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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BC848BWT1	-	RFQ	1615年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC848				150兆		SC-70-3（SOT323）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			30 V	100 ma							15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
DXTP5860CFDB-7	0.1473	RFQ	4921	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子	DXTP5860				690兆		U-DFN202020-3（B型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			60 V	4 a							100NA			PNP	450mv @ 250mA，5a	170 @ 500mA，2V	130MHz
RN2103MFV，L3XHF（ct	0.3400	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	RN2103				150兆		VESM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	8,000																			50 V	100 ma							500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
BD678A	-	RFQ	4414	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD678				40 W		SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																			60 V	4 a							500µA			pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
BFP620E7764	-	RFQ	4587	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343					185MW		PG-SOT343-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	8						21.5db													2.8V	80mA										NPN		110 @ 50mA，1.5V	65GHz			0.7db〜1.3dB @ 1.8GHz〜6GHz
NTE23	1.9600	RFQ	60	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					250MW		到92	下载	Rohs不合规			2368-NTE23	Ear99	8541.21.0095	1						15DB													14V	50mA										NPN		25 @ 10mA，10v	2GHz			3DB @ 500MHz
FJE5304DTU	1.0500	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的		-	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	FJE5304				30 W		TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60																			400 v	4 a							100µA			NPN	1.5V @ 500mA，2.5a	8 @ 2a，5v	-
HFA3128B	5.3200	RFQ	5	Intersil	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）					150MW		16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	480						-													15V	65mA										5 PNP		20 @ 10mA，2V	5.5GHz			3.5db @ 1GHz
MMRF5017HSR5138	-	RFQ	4304	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
JANSF2N2920L	207.7010	RFQ	2050	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N2920				350MW		TO-78-6	-			到达不受影响	150-JANSF2N2920L			1																			60V	30mA							10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
MJD45H11-001	-	RFQ	5457	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	MJD45				1.75 w		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	75																			80 V	8 a							1µA			PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	90MHz
IXGT15N120C	-	RFQ	7757	ixys	Lightspeed™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT15	标准			150 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				960V，15a，10ohm，15V														-	1200 v	30 a	60 a	3.8V @ 15V，15a	1.05MJ（）	69 NC	25NS/150NS
UMH1N-TP	0.4200	RFQ	3	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMH1				150MW		SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			50V	100mA							500NA			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250MHz	22KOHMS	22KOHMS
SI7850ADP-T1-GE3	1.2600	RFQ	5915	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7850			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					60 V	10.3a（ta），12a （TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 10a，10v	2.8V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 30 V	-	3.6W（3.6W），35.7W（TC）
ISL9V2040P3	-	RFQ	7009	Onmi	Ecospark®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ISL9	逻辑			130 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400				300V，1KOHM，5V														-	430 v	10 a		1.9V @ 4V，6A	-	12 nc	- /3.64µs
MMBF5484	-	RFQ	1942年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	25 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF54		400MHz	JFET			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		5mA		-	-											4DB									15 v
FMB857B	0.2400	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6					700兆		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000																			45 v	500 MA							15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	-
BC846PNE6327BTSA1	-	RFQ	2853	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC846				250MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			65V	100mA							15NA（icbo）			NPN，PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
NE68730-T1	0.6100	RFQ	2	cel	-	（CT）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	NE68730				90MW		SOT-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-													3V	30mA										NPN		70 @ 20mA，2V	11GHz			1.3db〜2dB @ 2GHz
MDI100-12A3	-	RFQ	2243	ixys	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Y4-M5	MDI100				560 w	标准	Y4-M5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	单身的																	npt	1200 v	135 a		2.7V @ 15V，75a					5 ma	不	5.5 nf @ 25 V
BFR93AWH6327XTSA1	0.4800	RFQ	10	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFR93				300MW		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						10.5db〜15.5dB													12V	90mA										NPN		70 @ 30mA，8v	6GHz			1.5db〜2.6dB @ 900MHz〜1.8GHz
DTC144TKA-TP	-	RFQ	1231	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC144				200兆		SOT-23-3L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			50 V	100 ma							500NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	47科姆斯
ZVP0545GTC	-	RFQ	2251	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			SOT-223-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道					450 v	75ma（ta）	10V	150ohm @ 50mA，10v	4.5V @ 1mA		±20V	120 pf @ 25 V	-	2W（TA）
auirrr120ntrl	2.0900	RFQ	737	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRRR120			MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					100 v	10A（TC）	4V，10V	185mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRLR120pbf	1.6500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR120			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道					100 v	7.7A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRF520NPBF	1.2900	RFQ	6	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF520			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	9.7a（TC）	10V	200mohm @ 5.7a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	48W（TC）
SI2319DS-T1-E3	0.7500	RFQ	9520	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2319			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					40 V	2.3a（ta）	4.5V，10V	82MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 20 V	-	750MW（TA）
FP150R12N3T7BPSA1	396.5800	RFQ	1	Infineon技术	Econopim™3	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP150R12				20兆	三相桥梁整流器	Ag-econo3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																	沟渠场停止	1200 v	150 a		1.55V @ 15V，150a					12 µA	是的	30.1 NF @ 25 V
A1C15S12M3	52.8000	RFQ	3537	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	A1C15				142.8 w	三相桥梁整流器	Acepack™1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17736	Ear99	8541.29.0095	36	三期逆变器																	沟渠场停止	1200 v	15 a		2.45V @ 15V，15a					100 µA	是的	985 PF @ 25 V
FS20R06W1E3BOMA1	38.0000	RFQ	24	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS20R06				135 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																	沟渠场停止	600 v	35 a		2V @ 15V，20A					1 MA	是的	1.1 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²