SIC
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离散的半导体产品（（43）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
AS1M025120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120T 39.5600
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Anbon 半导体（（Int'l） - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-4 sicfet （碳化硅） TO-247-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4530-AS1M025120T Ear99 8541.21.0095 30 n通道 1200 v 65A（TC） 20V 34mohm @ 50a，20v 4V @ 15mA 195 NC @ 20 V +25V，-10V 4200 PF @ 1000 V - 370W（TC）
AS6004 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS6004 0.5000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Anbon 半导体（（Int'l） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3L 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 3,000 P通道 60 V 4A（ta） 4.5V，10V 120MOHM @ 4A，10V 3V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 930 PF @ 30 V - 1.5W（TA）
AS3D040120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D040120P2 11.7100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Anbon 半导体（（Int'l） - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 AS3D04012 SIC （碳化硅） TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4530-AS3D040120P2 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 52A（DC） 1.8 V @ 20 A 0 ns 20 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
BSS138 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS138 0.1700
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Anbon 半导体（（Int'l） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 50 V 220mA（ta） 4.5V，10V 3ohm @ 500mA，10v 1.6V @ 250µA ±20V 27 PF @ 25 V - 350MW（TA）
AS3D020065A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020065A 4.6100
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 Anbon 半导体（（Int'l） - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4530-AS3D020065A Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.65 V @ 20 A 0 ns 20 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 56a 1190pf @ 0v，1MHz
MMBT3904 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT3904 0.1000
RFQ
 ECAD 194 0.00000000 Anbon 半导体（（Int'l） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBT390 300兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 200 ma 50NA NPN 300mv @ 5mA，50mA 100 @ 10mA，1V 250MHz
40SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 40sq045 1.3200
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 Anbon 半导体（（Int'l） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 1,500
BSS84 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS84 0.1900
RFQ
 ECAD 153 0.00000000 Anbon 半导体（（Int'l） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 50 V 130mA（ta） 4.5V，10V 8ohm @ 150mA，10v 2.5V @ 250µA ±20V 30 pf @ 30 V - 225MW（TA）
MMBT4401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT4401 0.1200
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 Anbon 半导体（（Int'l） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 350兆 SOT-23-3L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 40 V 600 MA 100NA NPN 750mv @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，1V 250MHz
2N7002E ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 2N7002E 0.1400
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Anbon 半导体（（Int'l） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2N7002 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4530-2N7002ETR Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 340ma（ta） 4.5V，10V 5ohm @ 300mA，10v 2.5V @ 250µA 2.4 NC @ 10 V ±20V 18 pf @ 30 V - 350MW（TA）
SD103AWS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED SD103AWS 0.1100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Anbon 半导体（（Int'l） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-76，SOD-323 肖特基 SOD-323 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µA @ 30 V -55°C〜125°C 350mA 50pf @ 0v，1MHz
MMBD4148SE ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBD4148SE 0.1100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Anbon 半导体（（Int'l） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准 SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4530-MMBD4148SECT Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对系列连接 75 v 150mA 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µA @ 75 V -55°C〜150°C
AS1M080120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M080120P 11.9700
RFQ
 ECAD 128 0.00000000 Anbon 半导体（（Int'l） - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 sicfet （碳化硅） TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4530-AS1M080120P Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 36a（TC） 20V 98mohm @ 20a，20v 4V @ 5mA 79 NC @ 20 V +25V，-10V 1475 PF @ 1000 V - 192W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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