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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 功率-最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 测试条件 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电流 - 电极电极电流(最大) | NTC热敏电阻 | 输入电容 (Cies) @ Vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GP3D010A120A | 6.0000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | GP3D010 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.65V@10A | 0纳秒 | 1200V时为20μA | -55℃~175℃ | 10A | 608pF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D020A065B | - | ![]() | 7087 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-247-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.65V@20A | 650V时为200μA | -55℃~175℃ | 20A | 1V、1MHz时为1054pF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD060A015S1-D3 | 33.2649 | ![]() | 第1187章 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD060 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 150伏 | 60A | 880毫伏@60安 | 3毫安@150伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD120A004S1-D3 | 41.4100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD120 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 45V | 120A | 700毫伏@120安 | 1毫安@45伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA025A120MN-ND | - | ![]() | 6976 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | 标准 | 312W | TO-3PN | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V,25A,10欧姆,15V | 480纳秒 | NPT 和测量 | 1200伏 | 50A | 75A | 2.5V@15V,25A | 4.15mJ(开),870μJ(关) | 350℃ | 57纳秒/240纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GHXS015A120S-D3 | 39.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GHXS015 | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 1200伏 | 15A | 1.7V@15A | 100μA@1200V | -55℃~175℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D015A120B | 7.3903 | ![]() | 7673 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | GP3D015 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 1560-GP3D015A120B | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@15A | 0纳秒 | 1200V时为30μA | -55℃~175℃ | 15A | 962pF@1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D020A065A | 5.3302 | ![]() | 9691 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | GP3D020 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 1560-GP3D020A065A | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.65V@30A | 650V时为75μA | -55℃~175℃ | 20A | 1247pF @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA020A135MN-FD | - | ![]() | 2337 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | 标准 | 223 W | TO-3PN | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V,20A,10欧姆,15V | 425纳秒 | 沟渠场站 | 1350伏 | 40A | 60A | 2.3V@15V,20A | 2.5mJ(开),760μJ(关) | 180℃ | 25纳秒/175纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D005A120C | - | ![]() | 2383 | 0.00000000 | 半Q | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | GP3D005 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD060A020S1-D3 | 33.2649 | ![]() | 8826 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD060 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 200V | 60A | 920 毫伏 @ 60 安 | 3毫安@200伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA040A120L-FD | - | ![]() | 3010 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-264-3、TO-264AA | 标准 | 480W | TO-264 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 600V,40A,5欧姆,15V | 200纳秒 | 沟渠场站 | 1200伏 | 80A | 120A | 2.6V@15V,40A | 5.3mJ(开),1.1mJ(关) | 480℃ | 55纳秒/200纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D030A065B | 8.4600 | ![]() | 152 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | GP3D030 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.65V@30A | 0纳秒 | 650V时为75μA | -55℃~175℃ | 30A | 1247pF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D003A060C | - | ![]() | 5362 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2L (DPAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.65V@3A | 0纳秒 | 600V时为10μA | -55℃~175℃ | 3A | 158pF@1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D050A060B | - | ![]() | 1589 | 0.00000000 | 半Q | * | 管子 | 的积极 | GP3D050 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD080A018S1-D3 | 34.6525 | ![]() | 6863 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 180伏 | 80A | 920毫伏@80安 | 3毫安@180伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GCMS040B120S1-E1 | 34.8800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GCMS040 | SiC(碳化硅结晶体管) | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 1560-GCMS040B120S1-E1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N沟道 | 1200伏 | 57A(温度) | 20V | 52毫欧@40A,20V | 4V@10mA | 124nC@20V | +25V,-10V | 1000V时为3110pF | - | 242W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXF120A040S1-D3 | - | ![]() | 9577 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 过时的 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXF120 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 400V | 120A | 1.3V@120A | 100纳秒 | 400V时为25μA | -55℃~175℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D050A120B | - | ![]() | 6436 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-247-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@50A | 0纳秒 | 100μA@1200V | -55℃~175℃ | 50A | 3174pF @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSID150A120T2C1 | - | ![]() | 8663 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 大部分 | 过时的 | -40℃~150℃ | 安装结构 | 模块 | GSID150 | 1087 W | 东部桥式调整器 | 模块 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | 天线塔 | - | 1200伏 | 第285章 | 2.1V@15V,150A | 1毫安 | 是的 | 21.2nF@25V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD100A012S1-D3 | 33.9200 | ![]() | 3107 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD100 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 120V | 100A | 880 毫伏 @ 100 安 | 3毫安@120伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXF030A100S1-D3 | - | ![]() | 7309 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 过时的 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXF030 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 1000伏 | 30A | 2.35V@30A | 85纳秒 | 1000V时为25μA | -55℃~175℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D020A065B | 6.2800 | ![]() | 171 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | GP3D020 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@20A | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 20A | 835pF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD100A008S1-D3 | 33.9200 | ![]() | 5156 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD100 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 80V | 100A | 840 毫伏 @ 100 安 | 1毫安@80伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D008A065C | - | ![]() | 5149 | 0.00000000 | 半Q | * | 管子 | SIC停产 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GHXS060B120S-D3 | 98.5800 | ![]() | 48 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GHXS060 | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 1560-GHXS060B120S-D3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 1200伏 | 161A | 1.7V@60A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD120A008S1-D3 | 37.0575 | ![]() | 7268 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD120 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 80V | 120A | 840毫伏@120安 | 1毫安@80伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D010A170B | 8.5100 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | GP3D010 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1700伏 | 1.65V@10A | 0纳秒 | 1700V时为40μA | -55℃~175℃ | 67A | 699pF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD030A004S1-D3 | - | ![]() | 7460 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 过时的 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD030 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 45V | 30A | 700 毫伏 @ 30 安 | 1毫安@45伏 | -40℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD120A006S1-D3 | 38.0922 | ![]() | 6696 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD120 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 60V | 120A | 750毫伏@120安 | 1毫安@60伏 | -40℃~150℃ |
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