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离散半导体产品（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
G75P04FI Goford Semiconductor G75P04FI 1.2700
RFQ
 ECAD 7687 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F - Rohs符合条件 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 40 V 60a（TC） 4.5V，10V 7mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6275 PF @ 20 V - 89W（TC）
G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E 0.7600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G2K2P MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TC） 8-sop - Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0000 4,000 2（p 通道（双） 100V 3.5A（TC） 200mohm @ 3a，10v 2.5V @ 250µA 23nc @ 10V 1623pf @ 50V -
G40P03D5 Goford Semiconductor G40P03D5 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0000 5,000 P通道 30 V 35A（TC） 4.5V，10V 10mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2716 pf @ 15 V - 48W（TC）
G80N03K Goford Semiconductor G80N03K 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 30 V 80A（TC） 4.5V，10V 6.5MOHM @ 25A，10V 2V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 1950 pf @ 15 V - 69W（TC）
GT040N04TI Goford Semiconductor GT040N04TI 1.0300
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 戈福德半导体 中士 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 n通道 40 V 110A（TC） 4.5V，10V 4mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2303 PF @ 20 V 标准 160W（TC）
GT045N10M Goford Semiconductor GT045N10M 1.8200
RFQ
 ECAD 754 0.00000000 戈福德半导体 中士 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 120A（TC） 10V 4.5mohm @ 30a，10v 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 4198 PF @ 50 V 标准 180W（TC）
18N20J Goford Semiconductor 18n20j 0.9300
RFQ
 ECAD 141 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 75 n通道 200 v 18A（TC） 10V 160MOHM @ 9A，10V 3V @ 250µA 17.7 NC @ 10 V ±30V 836 pf @ 25 V 标准 65.8W（TC）
G60N04D52 Goford Semiconductor G60N04D52 0.8700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN G60 MOSFET （金属 o化物） 20W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 40V 35A（TC） 9mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 27nc @ 10V 1998pf @ 20V 标准
G230P06S Goford Semiconductor G230P06S 0.8300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 60 V 9A（TC） 10V 23mohm @ 5a，10v 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 4784 PF @ 30 V - 3W（TC）
G050P03S Goford Semiconductor G050P03S 0.9400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 30 V 25A（TC） 4.5V，10V 5.5MOHM @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 V ±20V 7221 PF @ 15 V - 3.5W（TC）
G050P03K Goford Semiconductor G050P03K 1.0400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 85A（TC） 4.5V，10V 4.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 V ±20V 7051 PF @ 15 V - 100W（TC）
G450P04K Goford Semiconductor G450P04K 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 40 V 11A（TC） 4.5V，10V 40mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 983 PF @ 20 V - 48W（TC）
G300P06S Goford Semiconductor G300P06S 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 60 V 12A（TC） 10V 30mohm @ 8a，10v 3V @ 250µA 49 NC @ 10 V ±20V 2719 PF @ 30 V - 3W（TC）
GT080N10KI Goford Semiconductor GT080N10KI 0.7012
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT080N10KITR Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 100 v 65A（TC） 4.5V，10V 8mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 2394 PF @ 50 V - 79W（TC）
20N06 Goford Semiconductor 20N06 0.1969
RFQ
 ECAD 2629 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-20N06TR Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 60 V 25A（TC） 4.5V，10V 24mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1609 PF @ 30 V - 41W（TC）
6706 Goford Semiconductor 6706 0.1247
RFQ
 ECAD 9765 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-6706Tr Ear99 8541.29.0000 4,000 - 20V 6.5a（5a），5a（ta） 18mohm @ 5a，4.5V，28mohm @ 4a，4.5V 1V @ 250µA 5.2nc @ 10v，9.2nc @ 10V 255pf @ 15V，520pf @ 15V 标准
G69F Goford Semiconductor G69F 0.1247
RFQ
 ECAD 4161 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） - Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 12 v 16A（TC） 2.5V，4.5V 18mohm @ 4.5a，4.5V 1V @ 250µA 48 NC @ 4.5 V ±8V 2700 PF @ 10 V - 18W（TC）
G75P04SI Goford Semiconductor G75P04SI 0.3578
RFQ
 ECAD 4653 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G75P04SITR Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 40 V 11A（TC） 4.5V，10V 8mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6509 PF @ 20 V - 2.5W（TC）
G75P04KI Goford Semiconductor G75P04KI 0.3822
RFQ
 ECAD 3046 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G75P04KITR Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 40 V 70A（TC） 4.5V，10V 6.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6586 pf @ 20 V - 130W（TC）
G08N02L Goford Semiconductor G08N02L 0.0962
RFQ
 ECAD 4070 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G08N02LTR Ear99 3,000 n通道 20 v 8A（TC） 2.5V，4.5V 12.3MOHM @ 12A，4.5V 900mv @ 250µA 22 NC @ 10 V ±12V 929 PF @ 10 V - 1.5W（TC）
G08N02H Goford Semiconductor G08N02H 0.1141
RFQ
 ECAD 1671年 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G08N02HTR Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 20 v 12A（TC） 2.5V，4.5V 11.3mohm @ 1A，4.5V 900mv @ 250µA 12.5 NC @ 4.5 V ±12V 1255 pf @ 10 V - 1.7W（TC）
G09N06S2 Goford Semiconductor G09N06S2 0.4557
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2.6W（TC） 8-sop - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G09N06S2TR Ear99 8541.29.0000 4,000 2 n通道 60V 9A（TC） 18mohm @ 9a，10v 2.2V @ 250µA 47NC @ 10V 2180pf @ 30V 标准
G900P15D5 Goford Semiconductor G900P15D5 1.5800
RFQ
 ECAD 1988 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 P通道 150 v 60a（TC） 10V 80Mohm @ 5A，10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±20V 4050 PF @ 75 V - 100W（TC）
GT52N10D5I Goford Semiconductor GT52N10D5I 0.3840
RFQ
 ECAD 2219 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT52N10D5ITR Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 100 v 65A（TC） 4.5V，10V 8ohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 2428 PF @ 50 V - 79W（TC）
GT060N04D52 Goford Semiconductor GT060N04D52 0.4215
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 20W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT060N04D52TR Ear99 8541.29.0000 5,000 2 n通道 40V 62A（TC） 6.5MOHM @ 30a，10v 2.3V @ 250µA 44NC @ 10V 1276pf @ 20V 标准
G05NP10S Goford Semiconductor G05NP10 0.2116
RFQ
 ECAD 4363 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 3W（TC），2.5W（TC） 8-sop - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G05NP10STR Ear99 8541.29.0000 4,000 - 100V 5A（TC），6A （TC） 170MOHM @ 1A，10V，200MOHM @ 6A，10V 3V @ 250µA 18nc @ 10v，25nc @ 10v 797pf @ 25V，760pf @ 25V 标准
G100C04D52 Goford Semiconductor G100C04D52 0.2895
RFQ
 ECAD 4671 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 65W（TC），50W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G100C04D52TR Ear99 8541.29.0000 5,000 - 40V 40a（TC），24a （TC） 9mohm @ 30a，10v，16mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 29nc @ 10v，45nc @ 10v 2213pf @ 20v，2451pf @ 20V 标准
GT019N04D5 Goford Semiconductor GT019N04D5 0.3418
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT019N04D5TR Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 40 V 120A（TC） 4.5V，10V 2.8mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V 2840 pf @ 20 V - 120W（TC）
G200P04D3 Goford Semiconductor G200P04D3 0.1523
RFQ
 ECAD 7107 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G200P04D3TR Ear99 8541.29.0000 5,000 P通道 40 V 20A（TC） 4.5V，10V 75mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V 2662 PF @ 20 V - 30W（TC）
GT025N06AM Goford Semiconductor GT025N06AM 1.7000
RFQ
 ECAD 791 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 170a（TC） 4.5V，10V 2.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 5119 PF @ 30 V - 215W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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