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分立半导体产品(191)

参考图片	产品编号	价格（美元）	数量	电子计算机辅助设计	可用数量	重量（公斤）	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce
	GHXS050A060S-D3	54.3800	询价		第1489章	0.00000000	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GHXS050	SiC（碳化硅）肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	10		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	2 独立	600伏	50A	1.8V@50A		100 µA @ 600 V	-55℃～175℃
	GSXF060A060S1-D3	31.8774	询价		6062	0.00000000	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXF060	标准			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	GSXF060A060S1D3	EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	2 独立	600伏	60A	1.5V@60A	90纳秒	600V时为25μA	-55℃～175℃
	GSID200A120S5C1	-	询价		8305	0.00000000	半Q	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	GSID200			标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-1231	EAR99	8541.29.0095	2	天线塔											-	1200伏	第335章	2.1V@15V，200A	1毫安	是的	22.4nF@25V
	GP3D010A120B	5.3303	询价		9212	0.00000000	半Q	放大器+™	管子	的积极		通孔	TO-247-2	GP3D010	SiC（碳化硅）肖特基			TO-247-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)		1200伏		1.65V@10A	0纳秒	1200V时为20μA	-55℃～175℃	10A	608pF @ 1V、1MHz
	GP3D010A065B	2.7810	询价		2987	0.00000000	半Q	放大器+™	管子	的积极		通孔	TO-247-2	GP3D010	SiC（碳化硅）肖特基			TO-247-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-GP3D010A065B	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.6V@10A	0纳秒	650V时为25μA	-55℃～175℃	10A	419pF@1V、1MHz
	GSID200A170S3B1	-	询价		1307	0.00000000	半Q	放大器+™	大部分	过时的	-40℃～150℃	安装结构	D-3模块	GSID200		1630W	标准	D3	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	4	2 独立											-	1200伏	400A	1.9V@15V，200A	1毫安	不	26nF@25V
	GP2D020A120B	-	询价		4576	0.00000000	半Q	放大器+™	管子	SIC停产		通孔	TO-247-2		SiC（碳化硅）肖特基			TO-247-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-1052-5	EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)		1200伏		1.8V@20A	0纳秒	1200V时为40μA	-55℃～175℃	20A	1270pF @ 1V、1MHz
	GP2D010A065A	-	询价		5454	0.00000000	半Q	放大器+™	管子	SIC停产		通孔	TO-220-2		SiC（碳化硅）肖特基			TO-220-2	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.65V@10A		650V时为100μA	-55℃～175℃	10A	527pF@1V、1MHz
	GSXF030A100S1-D3	-	询价		7309	0.00000000	半Q	-	管子	过时的		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXF030	标准			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	2 独立	1000伏	30A	2.35V@30A	85纳秒	1000V时为25μA	-55℃～175℃
	GSXD100A004S1-D3	37.9500	询价		45	0.00000000	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD100	肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	2 独立	45V	100A	700毫伏@100安		1毫安@45伏	-40℃～150℃
	GP2D020A170B	-	询价		7384	0.00000000	半Q	放大器+™	管子	SIC停产		通孔	TO-247-2		SiC（碳化硅）肖特基			TO-247-2	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-1053-5	EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)		1700伏		1.75V@20A	0纳秒	1700V时为40μA	-55℃～175℃	20A	1624pF @ 1V、1MHz

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