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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
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![]() | GP3D010A065B | 2.7810 | ![]() | 2987 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | GP3D010 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-GP3D010A065B | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.6 V @ 10 A | 0 ns | 25 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 10a | 419pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D020A170B | - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-1053-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1700 v | 1.75 V @ 20 A | 0 ns | 40 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | 20a | 1624pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD030A008S1-D3 | 27.7148 | ![]() | 3886 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD030 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 80 V | 30a | 840 mv @ 30 a | 1 mA @ 80 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSID100A120T2C1 | - | ![]() | 2280 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | GSID100 | 640 w | 三相桥梁整流器 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | 三相逆变器 | - | 1200 v | 200 a | 2.1V @ 15V,100a | 1 MA | 是的 | 13.7 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD120A012S1-D3 | 37.0575 | ![]() | 1630 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD120 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 120 v | 120a | 880 mv @ 120 A | 3 ma @ 120 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD100A004S1-D3 | 37.9500 | ![]() | 45 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD100 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 45 v | 100a | 700 mv @ 100 a | 1 mA @ 45 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GHXS100B065S-D3 | 47.0100 | ![]() | 6856 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GHXS100 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-GHXS100B065S-D3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 650 v | 193a(DC) | 1.65 V @ 100 A | 0 ns | 250 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GHXS010A060S-D3 | 20.4600 | ![]() | 60 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GHXS010 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 600 v | 10a | 1.7 V @ 10 A | 100 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D060A120B | - | ![]() | 2141 | 0.00000000 | semiq | * | 管子 | 积极的 | GP3D060 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD160A020S1-D3 | 41.7555 | ![]() | 4511 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD160 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 160a | 920 MV @ 160 A | 3 ma @ 200 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD080A012S1-D3 | 34.6525 | ![]() | 3974 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 120 v | 80a | 880 mv @ 80 a | 3 ma @ 120 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D050A060B | - | ![]() | 1589年 | 0.00000000 | semiq | * | 管子 | 积极的 | GP3D050 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | GSID200A170S3B1 | - | ![]() | 1307 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | D-3模块 | GSID200 | 1630 w | 标准 | D3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 2独立 | - | 1200 v | 400 a | 1.9V @ 15V,200a | 1 MA | 不 | 26 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D020A065U | 6.3700 | ![]() | 339 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | GP3D020 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 10a | 1.6 V @ 10 A | 0 ns | 25 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D010A065A | 2.5492 | ![]() | 6628 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | GP3D010 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.6 V @ 10 A | 0 ns | 25 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 10a | 419pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D030A060B | - | ![]() | 3879 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | - | - | GP3D030 | 肖特基 | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD120A006S1-D3 | 38.0922 | ![]() | 6696 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD120 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 60 V | 120a | 750 MV @ 120 A | 1 mA @ 60 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D010A065A | - | ![]() | 5454 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.65 V @ 10 A | 100 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 10a | 527pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD060A010S1-D3 | 33.2649 | ![]() | 6688 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD060 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 100 v | 60a | 840 mv @ 60 a | 1 mA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXF030A060S1-D3 | - | ![]() | 3434 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 过时的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXF030 | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | GSXF030A060S1D3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 600 v | 30a | 1.5 V @ 30 A | 60 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXF060A060S1-D3 | 31.8774 | ![]() | 6062 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXF060 | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | GSXF060A060S1D3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 600 v | 60a | 1.5 V @ 60 A | 90 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GHXS060B120S-D3 | 98.5800 | ![]() | 48 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GHXS060 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-GHXS060B120S-D3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 1200 v | 161a | 1.7 V @ 60 A | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D010A170B | 8.5100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | GP3D010 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1700 v | 1.65 V @ 10 A | 0 ns | 40 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | 67a | 699pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GHXS050A060S-D3 | 54.3800 | ![]() | 1489 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GHXS050 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 600 v | 50a | 1.8 V @ 50 A | 100 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GCMS040B120S1-E1 | 34.8800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GCMS040 | SIC (硅碳化物交界晶体管) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1560-GCMS040B120S1-E1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 1200 v | 57A(TC) | 20V | 52MOHM @ 40a,20V | 4V @ 10mA | 124 NC @ 20 V | +25V,-10V | 3110 PF @ 1000 V | - | 242W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | GSXF100A040S1-D3 | 35.2259 | ![]() | 1350 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXF100 | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 400 v | 100a | 1.3 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD060A012S1-D3 | 33.2649 | ![]() | 7618 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD060 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 120 v | 60a | 880 mv @ 60 a | 3 ma @ 120 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXF100A100S1-D3 | 36.5319 | ![]() | 5662 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXF100 | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 1000 v | 100a | 2.35 V @ 100 A | 125 ns | 25 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D020A170B | 13.6300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | GP3D020 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1700 v | 1.65 V @ 20 A | 0 ns | 80 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | 67a | 1403pf @ 1V,1MHz |
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