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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
VS-GA200HS60S1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200HS60S1 -
RFQ
ECAD 9125 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak GA200 830 w 标准 int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 15 半桥 - 600 v 480 a 1.21V @ 15V,200a 1 MA 32.5 nf @ 30 V
VS-GB50LP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB50LP120N -
RFQ
ECAD 1848年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GB50 446 w 标准 int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB50LP120N Ear99 8541.29.0095 24 单身的 - 1200 v 100 a 1.7V @ 15V,50a(类型) 1 MA 4.29 NF @ 25 V
19MT050XF Vishay General Semiconductor - Diodes Division 19mt050xf -
RFQ
ECAD 7178 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Hexfet® 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 16-MTP模块 19MT050 MOSFET (金属 o化物) 1140W 16-MTP 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *19mt050xf Ear99 8541.29.0095 15 4(n n 通道(半桥) 500V 31a 220MOHM @ 19a,10v 6V @ 250µA 160NC @ 10V 7210pf @ 25V -
VS-FC80NA20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FC80NA20 -
RFQ
ECAD 8317 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 FC80 MOSFET (金属 o化物) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 160 n通道 200 v 108a(TC) 10V 14mohm @ 80a,10v 5.5V @ 250µA 161 NC @ 10 V ±30V 10720 PF @ 50 V - 405W(TC)
VS-GA200HS60S1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200HS60S1PBF -
RFQ
ECAD 3571 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak GA200 830 w 标准 int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGA200HS60S1PBF Ear99 8541.29.0095 15 半桥 - 600 v 480 a 1.21V @ 15V,200a 1 MA 32.5 nf @ 30 V
VS-150MT060WDF-P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150MT060WDF-P -
RFQ
ECAD 1842年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 12-mtp模块 150MT060 543 w 标准 12-MTP PressFit - 不适用 Ear99 8541.29.0095 105 双重斩波器 - 600 v 138 a 2.48V @ 15V,80a 100 µA 14 NF @ 30 V
VS-ETY020P120F Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETY020P120F 179.8500
RFQ
ECAD 5155 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 积极的 ETY020 下载 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 60
VS-GT90SA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT90SA120U 36.8300
RFQ
ECAD 9471 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 781 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-GT90SA120U Ear99 8541.29.0095 10 单身的 沟渠场停止 1200 v 169 a 2.6V @ 15V,75a 100 µA
VS-GT50YF120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT50YF120NT 115.8900
RFQ
ECAD 108 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 231 w 标准 - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-GT50YF120NT Ear99 8541.29.0095 12 全桥 沟渠场停止 1200 v 64 a 2.8V @ 15V,50a 50 µA 是的
VS-GT90DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT90DA120U 38.4000
RFQ
ECAD 4419 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 781 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-GT90DA120U Ear99 8541.29.0095 10 单身的 沟渠场停止 1200 v 169 a 2.6V @ 15V,75a 100 µA
VS-GT300TD60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT300TD60S 209.2825
RFQ
ECAD 2843 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 882 w 标准 int-a-pak 下载 到达不受影响 112-VS-GT300TD60S Ear99 8541.29.0095 12 半桥 沟渠场停止 600 v 466 a 1.47V @ 15V,300A 200 µA 24.2 NF @ 25 V
VS-GT400TD60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT400TD60S 259.7542
RFQ
ECAD 4938 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 1364 w 标准 int-a-pak 下载 到达不受影响 112-VS-GT400TD60S Ear99 8541.29.0095 12 半桥 沟渠场停止 600 v 711 a 1.4V @ 15V,400A 300 µA
VS-ENW30S120T Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENW30S120T 130.3500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 * 盒子 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-ENW30S120T Ear99 8541.29.0095 100
VS-GT400LH060N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT400LH060N 135.4500
RFQ
ECAD 9055 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 GT400 1.363 kW 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 112-VS-GT400LH060N 1 单菜器 沟渠场停止 600 v 492 a 2V @ 15V,400A 20 µA
VS-GT50LA65UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT50LA65UF 26.8736
RFQ
ECAD 9487 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GT50 163 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 112-VS-GT50LA65UF 1 单菜器 沟渠场停止 650 v 59 a 2.1V @ 15V,50a 40 µA
VS-GT90DA60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT90DA60U 36.0300
RFQ
ECAD 2878 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GT90 446 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 112-VS-GT90DA60U 1 单身的 沟渠场停止 600 v 146 a 2.15V @ 15V,100A 100 µA
VS-GT100TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100TS065S 85.9800
RFQ
ECAD 5207 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 盒子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 517 w 标准 - rohs3符合条件 (1 (无限) 112-VS-GT100TS065S 15 半桥逆变器 650 v 247 a 100 µA
VS-EMG050J60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-EMG050J60N -
RFQ
ECAD 6340 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 emipak2 EMG050 338 w 标准 emipak2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSEMG050J60N Ear99 8541.29.0095 56 半桥 - 600 v 88 a 2.1V @ 15V,50a 100 µA 是的 9.5 nf @ 30 V
VS-GB200NH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB200NH120N -
RFQ
ECAD 3076 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB200 1562 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB200NH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 420 a 1.8V @ 15V,200a(类型) 5 ma 18 nf @ 25 V
VS-GB70NA60UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB70NA60UF -
RFQ
ECAD 2412 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GB70 447 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGB70NA60UF Ear99 8541.29.0095 180 单身的 npt 600 v 111 a 2.44V @ 15V,70a 100 µA
VS-GB100NH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100NH120N -
RFQ
ECAD 6945 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB100 833 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB100NH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 200 a 2.35V @ 15V,100A 5 ma 8.58 nf @ 25 V
VS-ENU060Y60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENU060Y60U -
RFQ
ECAD 1403 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 上次购买 - rohs3符合条件 112-VS-ENU060Y60U 1
VS-GT100DA120UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100DA120UF 41.5000
RFQ
ECAD 1995 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GT100 890 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 1200 v 187 a 2.55V @ 15V,100A 100 µA 6.15 NF @ 25 V
VS-GB300NH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300NH120N -
RFQ
ECAD 3595 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB300 1645 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB300NH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 500 a 2.45V @ 15V,300A 5 ma 21.2 NF @ 25 V
VS-GA200SA60SP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200SA60SP -
RFQ
ECAD 1004 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GA200 781 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGA200SA60SP Ear99 8541.29.0095 180 单身的 - 600 v 1.3V @ 15V,100a 1 MA 16.25 NF @ 30 V
VS-40MT120UHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40MT120UHTAPBF -
RFQ
ECAD 3806 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 12-mtp模块 40MT120 463 w 标准 MTP - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS40MT120UHTAPBF Ear99 8541.29.0095 105 半桥 npt 1200 v 80 a 4.91V @ 15V,80a 250 µA 8.28 NF @ 30 V
VS-ENQ030L120S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENQ030L120S -
RFQ
ECAD 7672 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 底盘安装 emipak-1b ENQ030 216 w 标准 emipak-1b 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 98 三级逆变器 1200 v 61 a 2.52V @ 15V,30a 230 µA 是的 3.34 NF @ 30 V
VS-GB90DA60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB90DA60U -
RFQ
ECAD 9603 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4 GB90 625 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-GB90DA60UGI Ear99 8541.29.0095 160 单身的 npt 600 v 147 a 2.8V @ 15V,100a 100 µA
VS-CPV362M4FPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV362M4FPBF -
RFQ
ECAD 9826 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV362 23 W 标准 IMS-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSCPV362M4FPBF Ear99 8541.29.0095 160 - 600 v 8.8 a 1.7V @ 15V,4.8A 250 µA 340 pf @ 30 V
VS-GT300FD060N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT300FD060N 670.5450
RFQ
ECAD 4047 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 上次购买 175°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(4 + 8) GT300 1250 w 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGT300FD060N Ear99 8541.29.0095 12 三级逆变器 沟渠场停止 600 v 379 a 2.5V @ 15V,300A 250 µA 23.3 NF @ 30 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库