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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 输入 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr、F IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) NTC热敏电阻 输入电容 (Cies) @ Vce
GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A 6.0000
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ECAD 6 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 的积极 通孔 TO-220-2 GP3D010 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.65V@10A 0纳秒 1200V时为20μA -55℃~175℃ 10A 608pF @ 1V、1MHz
GP2D020A065B SemiQ GP2D020A065B -
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ECAD 7087 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 SIC停产 通孔 TO-247-2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合ROHS3标准 REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.65V@20A 650V时为200μA -55℃~175℃ 20A 1V、1MHz时为1054pF
GSXD060A015S1-D3 SemiQ GSXD060A015S1-D3 33.2649
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ECAD 第1187章 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD060 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 150伏 60A 880毫伏@60安 3毫安@150伏 -40℃~150℃
GSXD120A004S1-D3 SemiQ GSXD120A004S1-D3 41.4100
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ECAD 10 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD120 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 45V 120A 700毫伏@120安 1毫安@45伏 -40℃~150℃
GPA025A120MN-ND SemiQ GPA025A120MN-ND -
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ECAD 6976 0.00000000 半Q - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 标准 312W TO-3PN 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0095 1 600V,25A,10欧姆,15V 480纳秒 NPT 和测量 1200伏 50A 75A 2.5V@15V,25A 4.15mJ(开),870μJ(关) 350℃ 57纳秒/240纳秒
GHXS015A120S-D3 SemiQ GHXS015A120S-D3 39.8900
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ECAD 1 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GHXS015 SiC(碳化硅)肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 10 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 1200伏 15A 1.7V@15A 100μA@1200V -55℃~175℃
GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B 7.3903
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ECAD 7673 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 GP3D015 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 1560-GP3D015A120B EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.6V@15A 0纳秒 1200V时为30μA -55℃~175℃ 15A 962pF@1V、1MHz
GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A 5.3302
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ECAD 9691 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 的积极 通孔 TO-220-2 GP3D020 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220-2 下载 符合ROHS3标准 REACH旅行 1560-GP3D020A065A EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.65V@30A 650V时为75μA -55℃~175℃ 20A 1247pF @ 1V、1MHz
GPA020A135MN-FD SemiQ GPA020A135MN-FD -
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ECAD 2337 0.00000000 半Q - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 标准 223 W TO-3PN 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0095 1 600V,20A,10欧姆,15V 425纳秒 沟渠场站 1350伏 40A 60A 2.3V@15V,20A 2.5mJ(开),760μJ(关) 180℃ 25纳秒/175纳秒
GP3D005A120C SemiQ GP3D005A120C -
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ECAD 2383 0.00000000 半Q * 卷带式 (TR) 的积极 GP3D005 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 2,500人
GSXD060A020S1-D3 SemiQ GSXD060A020S1-D3 33.2649
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ECAD 8826 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD060 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 200V 60A 920 毫伏 @ 60 安 3毫安@200伏 -40℃~150℃
GPA040A120L-FD SemiQ GPA040A120L-FD -
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ECAD 3010 0.00000000 半Q - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-264-3、TO-264AA 标准 480W TO-264 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0095 25 600V,40A,5欧姆,15V 200纳秒 沟渠场站 1200伏 80A 120A 2.6V@15V,40A 5.3mJ(开),1.1mJ(关) 480℃ 55纳秒/200纳秒
GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B 8.4600
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ECAD 152 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 GP3D030 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.65V@30A 0纳秒 650V时为75μA -55℃~175℃ 30A 1247pF @ 1V、1MHz
GP2D003A060C SemiQ GP2D003A060C -
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ECAD 5362 0.00000000 半Q 放大器+™ 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 SiC(碳化硅)肖特基 TO-252-2L (DPAK) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 600伏 1.65V@3A 0纳秒 600V时为10μA -55℃~175℃ 3A 158pF@1V、1MHz
GP3D050A060B SemiQ GP3D050A060B -
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ECAD 1589 0.00000000 半Q * 管子 的积极 GP3D050 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 30
GSXD080A018S1-D3 SemiQ GSXD080A018S1-D3 34.6525
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ECAD 6863 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD080 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 180伏 80A 920毫伏@80安 3毫安@180伏 -40℃~150℃
GCMS040B120S1-E1 SemiQ GCMS040B120S1-E1 34.8800
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ECAD 6 0.00000000 半Q - 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GCMS040 SiC(碳化硅结晶体管) SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 1560-GCMS040B120S1-E1 EAR99 8541.29.0095 10 N沟道 1200伏 57A(温度) 20V 52毫欧@40A,20V 4V@10mA 124nC@20V +25V,-10V 1000V时为3110pF - 242W(温度)
GSXF120A040S1-D3 SemiQ GSXF120A040S1-D3 -
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ECAD 9577 0.00000000 半Q - 管子 过时的 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXF120 标准 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 400V 120A 1.3V@120A 100纳秒 400V时为25μA -55℃~175℃
GP2D050A120B SemiQ GP2D050A120B -
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ECAD 6436 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 SIC停产 通孔 TO-247-2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@50A 0纳秒 100μA@1200V -55℃~175℃ 50A 3174pF @ 1V、1MHz
GSID150A120T2C1 SemiQ GSID150A120T2C1 -
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ECAD 8663 0.00000000 半Q 放大器+™ 大部分 过时的 -40℃~150℃ 安装结构 模块 GSID150 1087 W 东部桥式调整器 模块 下载 符合ROHS3标准 REACH旅行 EAR99 8541.29.0095 3 天线塔 - 1200伏 第285章 2.1V@15V,150A 1毫安 是的 21.2nF@25V
GSXD100A012S1-D3 SemiQ GSXD100A012S1-D3 33.9200
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ECAD 3107 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD100 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 120V 100A 880 毫伏 @ 100 安 3毫安@120伏 -40℃~150℃
GSXF030A100S1-D3 SemiQ GSXF030A100S1-D3 -
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ECAD 7309 0.00000000 半Q - 管子 过时的 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXF030 标准 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 1000伏 30A 2.35V@30A 85纳秒 1000V时为25μA -55℃~175℃
GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B 6.2800
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ECAD 171 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 GP3D020 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@20A 0纳秒 50μA@650V -55℃~175℃ 20A 835pF @ 1V、1MHz
GSXD100A008S1-D3 SemiQ GSXD100A008S1-D3 33.9200
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ECAD 5156 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD100 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 80V 100A 840 毫伏 @ 100 安 1毫安@80伏 -40℃~150℃
GP2D008A065C SemiQ GP2D008A065C -
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ECAD 5149 0.00000000 半Q * 管子 SIC停产 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 1
GHXS060B120S-D3 SemiQ GHXS060B120S-D3 98.5800
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ECAD 48 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GHXS060 SiC(碳化硅)肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 1560-GHXS060B120S-D3 EAR99 8541.10.0080 10 无恢复T>500mA(Io) 2 独立 1200伏 161A 1.7V@60A 0纳秒 1200V时为200μA -55℃~175℃
GSXD120A008S1-D3 SemiQ GSXD120A008S1-D3 37.0575
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ECAD 7268 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD120 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 80V 120A 840毫伏@120安 1毫安@80伏 -40℃~150℃
GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B 8.5100
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ECAD 17号 0.00000000 半Q 放大器+™ 管子 的积极 通孔 TO-247-2 GP3D010 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1700伏 1.65V@10A 0纳秒 1700V时为40μA -55℃~175℃ 67A 699pF @ 1V、1MHz
GSXD030A004S1-D3 SemiQ GSXD030A004S1-D3 -
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ECAD 7460 0.00000000 半Q - 管子 过时的 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD030 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 45V 30A 700 毫伏 @ 30 安 1毫安@45伏 -40℃~150℃
GSXD120A006S1-D3 SemiQ GSXD120A006S1-D3 38.0922
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ECAD 6696 0.00000000 半Q - 管子 的积极 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GSXD120 肖特基 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 13 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 2 独立 60V 120A 750毫伏@120安 1毫安@60伏 -40℃~150℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库