分立半导体产品(191)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce
GSXD050A006S1-D3	31.8774	询价	3256	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD050		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	60V	50A	750 毫伏 @ 50 安		1毫安@60伏	-40℃～150℃
GP3D008A065A	2.0600	询价	4930	半Q	放大器+™	管子	的积极		通孔	TO-220-2	GP3D008		SiC（碳化硅）肖特基			TO-220-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)														650伏		1.6V@8A	0纳秒	650V时为20μA	-55℃～175℃	8A	336pF@1V、1MHz
GSXF120A020S1-D3	38.6179	询价	7517	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXF120		标准			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	200V	120A	1V@120A	100纳秒	25μA@200V	-55℃～175℃
GP2T040A120U	20.8400	询价	30	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			SiCFET（碳化硅）			TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1560-GP2T040A120U	EAR99	8541.29.0095	30			N沟道		1200伏	63A（温度）	20V	52毫欧@40A，20V	4V@10mA	118nC@20V	+25V，-10V	1000V时为3192pF	-	322W（温度）
GSXF120A120S1-D3	39.6525	询价	9398	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXF120		标准			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	1200伏	120A	2.35V@120A	135纳秒	1200V时为25μA	-55℃～175℃
GSXF100A120S1-D3	39.7100	询价	61	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXF100		标准			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	1200伏	100A	2.35V@100A	125纳秒	1200V时为25μA	-55℃～175℃
GSXD060A004S1-D3	33.8235	询价	2498	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD060		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	45V	60A	700 毫伏 @ 60 安		1毫安@45伏	-40℃～150℃
GP2D005A120A	-	询价	8876	半Q	放大器+™	管子	SIC停产		通孔	TO-220-2			SiC（碳化硅）肖特基			TO-220-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-1036-5	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)														1200伏		1.8V@5A	0纳秒	10μA@1200V	-55℃～175℃	5A	317pF@1V、1MHz
GP2D010A120A	-	询价	3273	半Q	放大器+™	管子	SIC停产		通孔	TO-220-2			SiC（碳化硅）肖特基			TO-220-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-1043-5	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)														1200伏		1.8V@10A	0纳秒	1200V时为20μA	-55℃～175℃	10A	635pF @ 1V、1MHz
GSXD060A008S1-D3	37.7700	询价	1	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD060		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	80V	60A	840 毫伏 @ 60 安		1毫安@80伏	-40℃～150℃
GSXF100A060S1-D3	-	询价	1220	半Q	-	管子	过时的		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXF100		标准			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	600伏	100A	1.5V@100A	90纳秒	600V时为25μA	-55℃～175℃
GSXD160A015S1-D3	41.7555	询价	9433	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD160		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	150伏	160A	880毫伏@160安		3毫安@150伏	-40℃～150℃
GCMX040B120S1-E1	29.3400	询价	30	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GCMX040		SiC（碳化硅结晶体管）			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1560-GCMX040B120S1-E1	EAR99	8541.29.0095	10			N沟道		1200伏	57A（温度）	20V	52毫欧@40A，20V	4V@10mA	121nC@20V	+25V，-10V	1000V时为3185pF	-	242W（温度）
GP2D005A170B	-	询价	2345	半Q	放大器+™	管子	SIC停产		通孔	TO-247-2			SiC（碳化硅）肖特基			TO-247-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-1038-5	EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)														1700伏		1.75V@5A	0纳秒	1700V时为10μA	-55℃～175℃	5A	406pF@1V、1MHz
GSXD160A010S1-D3	45.3900	询价	4825	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD160		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	100伏	160A	840毫伏@160安		1毫安@100伏	-40℃～150℃
GSXD050A012S1-D3	35.5100	询价	5	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD050		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	120V	50A	880毫伏@50安		3毫安@120伏	-40℃～150℃
GSXD100A010S1-D3	33.9200	询价	8225	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD100		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	100伏	100A	840 毫伏 @ 100 安		1毫安@100伏	-40℃～150℃
GSID080A120B1A5	-	询价	6824	半Q	放大器+™	大部分	过时的	-40℃～150℃	安装结构	模块	GSID080			1710W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	10	单身的																							-	1200伏	160A		2V@15V，80A						1毫安	是的	7nF@25V
GP2D003A065A	-	询价	8046	半Q	放大器+™	管子	过时的		通孔	TO-220-2			SiC（碳化硅）肖特基			TO-220-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-1034-5	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)														650伏		1.65V@3A	0纳秒	650V时为30μA	-55℃～175℃	3A	158pF@1V、1MHz
GP3D015A120B	7.3903	询价	7673	半Q	放大器+™	管子	的积极		通孔	TO-247-2	GP3D015		SiC（碳化硅）肖特基			TO-247-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-GP3D015A120B	EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)														1200伏		1.6V@15A	0纳秒	1200V时为30μA	-55℃～175℃	15A	962pF@1V、1MHz
GHXS015A120S-D3	39.8900	询价	1	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GHXS015		SiC（碳化硅）肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	10		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	1200伏	15A	1.7V@15A		100μA@1200V	-55℃～175℃
GPA020A135MN-FD	-	询价	2337	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		223 W		TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1				600V，20A，10欧姆，15V															425纳秒					沟渠场站	1350伏	40A	60A	2.3V@15V，20A	2.5mJ（开），760μJ（关）	180℃	25纳秒/175纳秒
GP2T040A120H	21.2800	询价	75	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4			SiCFET（碳化硅）			TO-247-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1560-GP2T040A120H	EAR99	8541.29.0095	30			N沟道		1200伏	63A（温度）	20V	52毫欧@40A，20V	4V@10mA	118nC@20V	+25V，-10V	1000V时为3192pF	-	322W（温度）
GSID150A120S3B1	-	询价	3805	半Q	放大器+™	大部分	过时的	-40℃～150℃	安装结构	D-3模块	GSID150			940W	标准	D3	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	4	2 独立																							-	1200伏	300A		2V@15V，150A						1毫安	不	14nF@25V
GP3D050A120B	23.2600	询价	146	半Q	放大器+™	管子	的积极		通孔	TO-247-2	GP3D050		SiC（碳化硅）肖特基			TO-247-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)														1200伏		1.7V@50A	0纳秒	100μA@1200V	-55℃～175℃	50A	3040pF @ 1V、1MHz
GHXS050A170S-D3	177.6100	询价	21	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GHXS050		SiC（碳化硅）肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	10		无恢复T>500mA(Io)													2 独立	1700伏	150A	1.9V@50A		1700V时为750μA	-55℃～175℃
GP3D020A065A	5.3302	询价	9691	半Q	放大器+™	管子	的积极		通孔	TO-220-2	GP3D020		SiC（碳化硅）肖特基			TO-220-2	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行	1560-GP3D020A065A	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)														650伏		1.65V@30A		650V时为75μA	-55℃～175℃	20A	1247pF @ 1V、1MHz
GHXS030A060S-D1E	67.1600	询价	39	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GHXS030		碳化硅肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	10																		1.7V@30A		100 µA @ 600 V		30A										单相	600伏
GP2D030A120U	-	询价	3074	半Q	放大器+™	管子	SIC停产		通孔	TO-247-3			SiC（碳化硅）肖特基			TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-1233-5	EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)													1对共轴线	1200伏	50A（直流）	1.8V@15A		1200V时为30μA	-55℃～175℃
GSXD060A018S1-D3	33.2649	询价	6866	半Q	-	管子	的积极		安装结构	SOT-227-4，迷你块	GSXD060		肖特基			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	13		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													2 独立	180伏	60A	920 毫伏 @ 60 安		3毫安@180伏	-40℃～150℃

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(191)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²