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离散半导体产品（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
5N20A Goford Semiconductor 5n20a 0.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 5a 650MOHM @ 2.5A，10V 3V @ 250µA 10.8 NC @ 10 V ±20V 255 pf @ 25 V 78W
3415A Goford Semiconductor 3415a 0.0370
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 4A（ta） 2.5V，4.5V 45mohm @ 4A，4.5V 900mv @ 250µA 12 nc @ 4.5 V ±10V 950 pf @ 10 V - 1.4W（TA）
GT105N10K Goford Semiconductor GT105N10K 1.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 60a（TC） 10V 10.5MOHM @ 35A，10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±20V 1574 PF @ 50 V - 83W（TC）
G050P03K Goford Semiconductor G050P03K 1.0400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 85A（TC） 4.5V，10V 4.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 V ±20V 7051 PF @ 15 V - 100W（TC）
G7P03S Goford Semiconductor G7P03S 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 30 V 9A（TC） 4.5V，10V 22mohm @ 3a，10v 2V @ 250µA 24.5 NC @ 10 V ±20V 1253 PF @ 15 V - 2.7W（TC）
GT025N06AM Goford Semiconductor GT025N06AM 1.7000
RFQ
 ECAD 791 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 170a（TC） 4.5V，10V 2.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 5119 PF @ 30 V - 215W（TC）
4435 Goford Semiconductor 4435 0.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 30 V 11a 20mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 2270 pf @ 15 V 2.5W
GT52N10D5I Goford Semiconductor GT52N10D5I 0.3840
RFQ
 ECAD 2219 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT52N10D5ITR Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 100 v 65A（TC） 4.5V，10V 8ohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 2428 PF @ 50 V - 79W（TC）
G40P03K Goford Semiconductor G40P03K 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 40a（TC） 4.5V，10V 9.5Mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V - 138W（TC）
GT080N10TI Goford Semiconductor GT080N10TI 1.3440
RFQ
 ECAD 9530 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT080N10TI Ear99 8541.29.0000 50 n通道 100 v 65A（TC） 4.5V，10V 8mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 2328 PF @ 50 V - 100W（TC）
G12P10TE Goford Semiconductor G12P10TE -
RFQ
 ECAD 1666年 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 100 v 12A（TC） 10V 200mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 760 pf @ 25 V - 40W（TC）
G4614 Goford Semiconductor G4614 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 1.9W（TC），2.66W（tc） 8-sop 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 n和p通道 40V 6A（TC），7A （TC） 35mohm @ 3a，10v，35mohm @ 2a，10v 2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 15nc @ 10v，25nc @ 10V 523pf @ 20v，1217pf @ 20V 标准
G1K3N10LL Goford Semiconductor G1K3N10LL 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 n通道 100 v 3.4A（TC） 4.5V，10V 130MOHM @ 1A，10V 2.5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 808 PF @ 50 V - 2.28W（TC）
GT035N10Q Goford Semiconductor GT035N10Q 3.3000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 Rohs符合条件 不适用 到达不受影响 3141-GT035N10Q Ear99 8541.29.0000 30 n通道 100 v 190a（TC） 10V 3.5MOHM @ 30a，10v 4V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±20V 6516 pf @ 50 V - 277W（TC）
G26P04K Goford Semiconductor G26P04K 0.1710
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 40 V 26a（TC） 4.5V，10V 18mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V - 80W（TC）
G12P10KE Goford Semiconductor G12P10KE 0.1620
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 2,500 P通道 100 v 12A（TC） 4.5V，10V 200mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±20V 1720 PF @ 50 V - 57W（TC）
G220P02D2 Goford Semiconductor G220P02D2 0.0790
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 20 v 8A（TC） 4.5V，10V 20mohm @ 6a，10v 1.2V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±12V 1873 pf @ 10 V - 3.5W（TC）
5P40 Goford Semiconductor 5p40 0.0440
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 5.3a（ta） 4.5V，10V 85MOHM @ 5A，10V 3V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 650 pf @ 20 V - 2W（TA）
G28N03D3 Goford Semiconductor G28N03D3 0.0920
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 28a（TC） 4.5V，10V 12mohm @ 16a，10v 2.5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±20V 891 PF @ 15 V - 20.5W（TC）
GT180P08T Goford Semiconductor GT180P08T 1.7100
RFQ
 ECAD 5202 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT180P08T Ear99 8541.29.0000 50 P通道 40 V 89A（TC） 4.5V，10V 17mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 6040 pf @ 40 V - 245W（TC）
G080N10M Goford Semiconductor G080N10M 2.0300
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 1,000 n通道 100 v 180a（TC） 4.5V，10V 7.5mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 107 NC @ 4.5 V ±20V 13950 pf @ 50 V - 370W（TC）
G075N06MI Goford Semiconductor G075N06MI 1.4000
RFQ
 ECAD 757 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 1,600 n通道 60 V 110A（TC） 10V 7mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 6443 PF @ 30 V 标准 160W（TC）
G26P04D5 Goford Semiconductor G26P04D5 0.6400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 40 V 26a（TC） 4.5V，10V 18mohm @ 12a，10v 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 2479 PF @ 20 V - 50W（TC）
G15P04K Goford Semiconductor G15P04K 0.6200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 40 V 15a 39mohm @ 10a，10v 3V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 930 PF @ 20 V 50W
G75P04K Goford Semiconductor G75P04K 1.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 40 V 70A（TC） 10V 10mohm @ 10a，20v 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 5380 pf @ 20 V - 130W（TC）
GT100N04D3 Goford Semiconductor GT100N04D3 0.1090
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 40 V 13A（TC） 4.5V，10V 10mohm @ 5a，10v 2.5V @ 250µA 32 NC @ 10 V ±20V 642 PF @ 20 V - 23W（TC）
G800N06H Goford Semiconductor G800N06H 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 60 V 3A（TC） 4.5V，10V 80mohm @ 3a，10v 1.2V @ 250µA 6 NC @ 4.5 V ±20V 457 PF @ 30 V 标准 1.2W（TC）
18N10 Goford Semiconductor 18n10 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 25a 53mohm @ 10a，10v 3V @ 250µA 28 NC @ 10 V ±20V 1318 PF @ 50 V 62.5W
GT100N12D5 Goford Semiconductor GT100N12D5 1.5600
RFQ
 ECAD 9365 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 120 v 70a 10mohm @ 35a，10v 3.5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 3050 pf @ 60 V 120W
G10N10A Goford Semiconductor G10N10A 0.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 10a（10a） 4.5V，10V 130MOHM @ 2A，10V 3V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 690 pf @ 25 V - 28W（TA）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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