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离散半导体产品（（2160）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
KBPM310G GeneSiC Semiconductor kbpm310g -
RFQ
 ECAD 8841 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbpm 标准 kbpm 下载 （1 （无限） 到达不受影响 kbpm310ggn Ear99 8541.10.0080 900 1.1 V @ 3 A 5 µA @ 50 V 3 a 单相 1 kV
MURT40040R GeneSiC Semiconductor murt40040r 134.5800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murt40040 标准，反极性 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1098 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 400 v 200a 1.35 V @ 200 A 180 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR20080CT GeneSiC Semiconductor MBR20080CT 90.1380
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20080 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR20080CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 200a（DC） 840 mv @ 100 a 5 ma @ 20 V
FR12D05 GeneSiC Semiconductor FR12D05 6.7605
RFQ
 ECAD 6436 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR12D05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 800 mv @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227 135.8600
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 基因半导体 Sic Schottky MPS™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GB2X100 SIC （碳化硅） SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1341 Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 2独立 1200 v 185a（DC） 1.8 V @ 100 A 0 ns 80 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MUR5020R GeneSiC Semiconductor MUR5020R 17.8380
RFQ
 ECAD 2942 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MUR5020 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR5020RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 50 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 50a -
S85K GeneSiC Semiconductor S85K 11.8980
RFQ
 ECAD 9079 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S85KGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
MBRH12040R GeneSiC Semiconductor MBRH12040R 65.2300
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67半粉 MBRH12040 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1067 Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 700 MV @ 120 A 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C 120a -
MBR60030CTL GeneSiC Semiconductor MBR60030CTL -
RFQ
 ECAD 3097 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBR8040 GeneSiC Semiconductor MBR8040 21.1680
RFQ
 ECAD 9240 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8040GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 750 MV @ 80 A 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C 80a -
MBR30080CT GeneSiC Semiconductor MBR30080CT 94.5030
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR30080 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR30080CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 150a 840 mv @ 150 A 8 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT12040 GeneSiC Semiconductor MBRT12040 75.1110
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT12040GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 60a 750 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GBL02 GeneSiC Semiconductor GBL02 2.9400
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，gbl 标准 GBL 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 200 V 4 a 单相 200 v
MSRT200100D GeneSiC Semiconductor MSRT200100D 110.1030
RFQ
 ECAD 9867 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT200 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT200100D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1000 v 200a 1.2 V @ 200 A 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C
FST10030 GeneSiC Semiconductor FST10030 65.6445
RFQ
 ECAD 2996 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST10030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 100a 650 MV @ 100 A 2 ma @ 20 V
S400Y GeneSiC Semiconductor S400Y 92.3505
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S400 标准 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S400YGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.2 V @ 400 A 10 µA @ 50 V -60°C 〜200°C 400a -
MURTA400120 GeneSiC Semiconductor Murta400120 174.1546
RFQ
 ECAD 4800 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 200a 2.6 V @ 200 A 25 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
DB152G GeneSiC Semiconductor DB152G 0.2325
RFQ
 ECAD 4573 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-Edip（0.321英寸，8.15mm） DB152 标准 DB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） DB152GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 100 V 1.5 a 单相 100 v
MSRT100120D GeneSiC Semiconductor MSRT100120D 87.1935
RFQ
 ECAD 5976 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT100 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT100120D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 100a 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
MURTA20040 GeneSiC Semiconductor Murta20040 145.3229
RFQ
 ECAD 3322 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 400 v 100a 1.3 V @ 100 A 25 µA @ 400 V -55°C〜150°C
1N1188A GeneSiC Semiconductor 1N1188A 6.3770
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1188 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N1188AGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 40a -
FST10080 GeneSiC Semiconductor FST10080 65.6445
RFQ
 ECAD 1968年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 100a 840 mv @ 100 a 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR200200CTR GeneSiC Semiconductor MBR200200CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 5931 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR200200 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 100a 920 MV @ 100 A 3 ma @ 200 V -55°C〜150°C
MBR8040R GeneSiC Semiconductor MBR8040R 1985年2月22日
RFQ
 ECAD 8534 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR8040 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8040RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 750 MV @ 80 A 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C 80a -
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct -
RFQ
 ECAD 5416 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10005ctgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR6030R GeneSiC Semiconductor MBR6030R 21.3105
RFQ
 ECAD 4745 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR6030 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR6030RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 650 mv @ 60 a 5 ma @ 20 V -65°C〜150°C 60a -
MUR20040CT GeneSiC Semiconductor MUR20040CT 101.6625
RFQ
 ECAD 6926 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR20040 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR20040CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 100a 1.3 V @ 50 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
S12K GeneSiC Semiconductor S12K 4.2345
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S12KGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
GB02SHT06-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT06-46 52.4500
RFQ
 ECAD 8029 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-206AB，TO-46-3金属可以 GB02SHT06 SIC （碳化硅） TO-46 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1256 Ear99 8541.10.0080 200 没有恢复t> 500mA（IO） 600 v 1.6 V @ 1 A 0 ns 5 µA @ 600 V -55°C〜225°C 4a 76pf @ 1V，1MHz
MBRF50020 GeneSiC Semiconductor MBRF50020 -
RFQ
 ECAD 8795 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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