SIC
close

离散半导体产品（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
G3404LL Goford Semiconductor G3404LL 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 6A（TC） 4.5V，10V 22MOHM @ 4.2A，10V 2V @ 250µA 12.2 NC @ 10 V ±20V 541 PF @ 15 V - 1.2W（TC）
G2012 Goford Semiconductor G2012 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 12A（TC） 2.5V，4.5V 12MOHM @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±10V 1255 pf @ 10 V - 1.5W（TC）
GT095N10S Goford Semiconductor GT095N10S 0.9000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 100 v 11A（TC） 4.5V，10V 9.5Mohm @ 20a，10v 2.6V @ 250µA 29.4 NC @ 10 V ±20V 2131 PF @ 50 V 8W（TC）
G110N06T Goford Semiconductor G110N06T 1.6000
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 60 V 110A（TC） 4.5V，10V 6.4mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 113 NC @ 10 V ±20V 5538 pf @ 25 V - 120W（TC）
G400P06S Goford Semiconductor G400P06S 0.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 60 V 6A（TC） 10V 40mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 2506 pf @ 30 V - 1.7W（TC）
G20P10KE Goford Semiconductor G20P10KE 0.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 100 v 20A（TC） 10V 116mohm @ 16a，10v 3V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 3354 pf @ 50 V - 69W（TC）
G100N03D5 Goford Semiconductor G100N03D5 1.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 100A（TC） 4.5V，10V 3.5mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 5595 pf @ 50 V - 50W（TC）
G630J Goford Semiconductor G630J 0.8000
RFQ
 ECAD 732 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 75 n通道 200 v 9A（TC） 10V 280MOHM @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 11.8 NC @ 10 V ±20V 509 pf @ 25 V 标准 83W（TC）
G200P04S2 Goford Semiconductor G200P04S2 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G200 MOSFET （金属 o化物） 2.1W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 40V 9A（TC） 20mohm @ 7a，10v 2.5V @ 250µA 42NC @ 10V 2365pf @ 20V -
G170P03D3 Goford Semiconductor G170P03D3 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 30 V 20a 4.5V，10V - - - - 28W
G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA MOSFET （金属 o化物） SOT-89 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 2.5A（TC） 4.5V，10V 220MOHM @ 2A，10V 2V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 436 pf @ 50 V - 1.5W（TC）
G450N10D52 Goford Semiconductor G450N10D52 0.8700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN G450 80W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 100V 35A（TC） 45mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 26NC @ 10V 2196pf @ 50V 标准
G160N04K Goford Semiconductor G160N04K 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 40 V 25A（TC） 4.5V，10V 15mohm @ 8a，10v 2V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 1010 PF @ 20 V 标准 43W（TC）
GT013N04TI Goford Semiconductor GT013N04TI 1.4800
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 戈福德半导体 中士 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 n通道 40 V 220A（TC） 10V 2.5MOHM @ 30a，10V 5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 3986 pf @ 20 V 标准 90W（TC）
G7K2N20HE Goford Semiconductor G7K2N20HE 0.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 200 v 2A（TC） 4.5V，10V 700MOHM @ 1A，10V 2.5V @ 250µA 10.8 NC @ 10 V ±20V 568 pf @ 100 V 标准 1.8W（TC）
G120P03S2 Goford Semiconductor G120P03S2 0.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G120 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 30V 16A（TC） 14mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 35nc @ 10V 2835pf @ 15V 标准
G075N06MI Goford Semiconductor G075N06MI 1.4000
RFQ
 ECAD 757 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 1,600 n通道 60 V 110A（TC） 10V 7mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 6443 PF @ 30 V 标准 160W（TC）
G700P06J Goford Semiconductor G700P06J 0.4900
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 75 P通道 60 V 23A（TC） 4.5V，10V 70mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 1465 PF @ 30 V 标准 50W（TC）
G160P03KI Goford Semiconductor G160P03KI 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 30 V 30A（TC） 4.5V，10V 16mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 31.2 NC @ 10 V ±20V 1811 pf @ 15 V 标准 60W（TC）
G900P15K Goford Semiconductor G900P15K 1.5000
RFQ
 ECAD 276 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 150 v 50A（TC） 10V 80Mohm @ 5A，10V 4V @ 250µA 27 NC @ 4.5 V ±20V 3918 PF @ 75 V 标准 96W（TC）
G800N06H Goford Semiconductor G800N06H 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 60 V 3A（TC） 4.5V，10V 80mohm @ 3a，10v 1.2V @ 250µA 6 NC @ 4.5 V ±20V 457 PF @ 30 V 标准 1.2W（TC）
G080P06M Goford Semiconductor G080P06M 1.8900
RFQ
 ECAD 301 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 60 V 195a（TC） 10V 7.5mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 186 NC @ 10 V ±20V 15870 pf @ 30 V - 294W（TC）
GT700P08S Goford Semiconductor GT700P08S 0.6800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 80 V 6.5A（TC） 10V 72MOHM @ 2A，10V 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 1624 PF @ 40 V - 3W（TC）
G230P06T Goford Semiconductor G230P06T 1.0300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 60 V 60a（TC） 10V 20mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 4499 PF @ 30 V - 115W（TC）
G60N06T Goford Semiconductor G60N06T 0.8000
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 n通道 60 V 50A（TC） 4.5V，10V 17mohm @ 5a，10v 2V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2050 pf @ 30 V - 85W（TC）
6706A Goford Semiconductor 6706a 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 - 30V 6.5a（5a），5a（ta） 30mohm @ 5a，10v，60mohm @ 4a，10v 5.2nc @ 10v，9.2nc @ 10V 255pf @ 15V，520pf @ 15V 标准
GT025N06AD5 Goford Semiconductor GT025N06AD5 1.8300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 60 V 170a（TC） 4.5V，10V 2.2MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 81 NC @ 10 V ±20V 5044 PF @ 30 V - 104W（TC）
G170P02D2 Goford Semiconductor G170P02D2 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 20 v 16A（TC） 2.5V，4.5V 17mohm @ 6a，4.5V 1V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±8V 2179 PF @ 10 V - 18W（TC）
GT080N10M Goford Semiconductor GT080N10M 1.5200
RFQ
 ECAD 788 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 70A（TC） 4.5V，10V 7.5mohm @ 20a，10v 3V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 2125 PF @ 50 V - 100W（TC）
G800P06LL Goford Semiconductor G800P06LL 0.1040
RFQ
 ECAD 8171 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G800P06LLTR Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 60 V 3.5A（TC） 4.5V，10V 80mohm @ 3.1a，10v 3V @ 250µA 12 nc @ 4.5 V ±20V 650 pf @ 30 V - 2W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭