晶体管(195)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce
VS-GB75TP120U	-	询价	2388	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	INT-A-PAK (3 + 4)	国标75		500W	标准	INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB75TP120U	EAR99	8541.29.0095	24	半桥												-	1200伏	105A	3.2V @ 15V，75A（典型值）	2毫安	不	4.3nF@30V
VS-GT300FD060N	670.5450	询价	4047	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	最后一次购买	175°C（太焦）	安装结构	双 INT-A-PAK (4 + 8)	GT300		1250W	标准	双INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGT300FD060N	EAR99	8541.29.0095	12	三层平面遮阳板												沟渠场站	600伏	第379章	2.5V@15V，300A	250微安	不	23.3nF@30V
VS-FC420SA15	25.6600	询价	2260	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	FC420	MOSFET（金属O化物）			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10		N沟道	150伏	400A（温度）	10V	2.75毫欧@200A，10V	5.4V@1mA	250nC@10V	±20V	13700pF@25V	-	909W（常温）
VS-40MT120UHTAPBF	-	询价	3806	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	托盘	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	12-MTP模块	40MT120		463 W	标准	MTP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VS40MT120UHTAPBF	EAR99	8541.29.0095	105	半桥												不扩散条约	1200伏	80A	4.91V@15V，80A	250微安	不	8.28nF@30V
VS-GT50TP120N	-	询价	9172	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	175°C（太焦）	安装结构	INT-A-PAK (3 + 4)	GT50		405W	标准	INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGT50TP120N	EAR99	8541.29.0095	24	半桥												沟	1200伏	100A	2.35V@15V，50A	5毫安	不	30V时为6.24nF
VS-50MT060TFT	61.7800	询价	8553	Vishay General Semiconductor - 分割部门	弗雷德铂®	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	20-MTP模块	50MT060		144W	标准	20-MTP	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	112-VS-50MT060TFT			1	全桥												沟渠场站	600伏	55A	2.1V@15V，50A	40微安	不	3000pF@25V
VS-GT200TP065U	2.0900	询价	9144	Vishay General Semiconductor - 分割部门	弗雷德铂®	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	GT200		429 W	标准	INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	112-VS-GT200TP065U			1	半桥												沟渠场站	650伏	177 一个	2.12V@15V，200A	200微安	不
VS-GB55NA120UX	-	询价	6073	Vishay General Semiconductor - 分割部门	海克斯弗雷德®	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	国标55		431 W	标准	SOT-227	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	160	单身的												不扩散条约	1200伏	84A		50微安	不
VS-ENU060Y60U	-	询价	1403	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	最后一次购买									-	符合ROHS3标准			112-VS-ENU060Y60U			1
VS-GB200NH120N	-	询价	3076	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	双 INT-A-PAK (3 + 4)	国标200		1562 W	标准	双INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB200NH120N	EAR99	8541.29.0095	12	单身的												-	1200伏	420A	1.8V@15V，200A（典型值）	5毫安	不	18nF@25V
VS-GT90DA60U	36.0300	询价	2878	Vishay General Semiconductor - 分割部门	海克斯弗雷德®	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GT90		446 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	112-VS-GT90DA60U			1	单身的												沟渠场站	600伏	146 一个	2.15V@15V，100A	100微安	不
VS-GT100TS065S	85.9800	询价	5207	Vishay General Semiconductor - 分割部门	弗雷德铂®	盒子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块			517 W	标准		-	符合ROHS3标准	1（无限制）		112-VS-GT100TS065S			15	半桥逆变器												沟	650伏	第247章		100微安	不
VS-GT100TP120N	-	询价	7011	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	175°C（太焦）	安装结构	INT-A-PAK (3 + 4)	GT100		652W	标准	INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGT100TP120N	EAR99	8541.29.0095	24	半桥												沟	1200伏	180A	2.35V@15V，100A	5毫安	不	12.8nF@30V
VS-GT90SA120U	36.8300	询价	9471	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块			781 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	112-VS-GT90SA120U	EAR99	8541.29.0095	10	单身的												沟渠场站	1200伏	169 一个	2.6V@15V，75A	100微安	不
VS-ETY020P120F	179.8500	询价	5155	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	托盘	的积极				ETY020					下载			REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	60
VS-GT400TH120U	-	询价	5234	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	双 INT-A-PAK (3 + 8)	GT400		2344 W	标准	双INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGT400TH120U	EAR99	8541.29.0095	12	半桥												沟	1200伏	750A	2.35V@15V，400A	5毫安	不	51.2nF@30V
VS-40MT120UHAPBF	-	询价	9513	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	12-MTP模块	40MT120		463 W	标准	MTP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VS40MT120UHAPBF	EAR99	8541.29.0095	15	半桥												不扩散条约	1200伏	80A	4.91V@15V，80A	250微安	不	8.28nF@30V
VS-50MT060WHTPBF	-	询价	2346	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	托盘	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	12-MTP模块	50MT060		658 W	标准	MTP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VS50MT060WHTPBF	EAR99	8541.29.0095	15	半桥												-	600伏	114 一个	3.2V@15V，100A	400微安	不	7.1nF@30V
VS-20MT120UFP	-	询价	4450	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	托盘	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	16-MTP模块	20MT120		240W	标准	MTP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VS20MT120UFP	EAR99	8541.29.0095	105	全桥景观器												不扩散条约	1200伏	40A	4.66V@15V，40A	250微安	不	3.79nF@30V
VS-CPV362M4FPBF	-	询价	9826	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	19-SIP（13导联），IMS-2	CPV362		23W	标准	IMS-2	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSCPV362M4FPBF	EAR99	8541.29.0095	160													-	600伏	8.8安	1.7V@15V，4.8A	250微安	不	340pF@30V
VS-GB70NA60UF	-	询价	2412	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	国标70		447 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		VSGB70NA60UF	EAR99	8541.29.0095	180	单身的												不扩散条约	600伏	111 一个	2.44V@15V，70A	100微安	不
50MT060WH	-	询价	2289	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-		过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	12-MTP模块	50MT060		658 W	标准	12-MTP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	半桥												PT	600伏	114 一个	3.2V@15V，100A	400微安	不	7.1nF@30V
CPV364M4F	-	询价	6788	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-		过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	19-SIP（13导联），IMS-2	CPV364		63W	标准	IMS-2	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	84	天线塔												-	600伏	27A	1.6V@15V，27A	250微安	不	2.2nF@30V
VS-GA200SA60SP	-	询价	1004	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GA200		781 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		VSGA200SA60SP	EAR99	8541.29.0095	180	单身的												-	600伏		1.3V@15V，100A	1毫安	不	16.25nF@30V
VS-GB300NH120N	-	询价	3595	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	安装结构	双 INT-A-PAK (3 + 4)	国标300		1645 W	标准	双INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB300NH120N	EAR99	8541.29.0095	12	单身的												-	1200伏	500A	2.45V@15V，300A	5毫安	不	21.2nF@25V
VS-GT105LA120UX	-	询价	3465	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GT105		463 W	标准	SOT-227	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	160	单身的												不扩散条约	1200伏	134 一个		75微安	不
FB180SA10	-	询价	8744	Vishay General Semiconductor - 分割部门	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	FB180	MOSFET（金属O化物）			SOT-227	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10		N沟道	100V	180A（温度）	10V	6.5毫欧@108A，10V	4V@250μA	380nC@10V	±20V	10700pF@25V	-	480W（温度）
VS-GB100NH120N	-	询价	6945	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	安装结构	双 INT-A-PAK (3 + 4)	国标100		833 W	标准	双INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB100NH120N	EAR99	8541.29.0095	12	单身的												-	1200伏	200A	2.35V@15V，100A	5毫安	不	8.58nF@25V
VS-EMG050J60N	-	询价	6340	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	安装结构	EMIPAK2	肌电图050		338 W	标准	EMIPAK2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSEMG050J60N	EAR99	8541.29.0095	56	半桥												-	600伏	88A	2.1V@15V，50A	100微安	是的	9.5nF@30V
VS-GT75NA60UF	37.4800	询价	5221	Vishay General Semiconductor - 分割部门	弗雷德铂®	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GT75		231 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	112-VS-GT75NA60UF			1	单斩波器												沟渠场站	600伏	81A	2.26V@15V，70A	100微安	不

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(195)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²