GD30MPS12H | 10.4700 | ![]() | 980 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1242-GD30MPS12H | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1200伏 | 1.8V@30A | 1200V时为20μA | -55℃~175℃ | 55A | 1101pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MBRT40060 | 118.4160 | ![]() | 3228 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT40060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 200A | 800毫伏@200安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MSRT15080A | 38.5632 | ![]() | 6133 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT150 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 800V | 150A | 1.2V@150A | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | FST8380M | - | ![]() | 2519 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | 下载 | 1(无限制) | FST8380MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 80A(直流) | 840毫伏@80安 | 1.5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
GA05JT01-46 | - | ![]() | 7264 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 225°C(太焦) | 通孔 | TO-46-3 | SiC(碳化硅结晶体管) | TO-46 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1251 | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | - | 100V | 9A(温度) | - | 240毫欧@5A | - | - | - | 20W(温度) | |||||||||||||||||
![]() | GD20MPS12A | 8.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | GD20 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 1(无限制) | 1242-GD20MPS12A | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@20A | 0纳秒 | 10μA@1200V | -55℃~175℃ | 42A | 737pF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MUR40005CT | - | ![]() | 2519 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 标准 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MUR40005CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 50V | 200A | 1.3V@125A | 90纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | MBR40080CT | 98.8155 | ![]() | 第1784章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 双塔 | MBR40080 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR40080CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 200A | 840 毫伏 @ 200 安 | 5毫安@20伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | 2N7639-GA | - | ![]() | 7360 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 225°C(太焦) | 通孔 | TO-257-3 | SiC(碳化硅结晶体管) | TO-257 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 1242-1150 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | - | 650伏 | 15A(温度)(155°C) | - | 105毫欧@15A | - | - | 1534pF@35V | - | 172W(温度) | |||||||||||||||
![]() | MURT40005R | - | ![]() | 3577 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MURT40005RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 50V | 200A | 1.3V@200A | 125纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||
![]() | KBJ404G | 0.5160 | ![]() | 第1782章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBJ | KBJ404 | 标准 | KBJ | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBJ404GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1V@4A | 5μA@400V | 4A | 单相 | 400伏 | |||||||||||||||||||
1N8032-GA | - | ![]() | 6268 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-257-3 | 1N8032 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-257 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.3V@2.5A | 0纳秒 | 5μA@650V | -55℃~250℃ | 2.5A | 274pF@1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT12080 | 75.1110 | ![]() | 5417 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBRT12080GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 80V | 60A | 880毫伏@60安 | 1毫安@20伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | MBRTA60060 | - | ![]() | 2546 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 三塔 | 肖特基 | 三塔 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 300A | 750毫伏@300安 | 1毫安@60伏 | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | MSRTA200140AD | 85.9072 | ![]() | 3875 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA200 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1400伏 | 200A | 1.1V@200A | 10μA@1400V | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
1N1200A | 6.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N1200 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1065 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF30030R | - | ![]() | 5710 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | MBRF3003 | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 30V | 150A | 700毫伏@150安 | 1毫安@30伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | FR70G05 | 17.5905 | ![]() | 3917 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR70G05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 1.4V@70A | 500纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 70A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSRTA400120A | 60.2552 | ![]() | 2269 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA400120 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 400A(直流) | 1.2V@400A | 600V时为25μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||||||
![]() | 1N3892 | 9.3000 | ![]() | 第652章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3892 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1035 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400伏 | 1.4V@12A | 200纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | |||||||||||||||||
KBU8A | - | ![]() | 3434 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBU | 标准 | 科布 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 300 | 1V@8A | 50V时为10μA | 8A | 单相 | 50V | |||||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔7010 | 17.5905 | ![]() | 4310 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 穆尔7010GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1V@70A | 75纳秒 | 50V时为25μA | -55℃~150℃ | 70A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRF30040 | - | ![]() | 7258 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | MBRF3004 | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 40V | 150A | 700毫伏@150安 | 1毫安@40伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N3294A | 33.5805 | ![]() | 6744 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3294 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3294AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.5V@100A | 13毫安@800伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | ||||||||||||||||||
S150QR | 35.5695 | ![]() | 第1469章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | S150 | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.2V@150A | 600V时为10μA | -65℃~200℃ | 150A | - |
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