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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-GA200HS60S1 | - | ![]() | 9125 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak | GA200 | 830 w | 标准 | int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 半桥 | - | 600 v | 480 a | 1.21V @ 15V,200a | 1 MA | 不 | 32.5 nf @ 30 V | |||||||||||||||
![]() | VS-GB50LP120N | - | ![]() | 1848年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak(3 + 4) | GB50 | 446 w | 标准 | int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB50LP120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 单身的 | - | 1200 v | 100 a | 1.7V @ 15V,50a(类型) | 1 MA | 不 | 4.29 NF @ 25 V | |||||||||||||
![]() | 19mt050xf | - | ![]() | 7178 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Hexfet® | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 16-MTP模块 | 19MT050 | MOSFET (金属 o化物) | 1140W | 16-MTP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *19mt050xf | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 4(n n 通道(半桥) | 500V | 31a | 220MOHM @ 19a,10v | 6V @ 250µA | 160NC @ 10V | 7210pf @ 25V | - | |||||||||||||
![]() | VS-FC80NA20 | - | ![]() | 8317 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | FC80 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | n通道 | 200 v | 108a(TC) | 10V | 14mohm @ 80a,10v | 5.5V @ 250µA | 161 NC @ 10 V | ±30V | 10720 PF @ 50 V | - | 405W(TC) | ||||||||||||
![]() | VS-GA200HS60S1PBF | - | ![]() | 3571 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak | GA200 | 830 w | 标准 | int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGA200HS60S1PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 半桥 | - | 600 v | 480 a | 1.21V @ 15V,200a | 1 MA | 不 | 32.5 nf @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-150MT060WDF-P | - | ![]() | 1842年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 12-mtp模块 | 150MT060 | 543 w | 标准 | 12-MTP PressFit | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | 双重斩波器 | - | 600 v | 138 a | 2.48V @ 15V,80a | 100 µA | 不 | 14 NF @ 30 V | ||||||||||||||||
![]() | VS-ETY020P120F | 179.8500 | ![]() | 5155 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 积极的 | ETY020 | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT90SA120U | 36.8300 | ![]() | 9471 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | 781 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-GT90SA120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 169 a | 2.6V @ 15V,75a | 100 µA | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-GT50YF120NT | 115.8900 | ![]() | 108 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 231 w | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-GT50YF120NT | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 全桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 64 a | 2.8V @ 15V,50a | 50 µA | 是的 | |||||||||||||||
![]() | VS-GT90DA120U | 38.4000 | ![]() | 4419 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | 781 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-GT90DA120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 169 a | 2.6V @ 15V,75a | 100 µA | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-GT300TD60S | 209.2825 | ![]() | 2843 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 882 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | 到达不受影响 | 112-VS-GT300TD60S | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | 沟渠场停止 | 600 v | 466 a | 1.47V @ 15V,300A | 200 µA | 不 | 24.2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||
![]() | VS-GT400TD60S | 259.7542 | ![]() | 4938 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 1364 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | 到达不受影响 | 112-VS-GT400TD60S | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | 沟渠场停止 | 600 v | 711 a | 1.4V @ 15V,400A | 300 µA | 不 | |||||||||||||||||
![]() | VS-ENW30S120T | 130.3500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | * | 盒子 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-ENW30S120T | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT400LH060N | 135.4500 | ![]() | 9055 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | GT400 | 1.363 kW | 标准 | 双int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-VS-GT400LH060N | 1 | 单菜器 | 沟渠场停止 | 600 v | 492 a | 2V @ 15V,400A | 20 µA | 不 | |||||||||||||||||
![]() | VS-GT50LA65UF | 26.8736 | ![]() | 9487 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT50 | 163 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-VS-GT50LA65UF | 1 | 单菜器 | 沟渠场停止 | 650 v | 59 a | 2.1V @ 15V,50a | 40 µA | 不 | |||||||||||||||||
![]() | VS-GT90DA60U | 36.0300 | ![]() | 2878 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | hexfred® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT90 | 446 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-VS-GT90DA60U | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 600 v | 146 a | 2.15V @ 15V,100A | 100 µA | 不 | |||||||||||||||||
![]() | VS-GT100TS065S | 85.9800 | ![]() | 5207 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 盒子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 517 w | 标准 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 112-VS-GT100TS065S | 15 | 半桥逆变器 | 沟 | 650 v | 247 a | 100 µA | 不 | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-EMG050J60N | - | ![]() | 6340 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | emipak2 | EMG050 | 338 w | 标准 | emipak2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSEMG050J60N | Ear99 | 8541.29.0095 | 56 | 半桥 | - | 600 v | 88 a | 2.1V @ 15V,50a | 100 µA | 是的 | 9.5 nf @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB200NH120N | - | ![]() | 3076 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB200 | 1562 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB200NH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200 v | 420 a | 1.8V @ 15V,200a(类型) | 5 ma | 不 | 18 nf @ 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB70NA60UF | - | ![]() | 2412 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GB70 | 447 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSGB70NA60UF | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | npt | 600 v | 111 a | 2.44V @ 15V,70a | 100 µA | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-GB100NH120N | - | ![]() | 6945 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB100 | 833 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB100NH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200 v | 200 a | 2.35V @ 15V,100A | 5 ma | 不 | 8.58 nf @ 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-ENU060Y60U | - | ![]() | 1403 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | - | rohs3符合条件 | 112-VS-ENU060Y60U | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT100DA120UF | 41.5000 | ![]() | 1995 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | hexfred® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT100 | 890 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | 沟 | 1200 v | 187 a | 2.55V @ 15V,100A | 100 µA | 不 | 6.15 NF @ 25 V | ||||||||||||||
![]() | VS-GB300NH120N | - | ![]() | 3595 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB300 | 1645 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB300NH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200 v | 500 a | 2.45V @ 15V,300A | 5 ma | 不 | 21.2 NF @ 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-GA200SA60SP | - | ![]() | 1004 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GA200 | 781 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSGA200SA60SP | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | - | 600 v | 1.3V @ 15V,100a | 1 MA | 不 | 16.25 NF @ 30 V | |||||||||||||||
![]() | VS-40MT120UHTAPBF | - | ![]() | 3806 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 12-mtp模块 | 40MT120 | 463 w | 标准 | MTP | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS40MT120UHTAPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | 半桥 | npt | 1200 v | 80 a | 4.91V @ 15V,80a | 250 µA | 不 | 8.28 NF @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-ENQ030L120S | - | ![]() | 7672 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | emipak-1b | ENQ030 | 216 w | 标准 | emipak-1b | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 98 | 三级逆变器 | 沟 | 1200 v | 61 a | 2.52V @ 15V,30a | 230 µA | 是的 | 3.34 NF @ 30 V | ||||||||||||||
![]() | VS-GB90DA60U | - | ![]() | 9603 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4 | GB90 | 625 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS-GB90DA60UGI | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | 单身的 | npt | 600 v | 147 a | 2.8V @ 15V,100a | 100 µA | 不 | ||||||||||||||
VS-CPV362M4FPBF | - | ![]() | 9826 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | (19-sip (13个领先),IMS-2 | CPV362 | 23 W | 标准 | IMS-2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSCPV362M4FPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 v | 8.8 a | 1.7V @ 15V,4.8A | 250 µA | 不 | 340 pf @ 30 V | |||||||||||||||
![]() | VS-GT300FD060N | 670.5450 | ![]() | 4047 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(4 + 8) | GT300 | 1250 w | 标准 | 双int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGT300FD060N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 三级逆变器 | 沟渠场停止 | 600 v | 379 a | 2.5V @ 15V,300A | 250 µA | 不 | 23.3 NF @ 30 V |
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