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离散半导体产品（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
GC11N65M Goford Semiconductor GC11N65M 1.7300
RFQ
 ECAD 778 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 650 v 11A（TC） 10V 360MOHM @ 5.5A，10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 V ±30V 768 PF @ 50 V - 78W（TC）
G70N04T Goford Semiconductor G70N04T 0.9100
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 70A（TC） 4.5V，10V 7mohm @ 30a，10v 2.4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 4010 PF @ 20 V - 104W（TC）
3400 Goford Semiconductor 3400 0.3600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 5.6a 59mohm @ 2.8a，2.5V 1.4V @ 250µA 9.5 NC @ 4.5 V ±12V 820 pf @ 15 V 1.4W
G040P04M Goford Semiconductor G040P04M 2.0300
RFQ
 ECAD 9724 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 1,000 P通道 40 V 222a（TC） 4.5V，10V 3.5MOHM @ 1A，10V 2.5V @ 250µA 206 NC @ 10 V ±20V 14983 PF @ 20 V - 312W（TC）
G300P06S Goford Semiconductor G300P06S 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 60 V 12A（TC） 10V 30mohm @ 8a，10v 3V @ 250µA 49 NC @ 10 V ±20V 2719 PF @ 30 V - 3W（TC）
630AT Goford Semiconductor 630at -
RFQ
 ECAD 4712 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 200 v 9A（TC） 4.5V，10V 250MOHM @ 1A，10V 2.2V @ 250µA 11.8 NC @ 10 V ±20V 509 pf @ 25 V - 83W（TC）
G20P08K Goford Semiconductor G20P08K -
RFQ
 ECAD 1746年 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 80 V 20A（TC） 4.5V，10V 62mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±20V 3500 PF @ 30 V - 60W（TC）
G2K2P10SE Goford Semiconductor G2K2P10SE 0.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 100 v 3.5A（TC） 4.5V，10V 200mohm @ 3a，10v 2.5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 1653 PF @ 50 V - 3.1W（TC）
GT080N10KI Goford Semiconductor GT080N10KI 0.7012
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT080N10KITR Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 100 v 65A（TC） 4.5V，10V 8mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 2394 PF @ 50 V - 79W（TC）
GT6K2P10KH Goford Semiconductor GT6K2P10KH -
RFQ
 ECAD 7588 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 100 v 4.3A（TC） 10V 670MOHM @ 1A，10V 3V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 247 PF @ 50 V - 25W（TC）
G250N03IE Goford Semiconductor G250N03IE 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 Rohs符合条件 Ear99 8541.29.0000 3,000 n通道 30 V 5.3A（TC） 2.5V，10V 25mohm @ 4A，10V 1.3V @ 250µA 9.1 NC @ 4.5 V ±10V 573 pf @ 15 V - 1.4W（TC）
G030N06M Goford Semiconductor G030N06M 1.8900
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 800 n通道 60 V 223A（TC） 4.5V，10V 3mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 101 NC @ 4.5 V ±20V 12432 PF @ 30 V - 240W（TC）
G29 Goford Semiconductor G29 0.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6a 30mohm @ 3a，4.5V 900mv @ 250µA 12.5 NC @ 10 V ±12V 1151 PF @ 10 V 1W
G75P04KI Goford Semiconductor G75P04KI 0.3822
RFQ
 ECAD 3046 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G75P04KITR Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 40 V 70A（TC） 4.5V，10V 6.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6586 pf @ 20 V - 130W（TC）
G05NP06S2 Goford Semiconductor G05NP06S2 0.6400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G05N MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TC），1.9W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 60V 5A（TC），3.1A（TC） 36mohm @ 4.3a，10v，80mohm @ 3.1a，10v 2V @ 250µA，2.2V @ 250µA 22nc @ 10v，37nc @ 10V 1336pf @ 30v，1454pf @ 30V 标准
GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5 1.5000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5.2x5.86） 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 71A（TC） 4.5V，10V 7.5MOHM @ 50a，10v 2.5V @ 250µA 44.5 NC @ 10 V ±20V 2626 PF @ 50 V - 79W（TC）
630A Goford Semiconductor 630a 0.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 11a 10V 280MOHM @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 11.8 NC @ 10 V ±20V 509 pf @ 25 V - 83W
GC11N65D5 Goford Semiconductor GC11N65D5 0.6760
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 5,000 n通道 650 v 11A（TC） 10V 360MOHM @ 5.5A，10V 4V @ 250µA ±30V 901 PF @ 50 V - 78W（TC）
G3401L Goford Semiconductor G3401L 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 4.2a 60mohm @ 2a，10v 1.3V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 V ±12V 880 pf @ 15 V 1.2W
G50N03K Goford Semiconductor G50N03K 0.6200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 65a 7mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 V ±20V 950 pf @ 15 V 48W
GT060N04D52 Goford Semiconductor GT060N04D52 0.4215
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 20W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT060N04D52TR Ear99 8541.29.0000 5,000 2 n通道 40V 62A（TC） 6.5MOHM @ 30a，10v 2.3V @ 250µA 44NC @ 10V 1276pf @ 20V 标准
G900P15D5 Goford Semiconductor G900P15D5 1.5800
RFQ
 ECAD 1988 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 P通道 150 v 60a（TC） 10V 80Mohm @ 5A，10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±20V 4050 PF @ 75 V - 100W（TC）
06N06L Goford Semiconductor 06N06L 0.3900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3L 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 5.5a 42MOHM @ 3A，10V 2.5V @ 250µA 2.4 NC @ 10 V ±20V 765 pf @ 30 V 960MW
GT250P10T Goford Semiconductor GT250P10T 1.7500
RFQ
 ECAD 2111 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT250P10T Ear99 8541.29.0000 50 P通道 100 v 56A（TC） 10V 30mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 73 NC @ 10 V ±20V 4059 PF @ 50 V - 173.6W（TC）
GT55N06D5 Goford Semiconductor GT55N06D5 0.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 53A（ta） 4.5V，10V 9mohm @ 14a，10v 2.5V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±20V 1988 pf @ 30 V - 70W（TA）
GT130N10M Goford Semiconductor GT130N10M 1.0400
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 800 n通道 100 v 60a（TC） 10V 12mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 1222 PF @ 50 V - 73.5W（TC）
G050N06LL Goford Semiconductor G050N06LL 0.0750
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 n通道 60 V 5A（TC） 4.5V，10V 45mohm @ 5a，10v 2.5V @ 250µA 26.4 NC @ 10 V ±20V 1343 PF @ 30 V - 1.25W（TC）
G2003A Goford Semiconductor G2003a 0.0740
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 190 v 3A（3A） 4.5V，10V 540MOHM @ 2A，10V 3V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 580 pf @ 25 V - 1.8W（TA）
G75P04FI Goford Semiconductor G75P04FI 1.2700
RFQ
 ECAD 7687 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F - Rohs符合条件 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 40 V 60a（TC） 4.5V，10V 7mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6275 PF @ 20 V - 89W（TC）
G04P10HE Goford Semiconductor G04P10HE 0.5300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 100 v 4A（TC） 4.5V，10V 200mohm @ 6a，10v 2.8V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1647 PF @ 50 V 标准 1.2W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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196-LFBGA裸露的垫子

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