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离散半导体产品（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
GT095N10D5 Goford Semiconductor GT095N10D5 0.3100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-pdfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 55A（TC） 4.5V，10V 11mohm @ 35a，10v 2.5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V - 74W（TC）
18N20F Goford Semiconductor 18n20f 0.4150
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 50 n通道 200 v 18A（TC） 10V 190mohm @ 9a，10v 3V @ 250µA 17.7 NC @ 10 V ±20V 836 pf @ 25 V - 110W（TC）
G2K8P15S Goford Semiconductor G2K8P15S 0.2280
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 150 v 2.2A（TC） 10V 310MOHM @ 500mA，10V 3.5V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 966 PF @ 75 V - 2.5W（TC）
G26P04K Goford Semiconductor G26P04K 0.1710
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 40 V 26a（TC） 4.5V，10V 18mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V - 80W（TC）
G400P06T Goford Semiconductor G400P06T -
RFQ
 ECAD 2550 0.00000000 戈福德半导体 g 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 32A（TC） 10V 40mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 2598 PF @ 30 V - 110W（TC）
G1K2C10S2 Goford Semiconductor G1K2C10S2 0.1990
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TC），3.1W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 - 100V 3A（TC），3.5A（TC） 130MOHM @ 5A，10V，200MOHM @ 3A，10V 2.5V @ 250µA 22nc @ 10v，23nc @ 10v 668pf @ 50v，1732pf @ 50V 标准
G12P10KE Goford Semiconductor G12P10KE 0.1620
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 2,500 P通道 100 v 12A（TC） 4.5V，10V 200mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±20V 1720 PF @ 50 V - 57W（TC）
G220P02D2 Goford Semiconductor G220P02D2 0.0790
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 20 v 8A（TC） 4.5V，10V 20mohm @ 6a，10v 1.2V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±12V 1873 pf @ 10 V - 3.5W（TC）
G1K3N10G Goford Semiconductor G1K3N10G 0.0990
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA MOSFET （金属 o化物） SOT-89 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 1,000 n通道 100 v 5A（TC） 4.5V，10V 130MOHM @ 5A，10V 2V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 644 pf @ 50 V - 1.5W（TC）
5P40 Goford Semiconductor 5p40 0.0440
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 5.3a（ta） 4.5V，10V 85MOHM @ 5A，10V 3V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 650 pf @ 20 V - 2W（TA）
G65P06T Goford Semiconductor G65P06T 0.4530
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 65A（TC） 10V 18mohm @ 20a，10v 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 5814 PF @ 25 V - 130W（TC）
GT025N06D5 Goford Semiconductor GT025N06D5 0.6630
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5.2x5.86） 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 95A（TC） 4.5V，10V 2.7MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 93 NC @ 10 V ±20V 5950 pf @ 25 V - 120W（TC）
G28N03D3 Goford Semiconductor G28N03D3 0.0920
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 28a（TC） 4.5V，10V 12mohm @ 16a，10v 2.5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±20V 891 PF @ 15 V - 20.5W（TC）
G65P06K Goford Semiconductor G65P06K 0.4030
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 65A（TC） 10V 18mohm @ 20a，10v 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 5814 PF @ 25 V - 130W（TC）
G800N06S2 Goford Semiconductor G800N06S2 0.0970
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 2 n通道 60V 3A（TC） 80mohm @ 3a，10v 1.2V @ 250µA 6NC @ 10V 458pf @ 30V 标准
G12P10TE Goford Semiconductor G12P10TE -
RFQ
 ECAD 1666年 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 100 v 12A（TC） 10V 200mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 760 pf @ 25 V - 40W（TC）
G4953S Goford Semiconductor G4953S 0.0970
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G4953 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 5A（TC） 60mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 11NC @ 10V 520pf @ 15V -
GT100N04D3 Goford Semiconductor GT100N04D3 0.1090
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 40 V 13A（TC） 4.5V，10V 10mohm @ 5a，10v 2.5V @ 250µA 32 NC @ 10 V ±20V 642 PF @ 20 V - 23W（TC）
G080P06T Goford Semiconductor G080P06T -
RFQ
 ECAD 4714 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 195a（TC） 10V 7.5mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 186 NC @ 10 V ±20V 15195 PF @ 30 V - 294W（TC）
G040P04T Goford Semiconductor G040P04T 1.9400
RFQ
 ECAD 4493 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G040P04T Ear99 8541.29.0000 50 P通道 40 V 222a（TC） 4.5V，10V 3.7MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 206 NC @ 10 V ±20V 15087 PF @ 20 V - 312W（TC）
GT180P08T Goford Semiconductor GT180P08T 1.7100
RFQ
 ECAD 5202 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT180P08T Ear99 8541.29.0000 50 P通道 40 V 89A（TC） 4.5V，10V 17mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 6040 pf @ 40 V - 245W（TC）
G080N10M Goford Semiconductor G080N10M 2.0300
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 1,000 n通道 100 v 180a（TC） 4.5V，10V 7.5mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 107 NC @ 4.5 V ±20V 13950 pf @ 50 V - 370W（TC）
G33N03D3 Goford Semiconductor G33N03D3 0.1420
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn G33n MOSFET （金属 o化物） 18.5W（TC） 8-DFN （3x3） - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V 30A（TC） 13mohm @ 18a，10v 2.5V @ 250µA 15nc @ 10V 1530pf @ 15V -
G26P04D5 Goford Semiconductor G26P04D5 0.6400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 40 V 26a（TC） 4.5V，10V 18mohm @ 12a，10v 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 2479 PF @ 20 V - 50W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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