SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 测试条件 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C
GSXD080A006S1-D3 SemiQ GSXD080A006S1-D3 -
RFQ
ECAD 1562 0.00000000 semiq - 管子 过时的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD080 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 60 V 80a 750 MV @ 80 A 1 mA @ 60 V -40°C〜150°C
GSXD050A004S1-D3 SemiQ GSXD050A004S1-D3 32.7063
RFQ
ECAD 2349 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD050 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 45 v 50a 700 MV @ 50 A 1 mA @ 45 V -40°C〜150°C
GSXF060A120S1-D3 SemiQ GSXF060A120S1-D3 34.6525
RFQ
ECAD 4886 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXF060 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 1200 v 60a 2.35 V @ 60 A 90 ns 25 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
GSXF120A100S1-D3 SemiQ GSXF120A100S1-D3 39.6525
RFQ
ECAD 3564 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXF120 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 1000 v 120a 2.35 V @ 120 A 135 ns 25 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C
GP3D010A120C SemiQ GP3D010A120C -
RFQ
ECAD 7119 0.00000000 semiq * 管子 积极的 GP3D010 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1
GSXD050A010S1-D3 SemiQ GSXD050A010S1-D3 31.8774
RFQ
ECAD 9570 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD050 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 100 v 50a 840 mv @ 50 A 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
GSXD160A012S1-D3 SemiQ GSXD160A012S1-D3 -
RFQ
ECAD 3259 0.00000000 semiq - 管子 过时的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD160 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 120 v 160a 880 mv @ 160 A 3 ma @ 120 V -40°C〜150°C
GP2D010A120B SemiQ GP2D010A120B -
RFQ
ECAD 1417 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 1560-1044-5 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 20 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 10a 635pf @ 1V,1MHz
GP3D008A065A SemiQ GP3D008A065A 2.0600
RFQ
ECAD 4930 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 GP3D008 SIC (碳化硅) TO-220-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.6 V @ 8 A 0 ns 20 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 8a 336pf @ 1V,1MHz
GP2D020A120U SemiQ GP2D020A120U -
RFQ
ECAD 5604 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 33A(DC) 1.8 V @ 10 A 20 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
GP2D020A065U SemiQ GP2D020A065U -
RFQ
ECAD 5248 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 30A(DC) 1.65 V @ 10 A 100 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
GP2D008A065A SemiQ GP2D008A065A -
RFQ
ECAD 4230 0.00000000 semiq - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.45 V @ 30 A 0 ns 9 µA @ 650 V - 8a -
GPA030A135MN-FDR SemiQ GPA030A135MN-FDR -
RFQ
ECAD 5364 0.00000000 semiq - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 标准 329 w to-3pn 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V,30a,5ohm,15V 450 ns 沟渠场停止 1350 v 60 a 90 a 2.4V @ 15V,30a 4.4mj(在)上,1.18MJ off) 300 NC 30ns/145ns
GSXF060A040S1-D3 SemiQ GSXF060A040S1-D3 31.8774
RFQ
ECAD 6933 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXF060 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 400 v 60a 1.3 V @ 60 A 75 ns 25 µA @ 400 V -55°C 〜175°C
GHXS045A120S-D3 SemiQ GHXS045A120S-D3 88.5000
RFQ
ECAD 8493 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GHXS045 SIC (碳化硅) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 1200 v 45a 1.7 V @ 45 A 300 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
GSXD080A004S1-D3 SemiQ GSXD080A004S1-D3 39.3400
RFQ
ECAD 64 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD080 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 45 v 80a 700 mv @ 80 a 1 mA @ 45 V -40°C〜150°C
GSXD080A010S1-D3 SemiQ GSXD080A010S1-D3 34.6525
RFQ
ECAD 5949 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD080 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 100 v 160a 840 mv @ 80 A 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
GSXF100A020S1-D3 SemiQ GSXF100A020S1-D3 35.2259
RFQ
ECAD 4347 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXF100 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 200 v 120a 1 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
GP2D006A065C SemiQ GP2D006A065C -
RFQ
ECAD 2603 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 在sic中停产 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252-2L(DPAK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 1560-1042-5 Ear99 8541.10.0080 75 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.65 V @ 6 A 0 ns 60 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 6a 316pf @ 1V,1MHz
GSXD100A018S1-D3 SemiQ GSXD100A018S1-D3 33.9200
RFQ
ECAD 2744 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD100 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 180 v 100a 920 MV @ 100 A 3 ma @ 180 V -40°C〜150°C
GSXD300A170S2D5 SemiQ GSXD300A170S2D5 -
RFQ
ECAD 2356 0.00000000 semiq AMP+™ 大部分 过时的 底盘安装 Add-a-pak(3) GSXD300 标准 Add-a-Pak® 下载 rohs3符合条件 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 6 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1700 v 1.9 V @ 300 A 540 ns -40°C〜150°C 300A -
GSXF060A100S1-D3 SemiQ GSXF060A100S1-D3 33.9986
RFQ
ECAD 2460 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXF060 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 1000 v 60a 2.35 V @ 60 A 90 ns 25 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C
GP2D006A065A SemiQ GP2D006A065A -
RFQ
ECAD 9773 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 1560-1041-5 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.65 V @ 6 A 0 ns 60 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 6a 316pf @ 1V,1MHz
GP3D006A065C SemiQ GP3D006A065C -
RFQ
ECAD 9430 0.00000000 semiq * 管子 积极的 GP3D006 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1
GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U 7.0947
RFQ
ECAD 4610 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GP3D040 SIC (碳化硅) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 1560-GP3D040A065U Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 20 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 40a 835pf @ 1V,1MHz
GHXS030A060S-D3 SemiQ GHXS030A060S-D3 36.6337
RFQ
ECAD 9681 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GHXS030 SIC (碳化硅) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 600 v 30a 1.7 V @ 3 A 100 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
GP2D005A120C SemiQ GP2D005A120C -
RFQ
ECAD 1349 0.00000000 semiq AMP+™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252-2L(DPAK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 5 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 5a 317pf @ 1V,1MHz
GSXF030A120S1-D3 SemiQ GSXF030A120S1-D3 -
RFQ
ECAD 8298 0.00000000 semiq - 管子 过时的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXF030 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 GSXF030A120S1D3 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 1200 v 30a 2.35 V @ 30 A 85 ns 25 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U 6.2290
RFQ
ECAD 2211 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GP3D024 SIC (碳化硅) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 12a 1.5 V @ 12 A 0 ns 30 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
GP3D010A120U SemiQ GP3D010A120U -
RFQ
ECAD 6442 0.00000000 semiq * 管子 积极的 GP3D010 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库