分立半导体产品(191)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce
GP3D012A065A	3.2444	询价	2691	半Q	放大器+™	管子	的积极		通孔	TO-220-2	GP3D012		SiC（碳化硅）肖特基			TO-220-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-GP3D012A065A	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)														650伏		1.5V@12A	0纳秒	650V时为30μA	-55℃～175℃	12A	572pF @ 1V、1MHz
GSID150A120S6A4	-	询价	4782	半Q	放大器+™	大部分	过时的	-40℃～150℃	安装结构	模块	GSID150			1035W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	4	单身的																							-	1200伏	第275章		1.9V@15V，150A						1毫安	是的	20.2nF@25V
GSXD160A008S1-D3	41.7555	询价	5831	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD160		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	80V	160A	840毫伏@160安		1毫安@80伏	-40℃～150℃
GP2D003A065A	-	询价	8046	半Q	放大器+™	管子	过时的		通孔	TO-220-2			SiC（碳化硅）肖特基			TO-220-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-1034-5	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)														650伏		1.65V@3A	0纳秒	650V时为30μA	-55℃～175℃	3A	158pF@1V、1MHz
GSXD160A018S1-D3	41.7555	询价	8688	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD160		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	180伏	160A	920毫伏@160安		3毫安@180伏	-40℃～150℃
GP2T040A120H	21.2800	询价	75	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4			SiCFET（碳化硅）			TO-247-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1560-GP2T040A120H	EAR99	8541.29.0095	30			N沟道		1200伏	63A（温度）	20V	52毫欧@40A，20V	4V@10mA	118nC@20V	+25V，-10V	1000V时为3192pF	-	322W（温度）
GP3D050A120B	23.2600	询价	146	半Q	放大器+™	管子	的积极		通孔	TO-247-2	GP3D050		SiC（碳化硅）肖特基			TO-247-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)														1200伏		1.7V@50A	0纳秒	100μA@1200V	-55℃～175℃	50A	3040pF @ 1V、1MHz
GSID150A120S3B1	-	询价	3805	半Q	放大器+™	大部分	过时的	-40℃～150℃	安装结构	D-3模块	GSID150			940W	标准	D3	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	4	2 独立																							-	1200伏	300A		2V@15V，150A						1毫安	不	14nF@25V
GHXS050A170S-D3	177.6100	询价	21	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GHXS050		SiC（碳化硅）肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	10		无恢复T>500mA(Io)													2 独立	1700伏	150A	1.9V@50A		1700V时为750μA	-55℃～175℃
GSID100A120T2P2	-	询价	8230	半Q	放大器+™	大部分	过时的	-40℃～150℃	安装结构	模块	GSID100			710W	东部桥式调整器	模块	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	3	天线塔																							-	1200伏	200A		2.1V@15V，100A						1毫安	是的	13.7nF@25V
GP2D030A065B	-	询价	1206	半Q	*	管子	SIC停产										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	1
GSXF100A060S1-D3	-	询价	1220	半Q	-	管子	过时的		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXF100		标准			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	600伏	100A	1.5V@100A	90纳秒	600V时为25μA	-55℃～175℃
GP2D030A120U	-	询价	3074	半Q	放大器+™	管子	SIC停产		通孔	TO-247-3			SiC（碳化硅）肖特基			TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-1233-5	EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)													1对共轴线	1200伏	50A（直流）	1.8V@15A		1200V时为30μA	-55℃～175℃
GSXD160A015S1-D3	41.7555	询价	9433	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD160		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	150伏	160A	880毫伏@160安		3毫安@150伏	-40℃～150℃
GSXD060A008S1-D3	37.7700	询价	1	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD060		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	80V	60A	840 毫伏 @ 60 安		1毫安@80伏	-40℃～150℃
GHXS030A060S-D1E	67.1600	询价	39	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GHXS030		碳化硅肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	10																		1.7V@30A		100 µA @ 600 V		30A										单相	600伏
GSXD100A010S1-D3	33.9200	询价	8225	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD100		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	100伏	100A	840 毫伏 @ 100 安		1毫安@100伏	-40℃～150℃
GP2D005A170B	-	询价	2345	半Q	放大器+™	管子	SIC停产		通孔	TO-247-2			SiC（碳化硅）肖特基			TO-247-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-1038-5	EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)														1700伏		1.75V@5A	0纳秒	1700V时为10μA	-55℃～175℃	5A	406pF@1V、1MHz
GSXD050A012S1-D3	35.5100	询价	5	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD050		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	120V	50A	880毫伏@50安		3毫安@120伏	-40℃～150℃
GSXD160A010S1-D3	45.3900	询价	4825	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD160		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	100伏	160A	840毫伏@160安		1毫安@100伏	-40℃～150℃
GCMX040B120S1-E1	29.3400	询价	30	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GCMX040		SiC（碳化硅结晶体管）			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1560-GCMX040B120S1-E1	EAR99	8541.29.0095	10			N沟道		1200伏	57A（温度）	20V	52毫欧@40A，20V	4V@10mA	121nC@20V	+25V，-10V	1000V时为3185pF	-	242W（温度）
GPA042A100L-ND	-	询价	4213	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-264-3、TO-264AA		标准		463 W		TO-264	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	25				600V，60A，50欧姆，15V															465纳秒					NPT 和测量	1000伏	60A	120A	2.9V@15V，60A	13.1mJ（开），6.3mJ（关）	405nC	230纳秒/1480纳秒
GSID080A120B1A5	-	询价	6824	半Q	放大器+™	大部分	过时的	-40℃～150℃	安装结构	模块	GSID080			1710W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	10	单身的																							-	1200伏	160A		2V@15V，80A						1毫安	是的	7nF@25V
GSXD050A020S1-D3	31.8774	询价	3259	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD050		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	200V	50A	920 毫伏 @ 50 安		3毫安@200伏	-40℃～150℃
GCMS080B120S1-E1	25.9600	询价	75	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GCMS080		SiCFET（碳化硅）			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-GCMS080B120S1-E1	EAR99	8541.29.0095	10			N沟道		1200伏	30A（温度）	20V	100毫欧@20A，20V	4V@10mA	58nC@20V	+25V，-10V	1374pF@1000V	-	142W（温度）
GP3D010A120A	6.0000	询价	6	半Q	放大器+™	管子	的积极		通孔	TO-220-2	GP3D010		SiC（碳化硅）肖特基			TO-220-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)														1200伏		1.65V@10A	0纳秒	1200V时为20μA	-55℃～175℃	10A	608pF @ 1V、1MHz
GP2D020A065B	-	询价	7087	半Q	放大器+™	管子	SIC停产		通孔	TO-247-2			SiC（碳化硅）肖特基			TO-247-2	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)														650伏		1.65V@20A		650V时为200μA	-55℃～175℃	20A	1V、1MHz时为1054pF
GSXD060A015S1-D3	33.2649	询价	第1187章	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD060		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	150伏	60A	880毫伏@60安		3毫安@150伏	-40℃～150℃
GSXD120A004S1-D3	41.4100	询价	10	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD120		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	45V	120A	700毫伏@120安		1毫安@45伏	-40℃～150℃
GPA025A120MN-ND	-	询价	6976	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		312W		TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1				600V，25A，10欧姆，15V															480纳秒					NPT 和测量	1200伏	50A	75A	2.5V@15V，25A	4.15mJ（开），870μJ（关）	350℃	57纳秒/240纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(191)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²