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离散半导体产品（（324）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
G06N06S2	0.2669	RFQ	4744	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	2.1W（TC）	8-sop	-	Rohs符合条件		到达不受影响	3141-G06N06S2TR	Ear99	8541.29.0000	4,000	2 n通道		60V	6A（TC）		25mohm @ 6a，10v	2.4V @ 250µA	46NC @ 10V		1600pf @ 30V	标准
GT060N04D3	0.6600	RFQ	13	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（3.15x3.05）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	40a（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1282 PF @ 20 V	-	36W（TC）
GT011N03ME	1.7100	RFQ	800	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	800		n通道	30 V	209a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±18V	6140 pf @ 15 V	-	89W（TC）
G75P04F	1.2000	RFQ	48	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs符合条件	不适用	到达不受影响	3141-G75P04F	Ear99	8541.29.0000	50		P通道	40 V	54A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±20V	6768 PF @ 20 V	-	35.7W（TC）
GT080N10K	1.5700	RFQ	2	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0000	2,500		n通道	100 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2056 PF @ 50 V	-	100W（TC）
G75P04T	-	RFQ	4272	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	50		P通道	40 V	70A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±20V	6985 pf @ 20 V	-	277W（TC）
G18P03S	0.1930	RFQ	4	戈福德半导体	g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99		4,000		P通道	30 V	15A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	3570 pf @ 15 V	-	3.1W（TC）
GT10N10	0.1240	RFQ	100	戈福德半导体	GT	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99		2,500		n通道	100 v	7A（TC）	4.5V，10V	140MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 250µA	4.3 NC @ 10 V	±20V	206 PF @ 50 V	-	17W（TC）
G12P03D3	0.0920	RFQ	100	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（3.15x3.05）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	24.5 NC @ 10 V	±20V	1253 PF @ 15 V	-	3W（TC）
G1K1P06HH	0.0790	RFQ	7	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	4.5A（TC）	10V	110MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	981 PF @ 30 V	-	3.1W（TC）
G45P40T	0.9400	RFQ	399	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	40 V	45A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	3269 PF @ 20 V	-	80W（TC）
G1008B	0.5700	RFQ	3	戈福德半导体	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	G1008	MOSFET （金属 o化物）	3W（TC）	8-sop	下载	Rohs符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	4,000			100V	8A（TC）		130MOHM @ 2A，10V	3V @ 250µA	15.5nc @ 10V		690pf @ 25V	标准
G15N06K	0.5300	RFQ	12	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	15A（TC）	4.5V，10V	45mohm @ 8a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	763 PF @ 30 V	-	40W（TC）
G10P03	0.4900	RFQ	4	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（3.15x3.05）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	10a			1.5V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±12V	1550 pf @ 15 V		20W
2302	0.4100	RFQ	6	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	4.3a（ta）	2.5V，4.5V	27mohm @ 2.2a，4.5V	1.1V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±10V	300 pf @ 10 V	标准	1W（ta）
G170P03S2	0.6700	RFQ	3	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TC）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	G170	-	1.4W（TC）	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）		30V	9A（TC）		25mohm @ 5A，4.5V	2.5V @ 250µA	18NC @ 10V		1786pf @ 4.5V	-
G66	0.6800	RFQ	33	戈福德半导体	g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		6-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99		3,000		P通道	16 V	5.8A（ta）	2.5V，4.5V	45MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA	7.8 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
G1002	0.0350	RFQ	21	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响	4822-G1002Tr	Ear99	8541.29.0000	3,000		n通道	100 v	2A（TC）	4.5V，10V	250MOHM @ 2A，10V	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	535 pf @ 50 V	-	1.3W（TC）
G25N06K	0.6200	RFQ	5	戈福德半导体	g	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	25A（TC）	10V	27mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 30 V	-	45W（TC）
G09P02L	0.4900	RFQ	8	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	9A（TC）	2.5V，4.5V	23mohm @ 1A，4.5V	1.2V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±12V	620 pf @ 10 V	-	2.2W（TC）
G35N02K	0.4700	RFQ	3	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	35A（TC）	2.5V，4.5V	13mohm @ 20a，4.5V	1.2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	1380 pf @ 10 V	-	40W（TC）
G10N03S	0.4000	RFQ	3	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	30 V	10A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	839 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
G130N06S2	0.9200	RFQ	4	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	2.6W（TC）	8-sop	下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	4,000	2 n通道		60V	9A（TC）		13mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	67nc @ 10V		3021pf @ 30V	标准
G3K8N15HE	0.5000	RFQ	2	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	2,500
G1003B	0.3700	RFQ	9	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3a		130MOHM @ 1A，10V	2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 50 V		3.3W
GC11N65F	1.6400	RFQ	145	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	11a		360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	901 PF @ 50 V		31.3W
G23N06K	0.1370	RFQ	50	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	23a		35mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	590 pf @ 15 V		38W
G20N03D2	0.4600	RFQ	2	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		6-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 5a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	873 PF @ 30 V	-	1.5W（TC）
G12P06K	0.4900	RFQ	1	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	Rohs符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	2,500		P通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	75mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1108 PF @ 30 V	-	27W（TC）
GT042P06T	2.7400	RFQ	1319	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	50		P通道	60 V	160a（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	305 NC @ 10 V	±20V	9151 PF @ 30 V	-	280W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（324）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²