SIC
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（191）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
GP2D024A065U SemiQ GP2D024A065U -
RFQ
 ECAD 9837 0.00000000 semiq - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 SIC （碳化硅） TO-247-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 650 v 36A（DC） 1.65 V @ 12 A 0 ns 120 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
GSID150A120S5C1 SemiQ GSID150A120S5C1 -
RFQ
 ECAD 1331 0.00000000 semiq - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 GSID150 1087 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 1560-1230 Ear99 8541.29.0095 2 三相逆变器 - 1200 v 285 a 2.1V @ 15V，150a 1 MA 是的 21.2 NF @ 25 V
GSID100A120T2P2 SemiQ GSID100A120T2P2 -
RFQ
 ECAD 8230 0.00000000 semiq AMP+™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 GSID100 710 w 三相桥梁整流器 模块 下载 rohs3符合条件 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 3 三相逆变器 - 1200 v 200 a 2.1V @ 15V，100a 1 MA 是的 13.7 NF @ 25 V
GSID150A120S3B1 SemiQ GSID150A120S3B1 -
RFQ
 ECAD 3805 0.00000000 semiq AMP+™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C 底盘安装 D-3模块 GSID150 940 w 标准 D3 下载 rohs3符合条件 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 4 2独立 - 1200 v 300 a 2V @ 15V，150a 1 MA 不 14 NF @ 25 V
GSID200A120S3B1 SemiQ GSID200A120S3B1 -
RFQ
 ECAD 6870 0.00000000 semiq AMP+™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C 底盘安装 D-3模块 GSID200 1595 w 标准 D3 下载 rohs3符合条件 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 4 2独立 - 1200 v 400 a 2V @ 15V，200a 1 MA 不 20 nf @ 25 V
GSID150A120S6A4 SemiQ GSID150A120S6A4 -
RFQ
 ECAD 4782 0.00000000 semiq AMP+™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 GSID150 1035 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 4 单身的 - 1200 v 275 a 1.9V @ 15V，150a 1 MA 是的 20.2 NF @ 25 V
GSXD060A006S1-D3 SemiQ GSXD060A006S1-D3 33.2649
RFQ
 ECAD 3708 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GSXD060 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 60 V 60a 750 mv @ 60 a 1 mA @ 60 V -40°C〜150°C
GP2D005A120A SemiQ GP2D005A120A -
RFQ
 ECAD 8876 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 1560-1036-5 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 5 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 5a 317pf @ 1V，1MHz
GPI040A060MN-FD SemiQ GPI040A060MN-FD -
RFQ
 ECAD 7915 0.00000000 semiq - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 标准 231 w to-3pn 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 400V，40a，5ohm，15V 60 ns 沟渠场停止 600 v 80 a 120 a 2.3V @ 15V，40a 1.46mj（在）（540µJ）上） 173 NC 35NS/85NS
GCMS080B120S1-E1 SemiQ GCMS080B120S1-E1 25.9600
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 semiq - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GCMS080 sicfet （碳化硅） SOT-227 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 1560-GCMS080B120S1-E1 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1200 v 30A（TC） 20V 100mohm @ 20a，20v 4V @ 10mA 58 NC @ 20 V +25V，-10V 1374 PF @ 1000 V - 142W（TC）
GSXF100A060S1-D3 SemiQ GSXF100A060S1-D3 -
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 semiq - 管子 过时的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GSXF100 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 600 v 100a 1.5 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
GPA040A120L-ND SemiQ GPA040A120L-ND -
RFQ
 ECAD 2278 0.00000000 semiq - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA 标准 455 w TO-264 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 25 600V，40a，5ohm，15V 220 ns 腐败和战战trench 1200 v 80 a 120 a 2.8V @ 15V，40a 5.8MJ（在）上，1.5MJ（1.5MJ） 510 NC 41NS/200NS
GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B 7.3903
RFQ
 ECAD 7673 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 GP3D015 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 1560-GP3D015A120B Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.6 V @ 15 A 0 ns 30 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 15a 962pf @ 1V，1MHz
GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A 3.2444
RFQ
 ECAD 2691 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 GP3D012 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 1560-GP3D012A065A Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 12 A 0 ns 30 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 12a 572pf @ 1V，1MHz
GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A 5.3302
RFQ
 ECAD 9691 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 GP3D020 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 rohs3符合条件 到达受影响 1560-GP3D020A065A Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.65 V @ 30 A 75 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 20a 1247pf @ 1V，1MHz
GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U 20.8400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 semiq - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 sicfet （碳化硅） TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 1560-GP2T040A120U Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 63A（TC） 20V 52MOHM @ 40a，20V 4V @ 10mA 118 NC @ 20 V +25V，-10V 3192 PF @ 1000 V - 322W（TC）
GP2T040A120H SemiQ GP2T040A120H 21.2800
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 semiq - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 sicfet （碳化硅） TO-247-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 1560-GP2T040A120H Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 63A（TC） 20V 52MOHM @ 40a，20V 4V @ 10mA 118 NC @ 20 V +25V，-10V 3192 PF @ 1000 V - 322W（TC）
GPA040A120L-FD SemiQ GPA040A120L-FD -
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 semiq - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA 标准 480 w TO-264 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 25 600V，40a，5ohm，15V 200 ns 沟渠场停止 1200 v 80 a 120 a 2.6V @ 15V，40a 5.3MJ（在）上，1.1MJ off） 480 NC 55NS/200NS
GPA015A120MN-ND SemiQ GPA015A120MN-ND -
RFQ
 ECAD 1402 0.00000000 semiq - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 标准 212 w to-3pn 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V，15a，10ohm，15V 320 ns 腐败和战战trench 1200 v 30 a 45 a 2.5V @ 15V，15a 1.61mj（在）上，530µJ off） 210 NC 25NS/166NS
GPA030A120I-FD SemiQ GPA030A120I-FD -
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 semiq - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 标准 329 w TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V，30a，10ohm，15V 450 ns 沟渠场停止 1200 v 60 a 90 a 2.5V @ 15V，30a 4.5MJ（在）上，850µJ（OFF） 330 NC 40NS/245NS
GHXS030A060S-D1E SemiQ GHXS030A060S-D1E 67.1600
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 semiq - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GHXS030 schottky SOT-227 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.7 V @ 30 A 100 µA @ 600 V 30 a 单相 600 v
GSXF100A120S1-D3 SemiQ GSXF100A120S1-D3 39.7100
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GSXF100 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 1200 v 100a 2.35 V @ 100 A 125 ns 25 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
GPA020A135MN-FD SemiQ GPA020A135MN-FD -
RFQ
 ECAD 2337 0.00000000 semiq - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 标准 223 w to-3pn 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V，20a，10ohm，15V 425 ns 沟渠场停止 1350 v 40 a 60 a 2.3V @ 15V，20A 2.5mj（在）上，760µJ off） 180 NC 25NS/175NS
GPA030A120MN-FD SemiQ GPA030A120MN-FD -
RFQ
 ECAD 1512 0.00000000 semiq - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 标准 329 w to-3pn 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V，30a，10ohm，15V 450 ns 沟渠场停止 1200 v 60 a 90 a 2.5V @ 15V，30a 4.5MJ（在）上，850µJ（OFF） 330 NC 40NS/245NS
GPA042A100L-ND SemiQ GPA042A100L-ND -
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 semiq - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA 标准 463 w TO-264 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 25 600V，60a，50ohm，15V 465 ns 腐败和战战trench 1000 v 60 a 120 a 2.9V @ 15V，60a 13.1MJ（在）上，6.3MJ（（） 405 NC 230NS/1480NS
GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B 23.2600
RFQ
 ECAD 146 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 GP3D050 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.7 V @ 50 A 0 ns 100 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 50a 3040pf @ 1V，1MHz
GPA060A060MN-FD SemiQ GPA060A060MN-FD -
RFQ
 ECAD 7066 0.00000000 semiq - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 标准 347 w to-3pn 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 400V，60a，10ohm，15V 140 ns 沟渠场停止 600 v 120 a 180 a 2.3V @ 15V，60a 2.66mj（在）上，1.53mj off） 225 NC 45NS/150NS
GSXD100A010S1-D3 SemiQ GSXD100A010S1-D3 33.9200
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 GSXD100 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 100 v 100a 840 mv @ 100 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
GP2D060A120U SemiQ GP2D060A120U -
RFQ
 ECAD 7053 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 SIC （碳化硅） TO-247-3 下载 rohs3符合条件 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 94A（DC） 1.8 V @ 30 A 500 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
GPA040A120MN-FD SemiQ GPA040A120MN-FD -
RFQ
 ECAD 2545 0.00000000 semiq - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 标准 480 w to-3pn 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V，40a，5ohm，15V 200 ns 沟渠场停止 1200 v 80 a 120 a 2.6V @ 15V，40a 5.3MJ（在）上，1.1MJ off） 480 NC 55NS/200NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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