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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 测试条件 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
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![]() | GSXD080A006S1-D3 | - | ![]() | 1562 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 过时的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 60 V | 80a | 750 MV @ 80 A | 1 mA @ 60 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||
![]() | GSXD050A004S1-D3 | 32.7063 | ![]() | 2349 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 45 v | 50a | 700 MV @ 50 A | 1 mA @ 45 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||
![]() | GSXF060A120S1-D3 | 34.6525 | ![]() | 4886 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXF060 | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 1200 v | 60a | 2.35 V @ 60 A | 90 ns | 25 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||
![]() | GSXF120A100S1-D3 | 39.6525 | ![]() | 3564 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXF120 | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 1000 v | 120a | 2.35 V @ 120 A | 135 ns | 25 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||
![]() | GP3D010A120C | - | ![]() | 7119 | 0.00000000 | semiq | * | 管子 | 积极的 | GP3D010 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD050A010S1-D3 | 31.8774 | ![]() | 9570 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 100 v | 50a | 840 mv @ 50 A | 1 mA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||
![]() | GSXD160A012S1-D3 | - | ![]() | 3259 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 过时的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD160 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 120 v | 160a | 880 mv @ 160 A | 3 ma @ 120 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||
![]() | GP2D010A120B | - | ![]() | 1417 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-1044-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 10a | 635pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||
![]() | GP3D008A065A | 2.0600 | ![]() | 4930 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | GP3D008 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.6 V @ 8 A | 0 ns | 20 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 8a | 336pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||
![]() | GP2D020A120U | - | ![]() | 5604 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 33A(DC) | 1.8 V @ 10 A | 20 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||
![]() | GP2D020A065U | - | ![]() | 5248 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 30A(DC) | 1.65 V @ 10 A | 100 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||||
![]() | GP2D008A065A | - | ![]() | 4230 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.45 V @ 30 A | 0 ns | 9 µA @ 650 V | - | 8a | - | |||||||||||||||||
![]() | GPA030A135MN-FDR | - | ![]() | 5364 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | 标准 | 329 w | to-3pn | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V,30a,5ohm,15V | 450 ns | 沟渠场停止 | 1350 v | 60 a | 90 a | 2.4V @ 15V,30a | 4.4mj(在)上,1.18MJ off) | 300 NC | 30ns/145ns | |||||||||||||
![]() | GSXF060A040S1-D3 | 31.8774 | ![]() | 6933 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXF060 | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 400 v | 60a | 1.3 V @ 60 A | 75 ns | 25 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||
![]() | GHXS045A120S-D3 | 88.5000 | ![]() | 8493 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GHXS045 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 1200 v | 45a | 1.7 V @ 45 A | 300 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||
![]() | GSXD080A004S1-D3 | 39.3400 | ![]() | 64 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 45 v | 80a | 700 mv @ 80 a | 1 mA @ 45 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||
![]() | GSXD080A010S1-D3 | 34.6525 | ![]() | 5949 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 100 v | 160a | 840 mv @ 80 A | 1 mA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||
![]() | GSXF100A020S1-D3 | 35.2259 | ![]() | 4347 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXF100 | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 120a | 1 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||
![]() | GP2D006A065C | - | ![]() | 2603 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252-2L(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-1042-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.65 V @ 6 A | 0 ns | 60 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | 316pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||
![]() | GSXD100A018S1-D3 | 33.9200 | ![]() | 2744 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXD100 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 180 v | 100a | 920 MV @ 100 A | 3 ma @ 180 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||
![]() | GSXD300A170S2D5 | - | ![]() | 2356 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | Add-a-pak(3) | GSXD300 | 标准 | Add-a-Pak® | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1700 v | 1.9 V @ 300 A | 540 ns | -40°C〜150°C | 300A | - | ||||||||||||||||||
![]() | GSXF060A100S1-D3 | 33.9986 | ![]() | 2460 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXF060 | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 1000 v | 60a | 2.35 V @ 60 A | 90 ns | 25 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||
GP2D006A065A | - | ![]() | 9773 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-1041-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.65 V @ 6 A | 0 ns | 60 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | 316pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||
![]() | GP3D006A065C | - | ![]() | 9430 | 0.00000000 | semiq | * | 管子 | 积极的 | GP3D006 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D040A065U | 7.0947 | ![]() | 4610 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | GP3D040 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-GP3D040A065U | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 40a | 835pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||
![]() | GHXS030A060S-D3 | 36.6337 | ![]() | 9681 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GHXS030 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 600 v | 30a | 1.7 V @ 3 A | 100 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||
![]() | GP2D005A120C | - | ![]() | 1349 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252-2L(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 5 A | 0 ns | 10 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 5a | 317pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||
![]() | GSXF030A120S1-D3 | - | ![]() | 8298 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 过时的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GSXF030 | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | GSXF030A120S1D3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 1200 v | 30a | 2.35 V @ 30 A | 85 ns | 25 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||
![]() | GP3D024A065U | 6.2290 | ![]() | 2211 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | GP3D024 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 12a | 1.5 V @ 12 A | 0 ns | 30 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||
![]() | GP3D010A120U | - | ![]() | 6442 | 0.00000000 | semiq | * | 管子 | 积极的 | GP3D010 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 |
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