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离散半导体产品（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
GT025N06AM6 Goford Semiconductor GT025N06AM6 1.3230
RFQ
 ECAD 9062 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡） MOSFET （金属 o化物） 到263-6 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT025N06AM6TR Ear99 8541.29.0000 800 n通道 60 V 170a（TC） 4.5V，10V 2mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 5058 PF @ 30 V - 215W（TC）
G50N03D5 Goford Semiconductor G50N03D5 0.6100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 50A（TC） 4.5V，10V 4.5MOHM @ 20A，10V 2.4V @ 250µA 38.4 NC @ 10 V ±20V 1784 pf @ 15 V - 20W（TC）
G080P06M Goford Semiconductor G080P06M 1.8900
RFQ
 ECAD 301 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 60 V 195a（TC） 10V 7.5mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 186 NC @ 10 V ±20V 15870 pf @ 30 V - 294W（TC）
G230P06D5 Goford Semiconductor G230P06D5 0.8100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 P通道 60 V 48A（TC） 10V 20mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 5002 PF @ 30 V - 105W（TC）
G60N06T Goford Semiconductor G60N06T 0.8000
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 n通道 60 V 50A（TC） 4.5V，10V 17mohm @ 5a，10v 2V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2050 pf @ 30 V - 85W（TC）
G800P06LL Goford Semiconductor G800P06LL 0.1040
RFQ
 ECAD 8171 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G800P06LLTR Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 60 V 3.5A（TC） 4.5V，10V 80mohm @ 3.1a，10v 3V @ 250µA 12 nc @ 4.5 V ±20V 650 pf @ 30 V - 2W（TC）
G45P02D3 Goford Semiconductor G45P02D3 0.6100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 20 v 45a 9.5MOHM @ 10a，4.5V 1V @ 250µA 55 NC @ 4.5 V ±12V 3500 PF @ 10 V 80W
GT700P08D3 Goford Semiconductor GT700P08D3 0.7400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 P通道 80 V 16A（TC） 10V 75MOHM @ 2A，10V 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 1591 PF @ 40 V - 69W（TC）
G2K8P15S Goford Semiconductor G2K8P15S 0.2280
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 150 v 2.2A（TC） 10V 310MOHM @ 500mA，10V 3.5V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 966 PF @ 75 V - 2.5W（TC）
GT095N10S Goford Semiconductor GT095N10S 0.9000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 100 v 11A（TC） 4.5V，10V 9.5Mohm @ 20a，10v 2.6V @ 250µA 29.4 NC @ 10 V ±20V 2131 PF @ 50 V 8W（TC）
G6N02L Goford Semiconductor G6N02L 0.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6A（TC） 2.5V，4.5V 11.3MOHM @ 3A，4.5V 900mv @ 250µA 12.5 NC @ 10 V ±12V 1140 pf @ 10 V 标准 1.8W（TC）
G230P06T Goford Semiconductor G230P06T 1.0300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 60 V 60a（TC） 10V 20mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 4499 PF @ 30 V - 115W（TC）
G075N06MI Goford Semiconductor G075N06MI 1.4000
RFQ
 ECAD 757 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 1,600 n通道 60 V 110A（TC） 10V 7mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 6443 PF @ 30 V 标准 160W（TC）
3400L Goford Semiconductor 3400L 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3L 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 5.6a 59mohm @ 2.8a，2.5V 1.4V @ 250µA 9.5 NC @ 4.5 V ±12V 820 pf @ 15 V 1.4W
G33N03D3 Goford Semiconductor G33N03D3 0.1420
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn G33n MOSFET （金属 o化物） 18.5W（TC） 8-DFN （3x3） - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V 30A（TC） 13mohm @ 18a，10v 2.5V @ 250µA 15nc @ 10V 1530pf @ 15V -
G900P15K Goford Semiconductor G900P15K 1.5000
RFQ
 ECAD 276 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 150 v 50A（TC） 10V 80Mohm @ 5A，10V 4V @ 250µA 27 NC @ 4.5 V ±20V 3918 PF @ 75 V 标准 96W（TC）
G5N02L Goford Semiconductor G5N02L 0.0771
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G5N02LTR Ear99 8541.29.0000 3,000 n通道 20 v 5A（TC） 2.5V，10V 18mohm @ 4.2A，10V 1V @ 250µA 11 NC @ 4.5 V ±12V 780 pf @ 10 V - 1.25W（TC）
G400P06T Goford Semiconductor G400P06T -
RFQ
 ECAD 2550 0.00000000 戈福德半导体 g 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 32A（TC） 10V 40mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 2598 PF @ 30 V - 110W（TC）
G58N06K Goford Semiconductor G58N06K 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 60 V 58A（TC） 4.5V，10V 13mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±20V 2841 PF @ 30 V - 71W（TC）
GT100N12K Goford Semiconductor GT100N12K 1.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 120 v 65A（TC） 10V 12mohm @ 35a，10v 3.5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2911 PF @ 60 V - 75W（TC）
G800N06S2 Goford Semiconductor G800N06S2 0.0970
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TC） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 2 n通道 60V 3A（TC） 80mohm @ 3a，10v 1.2V @ 250µA 6NC @ 10V 458pf @ 30V 标准
18N20F Goford Semiconductor 18n20f 0.4150
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 50 n通道 200 v 18A（TC） 10V 190mohm @ 9a，10v 3V @ 250µA 17.7 NC @ 10 V ±20V 836 pf @ 25 V - 110W（TC）
G4953S Goford Semiconductor G4953S 0.0970
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G4953 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 5A（TC） 60mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 11NC @ 10V 520pf @ 15V -
60N06 Goford Semiconductor 60n06 0.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 50a 17mohm @ 5a，10v 2V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2050 pf @ 30 V 85W
18N20 Goford Semiconductor 18n20 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 18n20 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 18A（TJ） 10V 160MOHM @ 9A，10V 3V @ 250µA 17.7 NC @ 10 V ±30V 836 pf @ 25 V - 65.8W（TC）
G040P04T Goford Semiconductor G040P04T 1.9400
RFQ
 ECAD 4493 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G040P04T Ear99 8541.29.0000 50 P通道 40 V 222a（TC） 4.5V，10V 3.7MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 206 NC @ 10 V ±20V 15087 PF @ 20 V - 312W（TC）
G48N03D3 Goford Semiconductor G48N03D3 0.6100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 48A（TC） 4.5V，10V 6mohm @ 20a，10v 2.4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 1784 pf @ 15 V - 45W（TC）
GT700P08S Goford Semiconductor GT700P08S 0.6800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 4,000 P通道 80 V 6.5A（TC） 10V 72MOHM @ 2A，10V 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 1624 PF @ 40 V - 3W（TC）
GT009N04D5 Goford Semiconductor GT009N04D5 0.7705
RFQ
 ECAD 1870年 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT009N04D5TR Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 45 v 100A（TC） 4.5V，10V 1.3MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 86 NC @ 10 V ±20V 6864 PF @ 20 V - 125W（TC）
G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA MOSFET （金属 o化物） SOT-89 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 2.5A（TC） 4.5V，10V 220MOHM @ 2A，10V 2V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 436 pf @ 50 V - 1.5W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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