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分立半导体产品(2160)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 测试条件 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr、F IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 集电极脉冲电流(Icm) Vce(on)（顶部）@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td（开/关）@ 25°C 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大）
FR20G02 GeneSiC Semiconductor FR20G02 9.0510
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 ECAD 6241 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR20G02GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400V 1V@20A 200纳秒 50V时为25μA -40℃～125℃ 20A -
1N3293AR GeneSiC Semiconductor 1N3293AR 33.5805
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 ECAD 5372 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 1N3293AR 标准，反脊柱 DO-205AA (DO-8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N3293ARGN EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 600伏 1.5V@100A 17毫安@600伏 -40℃～200℃ 100A -
FR70K05 GeneSiC Semiconductor FR70K05 17.5905
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 ECAD 2246 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR70K05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 800V 1.4V@70A 500纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 70A -
MBR2X160A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A120 59.6700
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 ECAD 2436 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 SOT-227-4，迷你块 MBR2X160 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 52 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 2 独立 120V 160A 880毫伏@160安 3毫安@120伏 -40℃～150℃
UFT14020 GeneSiC Semiconductor UFT14020 -
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 ECAD 6916 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-249AB 标准 TO-249AB - 1（无限制） UFT14020GS EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 200V 70A 1V@70A 75纳秒 25μA@200V -55℃～150℃
MSRT200100AD GeneSiC Semiconductor MSRT200100AD 80.4872
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 ECAD 2155 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MSRT200 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 1000伏 200A 1.1V@200A 10μA@1000V -55℃～150℃
FR70KR05 GeneSiC Semiconductor FR70KR05 17.7855
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 ECAD 4229 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FR70KR05GN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 800V 1.4V@70A 500纳秒 100V时为25μA -40℃～125℃ 70A -
1N3211R GeneSiC Semiconductor 1N3211R 7.0650
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 ECAD 3529 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N3211R 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N3211RGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 300伏 1.5V@15A 50V时为10μA -65℃～175℃ 15A -
S400Y GeneSiC Semiconductor S400Y 92.3505
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 ECAD 7620 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AB、DO-9、螺柱 S400 标准 DO-205AB (DO-9) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） S400YGN EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1600伏 1.2V@400A 50V时为10μA -60℃～200℃ 400A -
MUR30040CTR GeneSiC Semiconductor 穆尔30040CTR 118.4160
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 ECAD 2621 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯30040 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MUR30040CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 400V 150A 1.5V@100A 90纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MBR7530R GeneSiC Semiconductor MBR7530R 21.9195
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 ECAD 2270 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 MBR7530 肖特基，反 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR7530RGN EAR99 8541.10.0080 100 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 750毫伏@75安 1毫安@30伏 -55℃～150℃ 75A -
GKN130/16 GeneSiC Semiconductor GKN130/16 35.3677
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 ECAD 6548 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 GKN130 标准 DO-205AA (DO-8) - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1600伏 1.5V@60A 22毫安@1600伏 -40℃～180℃ 165A -
GBJ20K GeneSiC Semiconductor GBJ20K 0.9120
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 ECAD 1418 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP，GBJ 国标J20 标准 GBJ 下载 符合ROHS3标准 1242-GBJ20K EAR99 8541.10.0080 200 1.05V@10A 800V时为5μA 20A 单相 800V
1N3208R GeneSiC Semiconductor 1N3208R 7.0650
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 ECAD 9958 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构，螺柱安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 1N3208R 标准，反脊柱 溶解O 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1N3208RGN EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 50V 1.5V@15A 50V时为10μA -65℃～175℃ 15A -
MBRT40030 GeneSiC Semiconductor MBRT40030 118.4160
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 ECAD 9037 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT40030GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 30V 200A 750 毫伏 @ 200 安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRF60080 GeneSiC Semiconductor MBRF60080 -
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 ECAD 5290 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 80V 300A 840毫伏@250安 1毫安@80伏 -55℃～150℃
MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor 穆尔10010CTR 75.1110
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 ECAD 2570 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯10010 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MUR10010CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 100V 50A 1.3V@50A 75纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor MBR200150CTR 90.1380
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 ECAD 第1591章 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR200150 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 150伏 100A 880 毫伏 @ 100 安 3毫安@150伏 -55℃～150℃
MBR40045CTR GeneSiC Semiconductor MBR40045CTR 98.8155
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 ECAD 6210 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 MBR40045 肖特基 双塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBR40045CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 45V 200A 650毫伏@200安 5毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRTA60040 GeneSiC Semiconductor MBRTA60040 -
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 ECAD 3049 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 40V 300A 700 毫伏 @ 300 安 1毫安@40伏 -55℃～150℃
MBRH12020 GeneSiC Semiconductor MBRH12020 60.0375
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 ECAD 5487 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 D-67 肖特基 D-67 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRH12020GN EAR99 8541.10.0080 36 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 20V 650毫伏@120安 4毫安@20伏 120A -
FST12045 GeneSiC Semiconductor FST12045 70.4280
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 ECAD 7630 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 符合RoHS标准 1（无限制） FST12045GN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 45V 120A（直流） 650毫伏@120安 2毫安@20伏 -55℃～150℃
KBL608G GeneSiC Semiconductor KBL608G 0.5805
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 ECAD 4232 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP、KBL KBL608 标准 韩国广播公司 下载 符合RoHS标准 1（无限制） KBL608GGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1V@6A 800V时为5μA 6A 单相 800V
GA35XCP12-247 GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247 -
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 ECAD 7101 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-247-3 标准 TO-247AB 下载 1（无限制） 1242-1141 EAR99 8541.29.0095 30 800V，35A，22欧姆，15V 36纳秒 PT 1200伏 35A 3V@15V，35A 2.66mJ（开），4.35mJ（关） 50纳克 -
MBRT60045R GeneSiC Semiconductor MBRT60045R 140.2020
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 ECAD 8451 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 三塔 MBRT60045 肖特基 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MBRT60045RGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共阳极 45V 300A 750毫伏@300安 1毫安@20伏 -55℃～150℃
MBRTA80060 GeneSiC Semiconductor MBRTA80060 -
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 ECAD 4220 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 肖特基 三塔 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 18 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 60V 400A 780 毫伏 @ 400 安 1毫安@60伏 -55℃～150℃
MBR40045CTS GeneSiC Semiconductor MBR40045CTS -
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 ECAD 9313 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 螺丝安装 SOT-227-4 肖特基 SOT-227 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1242-1132 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 2 独立 45V 400A（直流） 1.2V@200A 36V时为5μA -40℃～175℃
MURT20005 GeneSiC Semiconductor MURT20005 -
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 ECAD 2304 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 三塔 标准 三塔 下载 符合RoHS标准 1（无限制） MURT20005GN EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 50V 100A 1.3V@100A 75纳秒 50V时为25μA -55℃～150℃
MSRTA600140A GeneSiC Semiconductor MSRTA600140A 109.2000
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 ECAD 6648 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 3-SMD模块 MSRTA600140 标准 三塔 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 25 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对共轴线 1400伏 600A（直流） 1.2V@600A 600V时为25μA -55℃～150℃
KBP210G GeneSiC Semiconductor KBP210G 0.2280
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 ECAD 2792 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 4-SIP、KBP KBP210 标准 钾BP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 500 1.1V@2A 10μA@1000V 2A 单相 1kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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