SIC
close

离散半导体产品（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
G65P06D5 Goford Semiconductor G65P06D5 1.1300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 60 V 60a（TC） 10V 18mohm @ 20a，10v 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 5814 PF @ 25 V - 130W（TC）
G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E 0.7600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G2K2P MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TC） 8-sop - Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0000 4,000 2（p 通道（双） 100V 3.5A（TC） 200mohm @ 3a，10v 2.5V @ 250µA 23nc @ 10V 1623pf @ 50V -
G40P03D5 Goford Semiconductor G40P03D5 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0000 5,000 P通道 30 V 35A（TC） 4.5V，10V 10mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2716 pf @ 15 V - 48W（TC）
GT110N06D3 Goford Semiconductor GT110N06D3 0.7200
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 戈福德半导体 中士 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 35A（TC） 4.5V，10V 11mohm @ 14a，10v 2.4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 1059 pf @ 30 V 标准 25W（TC）
2300F Goford Semiconductor 2300f 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6A（TC） 2.5V，4.5V 27mohm @ 2.3a，4.5V 900mv @ 250µA 11 NC @ 4.5 V ±12V 630 pf @ 10 V 标准 1.25W（TC）
G60N04D52 Goford Semiconductor G60N04D52 0.8700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN G60 MOSFET （金属 o化物） 20W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 40V 35A（TC） 9mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 27nc @ 10V 1998pf @ 20V 标准
G05NP10S Goford Semiconductor G05NP10 0.2116
RFQ
 ECAD 4363 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 3W（TC），2.5W（TC） 8-sop - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G05NP10STR Ear99 8541.29.0000 4,000 - 100V 5A（TC），6A （TC） 170MOHM @ 1A，10V，200MOHM @ 6A，10V 3V @ 250µA 18nc @ 10v，25nc @ 10v 797pf @ 25V，760pf @ 25V 标准
G100C04D52 Goford Semiconductor G100C04D52 0.2895
RFQ
 ECAD 4671 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 65W（TC），50W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G100C04D52TR Ear99 8541.29.0000 5,000 - 40V 40a（TC），24a （TC） 9mohm @ 30a，10v，16mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 29nc @ 10v，45nc @ 10v 2213pf @ 20v，2451pf @ 20V 标准
GT025N06AM Goford Semiconductor GT025N06AM 1.7000
RFQ
 ECAD 791 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 170a（TC） 4.5V，10V 2.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 5119 PF @ 30 V - 215W（TC）
1216D2 Goford Semiconductor 1216d2 0.1085
RFQ
 ECAD 9958 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-1216d2tr Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 12 v 16A（TC） 2.5V，4.5V 21MOHM @ 1A，4.5V 1.2V @ 250µA 48 NC @ 4.5 V ±8V 2700 PF @ 10 V - 18W（TC）
20N06 Goford Semiconductor 20N06 0.1969
RFQ
 ECAD 2629 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-20N06TR Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 60 V 25A（TC） 4.5V，10V 24mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1609 PF @ 30 V - 41W（TC）
G08N02H Goford Semiconductor G08N02H 0.1141
RFQ
 ECAD 1671年 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G08N02HTR Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 20 v 12A（TC） 2.5V，4.5V 11.3mohm @ 1A，4.5V 900mv @ 250µA 12.5 NC @ 4.5 V ±12V 1255 pf @ 10 V - 1.7W（TC）
G09N06S2 Goford Semiconductor G09N06S2 0.4557
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2.6W（TC） 8-sop - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G09N06S2TR Ear99 8541.29.0000 4,000 2 n通道 60V 9A（TC） 18mohm @ 9a，10v 2.2V @ 250µA 47NC @ 10V 2180pf @ 30V 标准
G30N02T Goford Semiconductor G30N02T 0.6200
RFQ
 ECAD 2419 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 20 v 30a（TA） 4.5V 13mohm @ 20a，4.5V 1.2V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±12V 900 pf @ 10 V - 40W（TA）
GT100N12T Goford Semiconductor GT100N12T 1.5500
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 120 v 70A（TC） 10V 10mohm @ 35a，10v 3.5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 3050 pf @ 60 V - 120W（TC）
GC11N65T Goford Semiconductor GC11N65T 1.6400
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 11A（TC） 10V 360MOHM @ 5.5A，10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 V ±30V 901 PF @ 50 V - 78W（TC）
G18P03D3 Goford Semiconductor G18P03D3 0.8000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 28a（TC） 4.5V，10V 10mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 2060 pf @ 15 V - 40W（TC）
G06P01E Goford Semiconductor G06P01E 0.4300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 4A（TC） 1.8V，4.5V 28mohm @ 3a，4.5V 1V @ 250µA 14 NC @ 4.5 V ±10V 1087 PF @ 6 V - 1.8W（TC）
GT088N06T Goford Semiconductor GT088N06T 0.9800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 60a（TC） 4.5V，10V 9mohm @ 14a，10v 2.4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 1620 PF @ 30 V - 75W（TC）
GT130N10F Goford Semiconductor GT130N10F 0.9600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 Rohs符合条件 不适用 到达不受影响 3141-GT130N10F Ear99 8541.29.0000 50 n通道 100 v 45A（TC） 10V 12mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 1215 PF @ 50 V - 41.7W（TC）
GT095N10K Goford Semiconductor GT095N10K 1.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 GT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 55A（TC） 4.5V，10V 10.5MOHM @ 35A，10V 2.5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V 1667 PF @ 50 V - 74W（TC）
G7P03L Goford Semiconductor G7P03L 0.0670
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 7A（TC） 4.5V，10V 23mohm @ 3a，10v 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1500 pf @ 15 V - 1.9W（TC）
G450P04K Goford Semiconductor G450P04K 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 40 V 11A（TC） 4.5V，10V 40mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 983 PF @ 20 V - 48W（TC）
GT105N10F Goford Semiconductor GT105N10F 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 100 v 25A（TC） 4.5V，10V 10.5MOHM @ 11A，10V 2.5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V - 20.8W（TC）
GT105N10T Goford Semiconductor GT105N10T 0.3820
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 100 v 55A（TC） 4.5V，10V 10.5MOHM @ 35A，10V 2.5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V - 74W（TC）
G900P15T Goford Semiconductor G900P15T -
RFQ
 ECAD 8509 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 150 v 60a（TC） 10V 80Mohm @ 5A，10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±20V 3932 PF @ 75 V - 100W（TC）
GT1003D Goford Semiconductor GT1003D 0.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3L 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3a 130MOHM @ 3A，10V 2.6V @ 250µA 5.2 NC @ 10 V ±20V 212 PF @ 50 V 2W
GT060N04T Goford Semiconductor GT060N04T 0.8700
RFQ
 ECAD 343 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 60a（TC） 4.5V，10V 6mohm @ 30a，10v 2.3V @ 250µA 19 nc @ 10 V ±20V 1301 PF @ 20 V - 48W（TC）
GT060N04K Goford Semiconductor GT060N04K 0.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3141-GT060N04KTR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 54A（TC） 4.5V，10V 5.5MOHM @ 30a，10V 2.3V @ 250µA 19 nc @ 10 V ±20V 1279 PF @ 20 V - 44W（TC）
6706 Goford Semiconductor 6706 0.1247
RFQ
 ECAD 9765 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-6706Tr Ear99 8541.29.0000 4,000 - 20V 6.5a（5a），5a（ta） 18mohm @ 5a，4.5V，28mohm @ 4a，4.5V 1V @ 250µA 5.2nc @ 10v，9.2nc @ 10V 255pf @ 15V，520pf @ 15V 标准
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭