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离散的半导体产品（（43）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
AS3401	0.2900	RFQ	61	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.4a（ta）	2.5V，10V	55MOHM @ 4.4A，10V	1.4V @ 250µA	7.2 NC @ 10 V	±12V	680 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
AS2302	0.1900	RFQ	34	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	55mohm @ 3A，4.5V	1.25V @ 250µA	3.81 NC @ 4.5 V	±10V	220 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
1N4148WT	0.1000	RFQ	45	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-79，SOD-523	1N4148	标准		SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	8,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	-55°C〜150°C	150mA	2pf @ 0v，1MHz
MMBT5401	0.1200	RFQ	27	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						150 v	600 MA	50NA（iCBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
BC847B	0.1000	RFQ	127	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						45 v	100 ma	100NA	NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
MMBT2222A	0.1600	RFQ	37	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2222		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						40 V	600 MA	10NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
MMBT4403	0.1200	RFQ	126	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						40 V	600 MA	100NA	PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
1N4148W	0.1000	RFQ	69	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-123	1N4148	标准		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µA @ 75 V	-55°C〜150°C	150mA	1.5pf @ 0v，1MHz
AS3D030120P2	9.2100	RFQ	30	Anbon 半导体（（Int'l）	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	AS3D03012	SIC （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	4530-AS3D030120P2	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）												1对普通阴极	1200 v	42a	1.8 V @ 15 A	0 ns	20 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
US1D-A	0.1200	RFQ	17	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准		SMA/DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	2,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
AS3D020120C	6.4900	RFQ	30	Anbon 半导体（（Int'l）	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-2		SIC （碳化硅）		TO-247-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	4530-AS3D020120C	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）													1200 v		1.8 V @ 20 A	0 ns	20 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	51a	1280pf @ 0v，1MHz
AS1M025120P	39.5400	RFQ	128	Anbon 半导体（（Int'l）	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		sicfet （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	4530-AS1M025120P	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	90A（TC）	20V	34mohm @ 50a，20v	4V @ 15mA	195 NC @ 20 V	+25V，-10V	3600 PF @ 1000 V	-	463W（TC）
RS1D-A	0.1000	RFQ	17	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	do-214ac，SMA		标准		SMA/DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	2,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
AS2312	0.2800	RFQ	33	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	6.8a（ta）	1.8V，4.5V	18mohm @ 6.8a，4.5V	1V @ 250µA	11.05 NC @ 4.5 V	±10V	888 pf @ 10 V	-	1.2W（TA）
BAV21WS	0.1100	RFQ	20	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-76，SOD-323	BAV21	标准		SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													250 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 NA @ 250 V	-55°C〜150°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
AS2324	0.2900	RFQ	36	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	2A（TA）	4.5V，10V	280MOHM @ 2A，10V	3V @ 250µA	5.3 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 50 V	-	1.2W（TA）
AS1M040120T	21.5300	RFQ	27	Anbon 半导体（（Int'l）	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		sicfet （碳化硅）		TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	4530-AS1M040120T	Ear99	8541.21.0095	30		n通道	1200 v	60a（TC）	20V	55mohm @ 40a，20v	4V @ 10mA	142 NC @ 20 V	+25V，-10V	2946 PF @ 1000 V	-	330W（TC）
MMBT2907A	0.1200	RFQ	40	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																						60 V	800 MA	20NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
AS3D020120P2	6.5200	RFQ	60	Anbon 半导体（（Int'l）	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	AS3D02012	SIC （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	4530-AS3D020120P2	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）												1对普通阴极	1200 v	30A（DC）	1.8 V @ 15 A	0 ns	20 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
BSS123	0.1400	RFQ	73	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	100 v	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 200mA，10v	2.5V @ 250µA	1.8 NC @ 10 V	±20V	14 pf @ 50 V	-	350MW（TA）
BAV99	0.1100	RFQ	125	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV99	标准		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对系列连接	70 v	215ma	1.25 V @ 150 mA	6 ns	2.5 µA @ 70 V	-55°C〜150°C
AS3D030065C	7.2300	RFQ	30	Anbon 半导体（（Int'l）	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-2		SIC （碳化硅）		TO-247-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	4530-AS3D030065C	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.8 V @ 30 A	0 ns	20 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	35a	1805pf @ 0v，1MHz
BCP56-16	0.4300	RFQ	15	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.6 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500																						80 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	-
MMBT5551	0.1200	RFQ	36	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	4530-MMBT5551TR	Ear99	8541.21.0095	3,000																						160 v	600 MA	50NA（iCBO）	NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	100MHz
AS3400	0.2900	RFQ	8	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	4530-AS3400DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	5.6a（ta）	2.5V，10V	27MOHM @ 5.6A，10V	1.5V @ 250µA	4.8 NC @ 4.5 V	±12V	535 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
AS2M040120P	21.5100	RFQ	7607	Anbon 半导体（（Int'l）	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		sicfet （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	60a（TC）	20V	55mohm @ 40a，20v	4V @ 10mA	142 NC @ 20 V	+25V，-10V	2946 PF @ 1000 V	-	330W（TC）
B5819WS	0.1900	RFQ	17	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-76，SOD-323		肖特基		SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		600 mV @ 1 A		1 mA @ 40 V	-55°C〜125°C	1a	120pf @ 4V，1MHz
30sq045	0.9500	RFQ	100	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）				1,500
BAV21W	0.1100	RFQ	9	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-123	BAV21	标准		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													250 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 NA @ 250 V	-55°C〜150°C	200mA	5pf @ 1V，1MHz
1N4148WS	0.1000	RFQ	53	Anbon 半导体（（Int'l）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-76，SOD-323	1N4148	标准		SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	-55°C〜150°C	150mA	2pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散的半导体产品（（43）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²