SIC
close

离散半导体产品（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
G70P02K Goford Semiconductor G70P02K 0.8300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 15 v 70A（TC） 2.5V，4.5V 8.5MOHM @ 20A，4.5V 1.5V @ 250µA 55 NC @ 4.5 V ±12V 3500 PF @ 10 V - 70W（TC）
G050P03T Goford Semiconductor G050P03T 1.1700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 30 V 85A（TC） 4.5V，10V 5mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 V ±20V 6922 PF @ 15 V - 100W（TC）
G300P06D5 Goford Semiconductor G300P06D5 0.9100
RFQ
 ECAD 5140 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 5,000 P通道 60 V 40a（TC） 10V 30mohm @ 10a，10v 3V @ 250µA 49 NC @ 10 V ±20V 2705 pf @ 30 V - 50W（TC）
G3035 Goford Semiconductor G3035 0.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.33.0001 3,000 P通道 30 V 4.6A（TC） 4.5V，10V 59mohm @ 4A，10V 2V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 650 pf @ 15 V - 1.4W（TC）
GT023N10T Goford Semiconductor GT023N10T 3.4200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT023N10T Ear99 8541.29.0000 50 n通道 100 v 140a（TC） 10V 2.7MOHM @ 20A，10V 4.3V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 8086 PF @ 50 V - 500W（TC）
G05N06S2 Goford Semiconductor G05N06S2 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-sop G05N MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TC） 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n通道 60V 5A（TC） 35mohm @ 5A，4.5V 2.5V @ 250µA 22nc @ 10V 1374pf @ 30V 标准
G23N06K Goford Semiconductor G23N06K 0.1370
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 23a 35mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 590 pf @ 15 V 38W
GT013N04D5 Goford Semiconductor GT013N04D5 0.5251
RFQ
 ECAD 4507 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT013N04D5TR Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 40 V 195a（TC） 10V 1.7MOHM @ 30a，10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 3927 PF @ 20 V - 78W（TC）
G12P04K Goford Semiconductor G12P04K 0.5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 40 V 12A（TC） 4.5V，10V 35mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 930 PF @ 20 V - 50W（TC）
GT035N06T Goford Semiconductor GT035N06T 1.9400
RFQ
 ECAD 148 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 170a（TC） 4.5V，10V 3.5mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 5064 PF @ 30 V - 215W（TC）
G33N03D52 Goford Semiconductor G33N03D52 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 DFN5*6 MOSFET （金属 o化物） DFN5*6 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 33A（TC） 4.5V，10V 13mohm @ 16a，10v 3V @ 250µA 17.5 NC @ 10 V ±20V 782 pf @ 15 V 29W（TC）
G1006LE Goford Semiconductor G1006LE 0.0770
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3A（TC） 4.5V，10V 150MOHM @ 3A，10V 2.2V @ 250µA 18.2 NC @ 10 V ±20V 622 PF @ 50 V - 1.5W（TC）
G130N06S Goford Semiconductor G130N06S 0.1950
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 n通道 60 V 9A（TC） 4.5V，10V 12mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±20V 3068 PF @ 30 V - 2.6W（TC）
G20N06D52 Goford Semiconductor G20N06D52 0.1920
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN G20N MOSFET （金属 o化物） 45W（TA） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 60V 20A（TA） 30mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 25nc @ 10V 1220pf @ 30V -
G2305 Goford Semiconductor G2305 0.0350
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 4.8A（ta） 2.5V，4.5V 50mohm @ 4.1A，4.5V 1V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 V ±12V - 1.7W（TA）
G700P06LL Goford Semiconductor G700P06LL 0.0750
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 60 V 5A（TC） 4.5V，10V 75MOHM @ 3.2A，10V 3V @ 250µA 15.8 NC @ 10 V ±20V 1456 pf @ 30 V - 3.1W（TC）
GT090N06D52 Goford Semiconductor GT090N06D52 0.3830
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN GT090N06 MOSFET （金属 o化物） 62W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 60V 40a（TC） 14mohm @ 14a，10v 2.4V @ 250µA 24NC @ 10V 1620pf @ 30V -
G300P06T Goford Semiconductor G300P06T -
RFQ
 ECAD 9163 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 40a（TC） 10V 30mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 49 NC @ 10 V ±20V 2736 PF @ 30 V - 50W（TC）
G2K3N10L6 Goford Semiconductor G2K3N10L6 0.0650
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 G2K3N MOSFET （金属 o化物） 1.67W（TC） SOT-23-6L 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 3A（TC） 220MOHM @ 2A，10V 2.2V @ 250µA 4.8NC @ 4.5V 536pf @ 50V -
GT6K2P10IH Goford Semiconductor GT6K2P10IH -
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 100 v 1A（TC） 10V 670MOHM @ 1A，10V 3V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 253 PF @ 50 V - 1.4W（TC）
GC120N65QF Goford Semiconductor GC120N65QF 6.5200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 Rohs符合条件 不适用 到达不受影响 3141-GC120N65QF Ear99 8541.29.0000 30 n通道 650 v 30A（TC） 10V 120mohm @ 38a，10v 5V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±30V 3100 PF @ 275 V - 96.1W（TC）
G3035L Goford Semiconductor G3035L 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 4.1a（ta） 4.5V，10V 59mohm @ 2.1a，10v 2V @ 250µA 12.5 NC @ 10 V ±20V 650 pf @ 15 V - 1.4W（TA）
G60N10T Goford Semiconductor G60N10T 1.5700
RFQ
 ECAD 186 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 60a（TC） 4.5V，10V 25mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 146 NC @ 10 V ±20V 3970 pf @ 50 V - 160W（TC）
G4616 Goford Semiconductor G4616 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-sop G461 MOSFET （金属 o化物） 2W（TC），2.8W（TC） 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道互补 40V 8A（TC），7a （TC） 20mohm @ 8a，10v，35mohm @ 7a，10v 2.5V @ 250µA 12nc @ 10v，13nc @ 10v 415pf @ 20v，520pf @ 20V 标准
GC20N65F Goford Semiconductor GC20N65F 2.7000
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 650 v 20A（TC） 10V 170MOHM @ 10a，10v 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±30V 1724 PF @ 100 V - 34W（TC）
G1002L Goford Semiconductor G1002L 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3L 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 2a 250MOHM @ 2A，10V 2V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 413 PF @ 50 V 1.3W
G1003A Goford Semiconductor G1003a 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3A（TC） 4.5V，10V 210MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 18.2 NC @ 10 V ±20V 622 PF @ 25 V - 5W（TC）
G65P06D5 Goford Semiconductor G65P06D5 1.1300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 60 V 60a（TC） 10V 18mohm @ 20a，10v 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 5814 PF @ 25 V - 130W（TC）
G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E 0.7600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G2K2P MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TC） 8-sop - Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0000 4,000 2（p 通道（双） 100V 3.5A（TC） 200mohm @ 3a，10v 2.5V @ 250µA 23nc @ 10V 1623pf @ 50V -
GT110N06D3 Goford Semiconductor GT110N06D3 0.7200
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 戈福德半导体 中士 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 35A（TC） 4.5V，10V 11mohm @ 14a，10v 2.4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 1059 pf @ 30 V 标准 25W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭