SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
VS-GB150TS60NPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB150TS60NPBF -
RFQ
ECAD 6749 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GB150 500 w 标准 int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB150TS60NPBF Ear99 8541.29.0095 15 半桥 npt 600 v 138 a 3V @ 15V,150a 200 µA
VS-GT75YF120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75YF120NT 139.9800
RFQ
ECAD 108 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 431 w 标准 - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-GT75YF120NT Ear99 8541.29.0095 12 全桥 沟渠场停止 1200 v 118 a 2.6V @ 15V,75a 100 µA 是的
VS-GB70LA60UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB70LA60UF -
RFQ
ECAD 4224 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GB70 447 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGB70LA60UF Ear99 8541.29.0095 180 单身的 npt 600 v 111 a 2.44V @ 15V,70a 100 µA
VS-GP400TD60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GP400TD60S -
RFQ
ECAD 1185 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 8) GP400 1563 w 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 12 半桥 pt,战沟 600 v 758 a 1.52V @ 15V,400A 200 µA
VS-GB200TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB200TH120U -
RFQ
ECAD 9330 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB200 1316 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB200TH120U Ear99 8541.29.0095 12 半桥 - 1200 v 330 a 3.6V @ 15V,200a 5 ma 16.9 NF @ 30 V
VS-CPV364M4UPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV364M4UPBF -
RFQ
ECAD 4578 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV364 63 W 标准 IMS-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 160 - 600 v 20 a 2.1V @ 15V,10a 250 µA 2.1 NF @ 30 V
VS-GT300YH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT300YH120N 208.0242
RFQ
ECAD 1757年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 8) GT300 1042 w 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGT300YH120N Ear99 8541.29.0095 12 半桥 1200 v 341 a 2.17V @ 15V,300a ty(typ)) 300 µA 36 NF @ 30 V
FA38SA50LC Vishay General Semiconductor - Diodes Division FA38SA50LC -
RFQ
ECAD 4174 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 FA38 MOSFET (金属 o化物) SOT-227 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 38A(TC) 10V 130MOHM @ 23A,10V 4V @ 250µA 420 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 25 V - 500W(TC)
VS-GB600AH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB600AH120N -
RFQ
ECAD 3189 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(5) GB600 3125 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB600AH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 910 a 1.9V @ 15V,600A(类型) 5 ma 41 NF @ 25 V
VS-ENZ025C60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENZ025C60N 64.7100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 * 盒子 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-ENZ025C60N Ear99 8541.29.0095 100
VS-GT400TH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT400TH120N -
RFQ
ECAD 2344 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 8) GT400 2119 w 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGT400TH120N Ear99 8541.29.0095 12 半桥 1200 v 600 a 2.15V @ 15V,400A 5 ma 28.8 nf @ 25 V
VS-GB150YG120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB150YG120NT -
RFQ
ECAD 7460 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 GB150 892 w 标准 Econo3 4pack - Ear99 8541.29.0095 10 全桥 npt 1200 v 182 a 4V @ 15V,200a 120 µA 是的
VS-FC420SA10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FC420SA10 23.7600
RFQ
ECAD 6400 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 FC420 MOSFET (金属 o化物) SOT-227 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 100 v 435a(TC) 10V 2.15MOHM @ 200A,10V 3.8V @ 750µA 375 NC @ 10 V ±20V 17300 PF @ 25 V - 652W(TC)
VS-GB300LH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300LH120N -
RFQ
ECAD 5475 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB300 1645 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB300LH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 500 a 2V @ 15V,300A(类型) 5 ma 21.2 NF @ 25 V
VS-FA72SA50LC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FA72SA50LC -
RFQ
ECAD 1930年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 FA72 MOSFET (金属 o化物) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSFA72SA50LC Ear99 8541.29.0095 160 n通道 500 v 72A(TC) 10V 80MOHM @ 34a,10V 4V @ 250µA 338 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 25 V - 1136W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库