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离散半导体产品（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
GT009N04D5 Goford Semiconductor GT009N04D5 0.7705
RFQ
 ECAD 1870年 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT009N04D5TR Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 45 v 100A（TC） 4.5V，10V 1.3MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 86 NC @ 10 V ±20V 6864 PF @ 20 V - 125W（TC）
G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA MOSFET （金属 o化物） SOT-89 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 2.5A（TC） 4.5V，10V 220MOHM @ 2A，10V 2V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 436 pf @ 50 V - 1.5W（TC）
G080P06T Goford Semiconductor G080P06T -
RFQ
 ECAD 4714 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 195a（TC） 10V 7.5mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 186 NC @ 10 V ±20V 15195 PF @ 30 V - 294W（TC）
G36N03K Goford Semiconductor G36N03K 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 30 V 36a（TC） 4.5V，10V 8.5mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 1040 pf @ 15 V - 31W（TC）
GT090N06S Goford Semiconductor GT090N06S 0.2619
RFQ
 ECAD 6601 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT090N06STR Ear99 8541.29.0000 4,000 n通道 60 V 14A（TC） 4.5V，10V 8mohm @ 8a，10v 2.4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 1378 PF @ 30 V - 3.1W（TC）
G3404LL Goford Semiconductor G3404LL 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 6A（TC） 4.5V，10V 22MOHM @ 4.2A，10V 2V @ 250µA 12.2 NC @ 10 V ±20V 541 PF @ 15 V - 1.2W（TC）
G170P02D2 Goford Semiconductor G170P02D2 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 20 v 16A（TC） 2.5V，4.5V 17mohm @ 6a，4.5V 1V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±8V 2179 PF @ 10 V - 18W（TC）
G7K2N20HE Goford Semiconductor G7K2N20HE 0.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 200 v 2A（TC） 4.5V，10V 700MOHM @ 1A，10V 2.5V @ 250µA 10.8 NC @ 10 V ±20V 568 pf @ 100 V 标准 1.8W（TC）
G2312 Goford Semiconductor G2312 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 5a 18mohm @ 4.2A，10V 1V @ 250µA 11 NC @ 4.5 V ±12V 780 pf @ 10 V 1.25W
G1K2C10S2 Goford Semiconductor G1K2C10S2 0.1990
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2W（TC），3.1W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 - 100V 3A（TC），3.5A（TC） 130MOHM @ 5A，10V，200MOHM @ 3A，10V 2.5V @ 250µA 22nc @ 10v，23nc @ 10v 668pf @ 50v，1732pf @ 50V 标准
G6K8P15KE Goford Semiconductor G6K8P15KE 0.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 150 v 12A（TC） 10V 800MOHM @ 6A，10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 1550 pf @ 75 V - 60W（TC）
G50N03J Goford Semiconductor G50N03J 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 30 V 65A（TC） 4.5V，10V 7mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 V ±20V 1255 pf @ 15 V - 48W（TC）
G3404B Goford Semiconductor G3404b 0.4300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 5.6a 22MOHM @ 4.2A，10V 2V @ 250µA 12.2 NC @ 10 V ±20V 526 pf @ 15 V 1.2W
GT025N06AD5 Goford Semiconductor GT025N06AD5 1.8300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 60 V 170a（TC） 4.5V，10V 2.2MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 81 NC @ 10 V ±20V 5044 PF @ 30 V - 104W（TC）
G20P10KE Goford Semiconductor G20P10KE 0.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 100 v 20A（TC） 10V 116mohm @ 16a，10v 3V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 3354 pf @ 50 V - 69W（TC）
GT095N10D5 Goford Semiconductor GT095N10D5 0.3100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-pdfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 55A（TC） 4.5V，10V 11mohm @ 35a，10v 2.5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V - 74W（TC）
G65P06T Goford Semiconductor G65P06T 0.4530
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 65A（TC） 10V 18mohm @ 20a，10v 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 5814 PF @ 25 V - 130W（TC）
G75P04D5 Goford Semiconductor G75P04D5 0.9200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 P通道 40 V 70A（TC） 4.5V，10V 6mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6697 PF @ 20 V - 150W（TC）
45P40 Goford Semiconductor 45p40 0.8700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 40 V 45A（TC） 10V 14mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 2960 pf @ 20 V - 80W（TC）
G08N03D2 Goford Semiconductor G08N03D2 0.1018
RFQ
 ECAD 5517 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G08N03D2TR Ear99 8541.29.0000 3,000 n通道 30 V 8A（TC） 4.5V，10V 20mohm @ 4a，10v 2V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±20V 681 pf @ 15 V - 17W（TC）
G160N04K Goford Semiconductor G160N04K 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 40 V 25A（TC） 4.5V，10V 15mohm @ 8a，10v 2V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 1010 PF @ 20 V 标准 43W（TC）
G6P06 Goford Semiconductor G6P06 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 60 V 6A（TC） 4.5V，10V 96mohm @ 4a，10v 3V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 930 PF @ 30 V - 4.1W（TC）
03N06L Goford Semiconductor 03N06L 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3L 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 3a 100mohm @ 2a，10v 1.2V @ 250µA 14.6 NC @ 30 V ±20V 510 pf @ 30 V 1.7W
G16P03D3 Goford Semiconductor G16P03D3 0.6100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 30 V 16A（TC） 4.5V，10V 12mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 1995 pf @ 15 V - 3W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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