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离散半导体产品（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
G7P03L Goford Semiconductor G7P03L 0.0670
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 7A（TC） 4.5V，10V 23mohm @ 3a，10v 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1500 pf @ 15 V - 1.9W（TC）
G450P04K Goford Semiconductor G450P04K 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 40 V 11A（TC） 4.5V，10V 40mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 983 PF @ 20 V - 48W（TC）
GT130N10M Goford Semiconductor GT130N10M 1.0400
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 800 n通道 100 v 60a（TC） 10V 12mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 1222 PF @ 50 V - 73.5W（TC）
9926 Goford Semiconductor 9926 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 20 v 6a 25mohm @ 4.5A，4.5V 1.2V @ 250µA 10 NC @ 4.5 V ±10V 640 pf @ 10 V 1.25W
3401 Goford Semiconductor 3401 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 4.2A（ta） 4.5V，10V 55MOHM @ 4.2A，10V 1.3V @ 250µA 9.5 NC @ 4.5 V ±12V 950 pf @ 15 V 标准 1.2W（TA）
G230P06S Goford Semiconductor G230P06S 0.8300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 60 V 9A（TC） 10V 23mohm @ 5a，10v 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 4784 PF @ 30 V - 3W（TC）
G08P06D3 Goford Semiconductor G08P06D3 0.6400
RFQ
 ECAD 604 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 60 V 8A（TC） 10V 52mohm @ 6a，10v 3.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 2972 PF @ 30 V - 40W（TC）
GT019N04D5 Goford Semiconductor GT019N04D5 0.3418
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT019N04D5TR Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 40 V 120A（TC） 4.5V，10V 2.8mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V 2840 pf @ 20 V - 120W（TC）
G350P02LLE Goford Semiconductor G350P02LLE 0.0450
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 20 v 4.5A（TC） 1.8V，4.5V 35MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 250µA 17.2 NC @ 10 V ±10V 1126 pf @ 10 V - 1.4W（TC）
G12P10K Goford Semiconductor G12P10K 0.7100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 100 v 12a 200mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±20V 1720 PF @ 50 V 57W
G75P04SI Goford Semiconductor G75P04SI 0.3578
RFQ
 ECAD 4653 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G75P04SITR Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 40 V 11A（TC） 4.5V，10V 8mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6509 PF @ 20 V - 2.5W（TC）
G69F Goford Semiconductor G69F 0.1247
RFQ
 ECAD 4161 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） - Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 12 v 16A（TC） 2.5V，4.5V 18mohm @ 4.5a，4.5V 1V @ 250µA 48 NC @ 4.5 V ±8V 2700 PF @ 10 V - 18W（TC）
G1NP02LLE Goford Semiconductor G1NP02LLE 0.0430
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TC） SOT-23-6L 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 - 20V 1.3A（TC），1.1A（TC） 210MOHM @ 650mA，4.5V，460MOHM @ 500mA，4.5V 1V @ 250µA，800MV @ 250µA 1NC @ 4.5V，1.22NC @ 4.5V 146pf @ 10V，177pf @ 10V 标准
G200P04D3 Goford Semiconductor G200P04D3 0.1523
RFQ
 ECAD 7107 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G200P04D3TR Ear99 8541.29.0000 5,000 P通道 40 V 20A（TC） 4.5V，10V 75mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V 2662 PF @ 20 V - 30W（TC）
G20P08K Goford Semiconductor G20P08K -
RFQ
 ECAD 1746年 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 80 V 20A（TC） 4.5V，10V 62mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±20V 3500 PF @ 30 V - 60W（TC）
G2K2P10SE Goford Semiconductor G2K2P10SE 0.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 100 v 3.5A（TC） 4.5V，10V 200mohm @ 3a，10v 2.5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 1653 PF @ 50 V - 3.1W（TC）
GT080N10KI Goford Semiconductor GT080N10KI 0.7012
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT080N10KITR Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 100 v 65A（TC） 4.5V，10V 8mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 2394 PF @ 50 V - 79W（TC）
G29 Goford Semiconductor G29 0.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6a 30mohm @ 3a，4.5V 900mv @ 250µA 12.5 NC @ 10 V ±12V 1151 PF @ 10 V 1W
G50N03K Goford Semiconductor G50N03K 0.6200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 65a 7mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 V ±20V 950 pf @ 15 V 48W
G75P04KI Goford Semiconductor G75P04KI 0.3822
RFQ
 ECAD 3046 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G75P04KITR Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 40 V 70A（TC） 4.5V，10V 6.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6586 pf @ 20 V - 130W（TC）
GC11N65D5 Goford Semiconductor GC11N65D5 0.6760
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 5,000 n通道 650 v 11A（TC） 10V 360MOHM @ 5.5A，10V 4V @ 250µA ±30V 901 PF @ 50 V - 78W（TC）
G3401L Goford Semiconductor G3401L 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 4.2a 60mohm @ 2a，10v 1.3V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 V ±12V 880 pf @ 15 V 1.2W
630A Goford Semiconductor 630a 0.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 11a 10V 280MOHM @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 11.8 NC @ 10 V ±20V 509 pf @ 25 V - 83W
G05NP06S2 Goford Semiconductor G05NP06S2 0.6400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G05N MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TC），1.9W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 60V 5A（TC），3.1A（TC） 36mohm @ 4.3a，10v，80mohm @ 3.1a，10v 2V @ 250µA，2.2V @ 250µA 22nc @ 10v，37nc @ 10V 1336pf @ 30v，1454pf @ 30V 标准
GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5 1.5000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5.2x5.86） 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 71A（TC） 4.5V，10V 7.5MOHM @ 50a，10v 2.5V @ 250µA 44.5 NC @ 10 V ±20V 2626 PF @ 50 V - 79W（TC）
GT6K2P10KH Goford Semiconductor GT6K2P10KH -
RFQ
 ECAD 7588 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 100 v 4.3A（TC） 10V 670MOHM @ 1A，10V 3V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 247 PF @ 50 V - 25W（TC）
G250N03IE Goford Semiconductor G250N03IE 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 Rohs符合条件 Ear99 8541.29.0000 3,000 n通道 30 V 5.3A（TC） 2.5V，10V 25mohm @ 4A，10V 1.3V @ 250µA 9.1 NC @ 4.5 V ±10V 573 pf @ 15 V - 1.4W（TC）
GT060N04D52 Goford Semiconductor GT060N04D52 0.4215
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 20W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT060N04D52TR Ear99 8541.29.0000 5,000 2 n通道 40V 62A（TC） 6.5MOHM @ 30a，10v 2.3V @ 250µA 44NC @ 10V 1276pf @ 20V 标准
3400 Goford Semiconductor 3400 0.3600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 5.6a 59mohm @ 2.8a，2.5V 1.4V @ 250µA 9.5 NC @ 4.5 V ±12V 820 pf @ 15 V 1.4W
G06N06S Goford Semiconductor G06N06S 0.1430
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 60 V 8a 22mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 30 V 2.1W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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