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离散半导体产品（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
2302 Goford Semiconductor 2302 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 4.3a（ta） 2.5V，4.5V 27mohm @ 2.2a，4.5V 1.1V @ 250µA 10 NC @ 4.5 V ±10V 300 pf @ 10 V 标准 1W（ta）
G30N04D3 Goford Semiconductor G30N04D3 0.6900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 30A（TC） 4.5V，10V 9.5Mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 1780 pf @ 20 V 标准 19.8W（TC）
G3035 Goford Semiconductor G3035 0.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.33.0001 3,000 P通道 30 V 4.6A（TC） 4.5V，10V 59mohm @ 4A，10V 2V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 650 pf @ 15 V - 1.4W（TC）
GT110N06S Goford Semiconductor GT110N06S 0.7300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 60 V 14A（TC） 4.5V，10V 11mohm @ 14a，10v 2.4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 3W（TC）
25P06 Goford Semiconductor 25P06 0.8300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 25A（TC） 10V 45mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±20V 3384 pf @ 30 V - 100W（TC）
G07P04S Goford Semiconductor G07P04S 0.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 40 V 7A（TC） 4.5V，10V 18mohm @ 7a，10v 2.5V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 1750 pf @ 20 V - 2.5W（TC）
GT060N04D3 Goford Semiconductor GT060N04D3 0.6600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 40a（TC） 4.5V，10V 6.5MOHM @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 32 NC @ 10 V ±20V 1282 PF @ 20 V - 36W（TC）
G11S Goford Semiconductor G11 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 20 v 11A（TC） 2.5V，4.5V 18.4mohm @ 1a，4.5V 1.1V @ 250µA 47 NC @ 10 V ±12V 2455 pf @ 10 V - 3.3W（TC）
G170P03S2 Goford Semiconductor G170P03S2 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TC） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G170 - 1.4W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 9A（TC） 25mohm @ 5A，4.5V 2.5V @ 250µA 18NC @ 10V 1786pf @ 4.5V -
G05N06S2 Goford Semiconductor G05N06S2 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-sop G05N MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TC） 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n通道 60V 5A（TC） 35mohm @ 5A，4.5V 2.5V @ 250µA 22nc @ 10V 1374pf @ 30V 标准
G20P06K Goford Semiconductor G20P06K 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 20A（TC） 10V 45mohm @ 12a，10v 3.5V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 3430 PF @ 30 V 90W（TC）
G2014 Goford Semiconductor G2014 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 14A（TC） 2.5V，10V 7MOHM @ 5A，10V 900mv @ 250µA 17.5 NC @ 4.5 V ±12V 1710 PF @ 10 V - 3W（TC）
G33N03S Goford Semiconductor G33N03S 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 30 V 13A（TC） 4.5V，10V 12mohm @ 8a，10v 1.1V @ 250µA 13 NC @ 5 V ±20V 1550 pf @ 15 V - 2.5W（TC）
G15N10C Goford Semiconductor G15N10C 0.6200
RFQ
 ECAD 463 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 15A（TC） 4.5V，10V 110MOHM @ 8A，10V 3V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V - 42W（TC）
G35N02K Goford Semiconductor G35N02K 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 20 v 35A（TC） 2.5V，4.5V 13mohm @ 20a，4.5V 1.2V @ 250µA 24 NC @ 4.5 V ±12V 1380 pf @ 10 V - 40W（TC）
GT025N06AT Goford Semiconductor GT025N06AT 1.7300
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 170a（TC） 4.5V，10V 2.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 4954 PF @ 30 V - 215W（TC）
G700P06T Goford Semiconductor G700P06T 0.6800
RFQ
 ECAD 4406 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 25A（TC） 4.5V，10V 70MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 1428 PF @ 30 V - 100W（TC）
G65P06F Goford Semiconductor G65P06F 1.1500
RFQ
 ECAD 196 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 65A（TC） 10V 18mohm @ 20a，10v 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 6477 PF @ 25 V - 39W（TC）
G15N06K Goford Semiconductor G15N06K 0.5300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 15A（TC） 4.5V，10V 45mohm @ 8a，10v 3V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 763 PF @ 30 V - 40W（TC）
G45P40T Goford Semiconductor G45P40T 0.9400
RFQ
 ECAD 399 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 40 V 45A（TC） 4.5V，10V 16mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 3269 PF @ 20 V - 80W（TC）
G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2 0.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G180 MOSFET （金属 o化物） 2W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 60V 8A（TC） 20mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 58nc @ 10V 2330pf @ 30V 标准
G2K3N10H Goford Semiconductor G2K3N10H 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 2A（TC） 4.5V，10V 220MOHM @ 2A，10V 2V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 434 PF @ 50 V - 2.4W（TC）
G25N06K Goford Semiconductor G25N06K 0.6200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 25A（TC） 10V 27mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 970 pf @ 30 V - 45W（TC）
G700P06D3 Goford Semiconductor G700P06D3 0.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 60 V 18A（TC） 4.5V，10V 70MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1446 pf @ 30 V - 32W（TC）
GT110N06D5 Goford Semiconductor GT110N06D5 0.9100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 戈福德半导体 GT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 5,000 n通道 60 V 45A（TC） 4.5V，10V 11mohm @ 14a，10v 2.4V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±20V 1202 PF @ 30 V - 69W（TC）
G66 Goford Semiconductor G66 0.6800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 3,000 P通道 16 V 5.8A（ta） 2.5V，4.5V 45MOHM @ 4.1A，4.5V 1V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 V ±8V 740 pf @ 4 V - 1.7W（TA）
G58N06F Goford Semiconductor G58N06F 0.9700
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 50 n通道 60 V 35A（TC） 4.5V，10V 13mohm @ 30a，10v 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 30006 PF @ 30 V 标准 44W（TC）
G300P06D5 Goford Semiconductor G300P06D5 0.9100
RFQ
 ECAD 5140 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 5,000 P通道 60 V 40a（TC） 10V 30mohm @ 10a，10v 3V @ 250µA 49 NC @ 10 V ±20V 2705 pf @ 30 V - 50W（TC）
G700P06D5 Goford Semiconductor G700P06D5 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 P通道 60 V 25A（TC） 4.5V，10V 70MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1451 PF @ 30 V 标准 42W（TC）
G900P15M Goford Semiconductor G900P15M 1.6400
RFQ
 ECAD 451 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 150 v 60a（TC） 10V 80Mohm @ 5A，10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±20V 4056 PF @ 75 V - 100W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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