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离散半导体产品（（324）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
G16N03S	0.1160	RFQ	4	戈福德半导体	g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99		4,000		n通道	30 V	16A（TC）	5V，10V	10mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
G07P04S	0.5800	RFQ	3	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道	40 V	7A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 20 V	-	2.5W（TC）
2002a	0.1098	RFQ	8180	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6L	-	Rohs符合条件		到达不受影响	3141-2002ATR	Ear99	8541.29.0000	3,000		n通道	190 v	5A（TC）	4.5V，10V	540MOHM @ 1A，10V	3V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	733 PF @ 100 V	-	1.4W（TC）
GT025N06AT	1.7300	RFQ	99	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	170a（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	4954 PF @ 30 V	-	215W（TC）
GC20N65T	2.7300	RFQ	85	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	20A（TC）	10V	170MOHM @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1724 PF @ 100 V	-	151W（TC）
G30N03D3	0.5300	RFQ	4	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（3.15x3.05）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	30a		7mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	825 pf @ 15 V		24W
GT011N03D5E	1.6700	RFQ	2573	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（4.9x5.75）	下载	Rohs符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	5,000		n通道	30 V	209a（TC）	4.5V，10V	-	2.5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±16V	6503 PF @ 15 V	-	89W（TC）
G7K2N20LLE	0.0690	RFQ	9	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6L	下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	3,000		n通道	200 v	2A（TC）	4.5V，10V	700MOHM @ 1A，100V	2.5V @ 250µA	10.8 NC @ 10 V	±20V	577 PF @ 100 V	-	1.8W（TC）
GT035N10M	2.8500	RFQ	739	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0000	800		n通道	100 v	190a（TC）	10V	3.5mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	6188 PF @ 50 V	-	277W（TC）
G700P06T	0.6800	RFQ	4406	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	25A（TC）	4.5V，10V	70MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1428 PF @ 30 V	-	100W（TC）
GT023N10T	3.4200	RFQ	100	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs符合条件		到达不受影响	3141-GT023N10T	Ear99	8541.29.0000	50		n通道	100 v	140a（TC）	10V	2.7MOHM @ 20A，10V	4.3V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	8086 PF @ 50 V	-	500W（TC）
GT065P06T	1.6800	RFQ	25	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	50		P通道	60 V	82A（TC）	4.5V，10V	7.5mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	5335 pf @ 30 V	-	150W（TC）
G1K8P06S2	0.0970	RFQ	4	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	2W（TC）	8-sop	下载	Rohs符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	4,000	2个p通道		60V	3.2A（TC）		170MOHM @ 1A，10V	2.5V @ 250µA	11.3nc @ 10V		594pf @ 30V	标准
G2002A	0.0850	RFQ	60	戈福德半导体	g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6L	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	2A（TC）	4.5V，10V	540MOHM @ 1A，10V	3V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	733 PF @ 100 V	-	2.5W（TC）
G30N04D3	0.6900	RFQ	9	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（3.15x3.05）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 20 V	标准	19.8W（TC）
G2K3N10H	0.4700	RFQ	2	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	2A（TC）	4.5V，10V	220MOHM @ 2A，10V	2V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	434 PF @ 50 V	-	2.4W（TC）
GT700P08T	-	RFQ	3293	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	80 V	25A（TC）	10V	72MOHM @ 2A，10V	3.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	1639 PF @ 40 V		125W（TC）
G900P15M	1.6400	RFQ	451	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	Rohs符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	150 v	60a（TC）	10V	80Mohm @ 5A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	4056 PF @ 75 V	-	100W（TC）
G11	0.4100	RFQ	1	戈福德半导体	g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道	20 v	11A（TC）	2.5V，4.5V	18.4mohm @ 1a，4.5V	1.1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±12V	2455 pf @ 10 V	-	3.3W（TC）
G300P06D5	0.9100	RFQ	5140	戈福德半导体	g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（4.9x5.75）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99		5,000		P通道	60 V	40a（TC）	10V	30mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	2705 pf @ 30 V	-	50W（TC）
25P06	0.8300	RFQ	4	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	25A（TC）	10V	45mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	3384 pf @ 30 V	-	100W（TC）
G65P06F	1.1500	RFQ	196	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	65A（TC）	10V	18mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	6477 PF @ 25 V	-	39W（TC）
GT650N15K	0.2750	RFQ	5	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	20A（TC）	10V	65mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	600 pf @ 75 V	-	68W（TC）
GT180P08M	1.5800	RFQ	800	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								下载	Rohs符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	800
G2K8P15K	0.7500	RFQ	2	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	2,500		P通道	150 v	12A（TC）	10V	310MOHM @ 1A，10V	3.5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	953 PF @ 75 V	-	59W（TC）
G230P06K	0.8900	RFQ	1	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	2,500		P通道	60 V	60a（TC）	10V	20mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	4581 PF @ 30 V	-	115W（TC）
G16P03S	0.5900	RFQ	3	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道	30 V	16a		12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 15 V		3W
G3035	0.4300	RFQ	12	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	3,000		P通道	30 V	4.6A（TC）	4.5V，10V	59mohm @ 4A，10V	2V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 15 V	-	1.4W（TC）
G05N06S2	0.6000	RFQ	3	戈福德半导体	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-sop	G05N	MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TC）	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n通道		60V	5A（TC）		35mohm @ 5A，4.5V	2.5V @ 250µA	22nc @ 10V		1374pf @ 30V	标准
GT011N03D5	0.6416	RFQ	8659	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（4.9x5.75）	-	Rohs符合条件		到达不受影响	3141-GT011N03D5TR	Ear99	8541.29.0000	5,000		n通道	30 V	170a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±16V	4693 PF @ 15 V	-	88W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（324）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²