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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 输入 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) NTC热敏电阻 输入电容 (Cies) @ Vce
GHXS030A120S-D1E SemiQ GHXS030A120S-D1E 106.8000
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ECAD 30 0.00000000 半Q - 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GHXS030 碳化硅肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 10 1.7V@30A 1200V时为200μA 30A 单相 1.2kV
GSID600A120S4B1 SemiQ GSID600A120S4B1 -
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ECAD 1496 0.00000000 半Q 放大器+™ 大部分 过时的 -40℃~150℃ 安装结构 模块 GSID600 3060W 标准 模块 下载 符合ROHS3标准 REACH旅行 EAR99 8541.29.0095 2 半桥 - 1200伏 1130A 2.1V@15V,600A 1毫安 是的 51nF@25V
GP3D008A065A SemiQ GP3D008A065A 2.0600
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ECAD 4930 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 的积极 通孔 TO-220-2 GP3D008 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.6V@8A 0纳秒 650V时为20μA -55℃~175℃ 8A 336pF@1V、1MHz
GP3D005A170B SemiQ GP3D005A170B 5.6500
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ECAD 5 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 GP3D005 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 1560-1243 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1700伏 1.65V@5A 0纳秒 1700V时为20μA -55℃~175℃ 21A 347pF@1V、1MHz
GP2D024A065U SemiQ GP2D024A065U -
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ECAD 9837 0.00000000 半Q - 管子 SIC停产 通孔 TO-247-3 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 1 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 650伏 36A(直流) 1.65V@12A 0纳秒 650V时为120μA -55℃~175℃
GP3D005A120A SemiQ GP3D005A120A -
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ECAD 3055 0.00000000 半Q * 管子 的积极 GP3D005 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 1560-1244 EAR99 8541.10.0080 50
GP3D050A065B SemiQ GP3D050A065B 11.0520
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ECAD 4522 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 GP3D050 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 1560-GP3D050A065B EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.6V@50A 650V时为125μA -55℃~175℃ 135A 1946pF@1V、1MHz
GHXS050B120S-D3 SemiQ GHXS050B120S-D3 54.3400
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ECAD 6 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GHXS050 SiC(碳化硅)肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 1560-GHXS050B120S-D3 EAR99 8541.10.0080 10 无恢复T>500mA(Io) 2 独立 1200伏 101A(直流) 1.7V@50A 0纳秒 100μA@1200V -55℃~175℃
GSXD080A006S1-D3 SemiQ GSXD080A006S1-D3 -
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ECAD 第1562章 0.00000000 半Q - 管子 过时的 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD080 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 60V 80A 750毫伏@80安 1毫安@60伏 -40℃~150℃
GP2T080A120U SemiQ GP2T080A120U 11.8700
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ECAD 第414章 0.00000000 半Q - 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 GP2T080A SiCFET(碳化硅) TO-247-3 下载 1(无限制) 1560-GP2T080A120U EAR99 8541.29.0095 30 N沟道 1200伏 35A(温度) 20V 100毫欧@20A,20V 4V@10mA 58nC@20V +25V,-10V 1377pF@1000V - 188W(温度)
GSID300A120S5C1 SemiQ GSID300A120S5C1 -
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ECAD 2960 0.00000000 半Q - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 模块 GSID300 1630W 标准 模块 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 1560-1232 EAR99 8541.29.0095 2 天线塔 - 1200伏 430A 2.25V@15V,300A 1毫安 是的 30nF@25V
GSXD050A018S1-D3 SemiQ GSXD050A018S1-D3 31.8774
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ECAD 9824 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD050 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 180伏 50A 920 毫伏 @ 50 安 3毫安@180伏 -40℃~150℃
GHXS100B120S-D3 SemiQ GHXS100B120S-D3 82.3100
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ECAD 29 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GHXS100 SiC(碳化硅)肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 1560-GHXS100B120S-D3 EAR99 8541.10.0080 10 无恢复T>500mA(Io) 2 独立 1200伏 198A(直流) 1.7V@100A 0纳秒 1200V时为200μA -55℃~175℃
GSXD050A010S1-D3 SemiQ GSXD050A010S1-D3 31.8774
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ECAD 9570 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD050 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 100V 50A 840 毫伏 @ 50 安 1毫安@100伏 -40℃~150℃
GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D 2.2227
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ECAD 5334 0.00000000 半Q - 卷带式 (TR) 的积极 GP3D010 - 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 1560-GP3D010A065DCT EAR99 8541.10.0080 500 - 650伏 - 10A -
GHXS050B065S-D3 SemiQ GHXS050B065S-D3 33.7900
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ECAD 8 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GHXS050 SiC(碳化硅)肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 1560-GHXS050B065S-D3 EAR99 8541.10.0080 10 无恢复T>500mA(Io) 2 独立 650伏 95A(直流) 1.6V@50A 0纳秒 650V时为125μA -55℃~175℃
GSXD050A004S1-D3 SemiQ GSXD050A004S1-D3 32.7063
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ECAD 2349 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD050 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 45V 50A 700毫伏@50安 1毫安@45伏 -40℃~150℃
GSXD050A015S1-D3 SemiQ GSXD050A015S1-D3 35.5100
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ECAD 14 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD050 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 150伏 50A 880毫伏@50安 3毫安@150伏 -40℃~150℃
GPA020A120MN-FD SemiQ GPA020A120MN-FD -
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ECAD 7236 0.00000000 半Q - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 标准 223 W TO-3PN 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0095 1 600V,20A,10欧姆,15V 425纳秒 沟渠场站 1200伏 40A 60A 2.5V@15V,20A 2.8mJ(开),480μJ(关) 210nC 30纳秒/150纳秒
GP2D020A120U SemiQ GP2D020A120U -
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ECAD 5604 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 SIC停产 通孔 TO-247-3 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 下载 符合ROHS3标准 REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 1200伏 33A(直流) 1.8V@10A 1200V时为20μA -55℃~175℃
GP2D010A120B SemiQ GP2D010A120B -
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ECAD 1417 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 SIC停产 通孔 TO-247-2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 1560-1044-5 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@10A 0纳秒 1200V时为20μA -55℃~175℃ 10A 635pF @ 1V、1MHz
GSXF030A120S1-D3 SemiQ GSXF030A120S1-D3 -
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ECAD 8298 0.00000000 半Q - 管子 过时的 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXF030 标准 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 GSXF030A120S1D3 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 1200伏 30A 2.35V@30A 85纳秒 1200V时为25μA -55℃~175℃
GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A 7.9700
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ECAD 10 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 的积极 通孔 TO-220-2 GP3D015 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 1560-GP3D015A120A EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.6V@15A 0纳秒 1200V时为30μA -55℃~175℃ 15A 962pF@1V、1MHz
GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U 25.3893
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ECAD 6446 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 的积极 通孔 TO-247-3 GP3D060 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 30A 1.7V@30A 0纳秒 1200V时为60μA -55℃~175℃
GSID100A120S5C1 SemiQ GSID100A120S5C1 -
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ECAD 2783 0.00000000 半Q - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 模块 GSID100 650W 标准 模块 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 1560-1229 EAR99 8541.29.0095 2 天线塔 - 1200伏 170一个 2.1V@15V,100A 1毫安 是的 13.7nF@25V
GP3D010A120C SemiQ GP3D010A120C -
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ECAD 7119 0.00000000 半Q * 管子 的积极 GP3D010 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 1
GSXF060A120S1-D3 SemiQ GSXF060A120S1-D3 34.6525
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ECAD 4886 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXF060 标准 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 1200伏 60A 2.35V@60A 90纳秒 1200V时为25μA -55℃~175℃
GHXS045A120S-D3 SemiQ GHXS045A120S-D3 88.5000
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ECAD 8493 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GHXS045 SiC(碳化硅)肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 10 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 1200伏 45A 1.7V@45A 1200V时为300μA -55℃~175℃
GSXD080A008S1-D3 SemiQ GSXD080A008S1-D3 34.6525
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ECAD 3300 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD080 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 80V 80A 840毫伏@80安 1毫安@80伏 -40℃~150℃
GSXD100A018S1-D3 SemiQ GSXD100A018S1-D3 33.9200
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ECAD 2744 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD100 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 180伏 100A 920毫伏@100安 3毫安@180伏 -40℃~150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库