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离散半导体产品（（2160）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包装	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
MBR8040R	1985年2月22日	RFQ	8534	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	MBR8040	肖特基，反极性		do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR8040RGN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）							40 V		750 MV @ 80 A		1 mA @ 35 V	-55°C〜150°C	80a	-
mur10005ct	-	RFQ	5416	基因半导体	-	批量	过时的		底盘安装	双子塔		标准		双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		mur10005ctgn	Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）						1对普通阴极	50 V	50a	1.3 V @ 50 A	75 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
MBR6030R	21.3105	RFQ	4745	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	MBR6030	肖特基，反极性		do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR6030RGN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）							30 V		650 mv @ 60 a		5 ma @ 20 V	-65°C〜150°C	60a	-
MUR20040CT	101.6625	RFQ	6926	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MUR20040	标准		双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MUR20040CTGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）						1对普通阴极	400 v	100a	1.3 V @ 50 A	90 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
S12K	4.2345	RFQ	2809	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		S12KGN	Ear99	8541.10.0080	250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）							800 v		1.1 V @ 12 A		10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	12a	-
GB02SHT06-46	52.4500	RFQ	8029	基因半导体	-	大部分	积极的		通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	GB02SHT06	SIC （碳化硅）		TO-46	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1256	Ear99	8541.10.0080	200	没有恢复t> 500mA（IO）							600 v		1.6 V @ 1 A	0 ns	5 µA @ 600 V	-55°C〜225°C	4a	76pf @ 1V，1MHz
MBRF50020	-	RFQ	8795	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-244AB		肖特基		TO-244AB	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）						1对普通阴极	20 v	250a	750 MV @ 250 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
MBR60030CTR	129.3585	RFQ	3746	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	MBR60030	肖特基		双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR60030CTRGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）						1对公共阳极	30 V	300A	750 MV @ 300 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
FST16035	80.0400	RFQ	30	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	TO-249AB		肖特基		TO-249AB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1085	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）						1对普通阴极	35 v	160a	750 MV @ 160 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
FR12D02	8.2245	RFQ	8248	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FR12D02GN	Ear99	8541.10.0080	250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）							200 v		800 mv @ 12 a	200 ns	25 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	12a	-
MBRTA80035	-	RFQ	8625	基因半导体	-	批量	过时		底盘安装	三个塔		肖特基		三个塔	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）						1对普通阴极	35 v	400a	720 MV @ 400 A		1 mA @ 35 V	-55°C〜150°C
MBR2X050A180	43.6545	RFQ	6918	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MBR2X050	肖特基		SOT-227	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	52	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）						2独立	180 v	50a	920 MV @ 50 A		3 ma @ 180 V	-40°C〜150°C
mur10040ct	75.1110	RFQ	8433	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	双子塔	Mur10040	标准		双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		mur10040ctgn	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）						1对普通阴极	400 v	50a	1.3 V @ 50 A	90 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
murt20040r	104.4930	RFQ	8659	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	Murt20040	标准		三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Murt20040RGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）						1对公共阳极	400 v	100a	1.35 V @ 100 A	90 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
GD2X30MPS06N	24.2385	RFQ	2827	基因半导体	Sic Schottky MPS™	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GD2X	SIC （碳化硅）		SOT-227	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1242-GD2X30MPS06N	Ear99	8541.10.0080	10	没有恢复t> 500mA（IO）						2独立	650 v	42A（DC）				-55°C 〜175°C
1N3673AR	6.3300	RFQ	1	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3673AR	标准，反极性		do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1055	Ear99	8541.10.0080	250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）							1000 v		1.1 V @ 12 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	12a	-
Murh7020	49.5120	RFQ	5054	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	D-67		标准		D-67	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	36	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）							200 v		1 V @ 70 A	75 ns	25 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	70a	-
MBRT40035RL	-	RFQ	3676	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基		三个塔	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）						1对公共阳极	35 v	200a	600 mV @ 200 A		3 ma @ 35 V	-55°C〜150°C
MBRF200100R	-	RFQ	9738	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-244AB		肖特基		TO-244AB	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）						1对公共阳极	100 v	60a	840 mv @ 60 a		1 mA @ 100 V	-55°C〜150°C
S85QR	11.8980	RFQ	4824	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S85Q	标准，反极性		do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-1096	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）							1200 v		1.1 V @ 85 A		10 µA @ 100 V	-65°C〜180°C	85a	-
MBR8060R	1985年2月22日	RFQ	9797	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	MBR8060	肖特基，反极性		do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR8060RGN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）							60 V		750 MV @ 80 A		1 mA @ 60 V	-55°C〜160°C	80a	-
MBR6020R	21.3105	RFQ	3641	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	MBR6020	肖特基，反极性		do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR6020RGN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）							20 v		650 mv @ 60 a		5 ma @ 20 V	-65°C〜150°C	60a	-
FR40J05	12.8985	RFQ	8073	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FR40J05GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）							600 v		1 V @ 40 A	500 ns	25 µA @ 100 V	-40°C〜125°C	40a	-
DB104G	0.1980	RFQ	2293	基因半导体	-	大部分	活跃	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）	DB104	标准		DB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		DB104GGN	Ear99	8541.10.0080	2,500										1.1 V @ 1 A		10 µA @ 400 V		1 a			单相	400 v
MSRTA30080A	56.2380	RFQ	1863年	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	MSRTA300	标准		三个塔	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）						1对系列连接	800 v	300A（DC）	1.2 V @ 300 A		25 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
GA080TH65-227SP	3.0000	RFQ	1033	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	GA080		单身的		下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.30.0080	10		6.5 kV	139 a	-	100 ma	80 a										1 scr
MBR12080CT	68.8455	RFQ	1773年	基因半导体	-	批量	积极的		底盘安装	双子塔	MBR12080	肖特基		双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR12080CTGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）						1对公共阳极	80 V	120A（DC）	840 mv @ 60 a		3 ma @ 20 V
1N2128AR	8.9025	RFQ	1559年	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N2128AR	标准，反极性		do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1N2128ARGN	Ear99	8541.10.0080	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）							50 V		1.1 V @ 60 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	60a	-
MBRTA50035	-	RFQ	9945	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基		三个塔	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）						1对普通阴极	35 v	250a	700 MV @ 250 A		1 mA @ 35 V	-55°C〜150°C
MBR6040R	21.3105	RFQ	6648	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	MBR604	肖特基，反极性		do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR6040RGN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）							40 V		650 mv @ 60 a		5 ma @ 20 V	-65°C〜150°C	60a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2160）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²