电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GHXS030A120S-D1E | 106.8000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GHXS030 | schottky | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.7 V @ 30 A | 200 µA @ 1200 V | 30 a | 单相 | 1.2 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2T080A120H | 11.0900 | ![]() | 65 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | GP2T080A | sicfet (碳化硅) | TO-247-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1560-GP2T080A120H | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 35A(TC) | 20V | 100mohm @ 20a,20v | 4V @ 10mA | 61 NC @ 20 V | +25V,-10V | 1377 PF @ 1000 V | - | 188W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD080A020S1-D3 | 34.6525 | ![]() | 6448 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 80a | 920 MV @ 80 A | 3 ma @ 200 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA030A135MN-FDR | - | ![]() | 5364 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | 标准 | 329 w | to-3pn | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V,30a,5ohm,15V | 450 ns | 沟渠场停止 | 1350 v | 60 a | 90 a | 2.4V @ 15V,30a | 4.4mj(在)上,1.18MJ off) | 300 NC | 30ns/145ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD050A015S1-D3 | 35.5100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 150 v | 50a | 880 mv @ 50 A | 3 ma @ 150 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D008A065A | 2.0600 | ![]() | 4930 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | GP3D008 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.6 V @ 8 A | 0 ns | 20 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 8a | 336pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXF060A040S1-D3 | 31.8774 | ![]() | 6933 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXF060 | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 400 v | 60a | 1.3 V @ 60 A | 75 ns | 25 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSID600A120S4B1 | - | ![]() | 1496年 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | GSID600 | 3060 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 半桥 | - | 1200 v | 1130 a | 2.1V @ 15V,600A | 1 MA | 是的 | 51 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GHXS050B120S-D3 | 54.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GHXS050 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-GHXS050B120S-D3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 1200 v | 101A(DC) | 1.7 V @ 50 A | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GHXS050B065S-D3 | 33.7900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GHXS050 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-GHXS050B065S-D3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 650 v | 95A(DC) | 1.6 V @ 50 A | 0 ns | 125 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GHXS100B120S-D3 | 82.3100 | ![]() | 29 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GHXS100 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-GHXS100B120S-D3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 1200 v | 198a(DC) | 1.7 V @ 100 A | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2T080A120U | 11.8700 | ![]() | 414 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | GP2T080A | sicfet (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | (1 (无限) | 1560-GP2T080A120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 35A(TC) | 20V | 100mohm @ 20a,20v | 4V @ 10mA | 58 NC @ 20 V | +25V,-10V | 1377 PF @ 1000 V | - | 188W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GCMX080B120S1-E1 | 23.3200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GCMX080 | sicfet (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-GCMX080B120S1-E1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 1200 v | 30A(TC) | 20V | 100mohm @ 20a,20v | 4V @ 10mA | 58 NC @ 20 V | +25V,-10V | 1336 PF @ 1000 V | - | 142W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D015A120A | 7.9700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | GP3D015 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-GP3D015A120A | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.6 V @ 15 A | 0 ns | 30 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 15a | 962pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D050A065B | 11.0520 | ![]() | 4522 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | GP3D050 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-GP3D050A065B | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.6 V @ 50 A | 125 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 135a | 1946pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXF120A060S1-D3 | 38.6179 | ![]() | 6739 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXF120 | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 600 v | 120a | 1.5 V @ 120 A | 105 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D012A065B | 4.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | GP3D012 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-GP3D012A065B | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 12 A | 0 ns | 30 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 12a | 572pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID100A120S5C1 | - | ![]() | 2783 | 0.00000000 | semiq | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | GSID100 | 650 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-1229 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 三相逆变器 | - | 1200 v | 170 a | 2.1V @ 15V,100a | 1 MA | 是的 | 13.7 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSID100A120T2C1A | - | ![]() | 6323 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | GSID100 | 800 w | 三相桥梁整流器 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | 三相逆变器 | - | 1200 v | 200 a | 2.1V @ 15V,100a | 1 MA | 是的 | 13.7 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GHXS020A060S-D3 | 37.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GHXS020 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 600 v | 20a | 1.7 V @ 20 A | 200 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA020A120MN-FD | - | ![]() | 7236 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | 标准 | 223 w | to-3pn | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V,20a,10ohm,15V | 425 ns | 沟渠场停止 | 1200 v | 40 a | 60 a | 2.5V @ 15V,20A | 2.8MJ(在)上,480µJ off) | 210 NC | 30NS/150NS | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D005A170B | 5.6500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | GP3D005 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-1243 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1700 v | 1.65 V @ 5 A | 0 ns | 20 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | 21a | 347pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID300A120S5C1 | - | ![]() | 2960 | 0.00000000 | semiq | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | GSID300 | 1630 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-1232 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 三相逆变器 | - | 1200 v | 430 a | 2.25V @ 15V,300A | 1 MA | 是的 | 30 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID150A120S5C1 | - | ![]() | 1331 | 0.00000000 | semiq | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | GSID150 | 1087 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-1230 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 三相逆变器 | - | 1200 v | 285 a | 2.1V @ 15V,150a | 1 MA | 是的 | 21.2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD050A006S1-D3 | 31.8774 | ![]() | 3256 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 60 V | 50a | 750 MV @ 50 A | 1 mA @ 60 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GHXS030A120S-D3 | 67.8600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GHXS030 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 1200 v | 30a | 1.7 V @ 30 A | 200 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D010A065D | 2.2227 | ![]() | 5334 | 0.00000000 | semiq | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | GP3D010 | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-GP3D010A065DCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | - | 650 v | - | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D010A170B | - | ![]() | 7483 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-1046-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1700 v | 1.75 V @ 10 A | 0 ns | 20 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | 10a | 812pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD080A006S1-D3 | - | ![]() | 1562 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 过时的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 60 V | 80a | 750 MV @ 80 A | 1 mA @ 60 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD050A004S1-D3 | 32.7063 | ![]() | 2349 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 45 v | 50a | 700 MV @ 50 A | 1 mA @ 45 V | -40°C〜150°C |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库