SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
VS-CPV362M4FPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV362M4FPBF -
RFQ
ECAD 9826 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV362 23 W 标准 IMS-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSCPV362M4FPBF Ear99 8541.29.0095 160 - 600 v 8.8 a 1.7V @ 15V,4.8A 250 µA 340 pf @ 30 V
VS-EMG050J60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-EMG050J60N -
RFQ
ECAD 6340 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 emipak2 EMG050 338 w 标准 emipak2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSEMG050J60N Ear99 8541.29.0095 56 半桥 - 600 v 88 a 2.1V @ 15V,50a 100 µA 是的 9.5 nf @ 30 V
VS-ENQ030L120S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENQ030L120S -
RFQ
ECAD 7672 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 底盘安装 emipak-1b ENQ030 216 w 标准 emipak-1b 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 98 三级逆变器 1200 v 61 a 2.52V @ 15V,30a 230 µA 是的 3.34 NF @ 30 V
VS-FA38SA50LCP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FA38SA50LCP -
RFQ
ECAD 8292 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 FA38 MOSFET (金属 o化物) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSFA38SA50LCP Ear99 8541.29.0095 180 n通道 500 v 38A(TC) 10V 130MOHM @ 23A,10V 4V @ 250µA 420 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 25 V - 500W(TC)
VS-FC220SA20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FC220SA20 -
RFQ
ECAD 8471 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 FC220 MOSFET (金属 o化物) SOT-227 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSFC220SA20 Ear99 8541.29.0095 160 n通道 200 v 220A(TC) 10V 7mohm @ 150a,10v 5.1V @ 500µA 350 NC @ 10 V ±30V 21000 PF @ 50 V - 789W(TC)
VS-GA200HS60S1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200HS60S1PBF -
RFQ
ECAD 3571 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak GA200 830 w 标准 int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGA200HS60S1PBF Ear99 8541.29.0095 15 半桥 - 600 v 480 a 1.21V @ 15V,200a 1 MA 32.5 nf @ 30 V
VS-GA200SA60SP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200SA60SP -
RFQ
ECAD 1004 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GA200 781 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGA200SA60SP Ear99 8541.29.0095 180 单身的 - 600 v 1.3V @ 15V,100a 1 MA 16.25 NF @ 30 V
VS-GA200TH60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200TH60S -
RFQ
ECAD 8699 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GA200 1042 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGA200TH60S Ear99 8541.29.0095 12 半桥 - 600 v 260 a 1.9V @ 15V,200a(类型) 5 µA 13.1 NF @ 25 V
VS-GB100NH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100NH120N -
RFQ
ECAD 6945 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB100 833 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB100NH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 200 a 2.35V @ 15V,100A 5 ma 8.58 nf @ 25 V
VS-GB150TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB150TH120U -
RFQ
ECAD 6104 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB150 1147 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB150TH120U Ear99 8541.29.0095 12 半桥 - 1200 v 280 a 3.6V @ 15V,150a 5 ma 12.7 NF @ 30 V
VS-GB200NH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB200NH120N -
RFQ
ECAD 3076 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB200 1562 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB200NH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 420 a 1.8V @ 15V,200a(类型) 5 ma 18 nf @ 25 V
VS-GB300AH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300AH120N -
RFQ
ECAD 2164 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(5) GB300 2500 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB300AH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 620 a 1.9V @ 15V,300A(类型) 5 ma 21 nf @ 25 V
VS-GB300NH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300NH120N -
RFQ
ECAD 3595 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB300 1645 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB300NH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 500 a 2.45V @ 15V,300A 5 ma 21.2 NF @ 25 V
VS-GB400TH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB400TH120N -
RFQ
ECAD 8302 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB400 2604 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB400TH120N Ear99 8541.29.0095 12 半桥 - 1200 v 800 a 1.9V @ 15V,400a ty(typ) 5 ma 32.7 NF @ 25 V
VS-GB400TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB400TH120U -
RFQ
ECAD 5555 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB400 2660 w 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB400TH120U Ear99 8541.29.0095 12 半桥 npt 1200 v 660 a 3.6V @ 15V,400A 5 ma 33.7 NF @ 30 V
VS-GB50LP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB50LP120N -
RFQ
ECAD 1848年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GB50 446 w 标准 int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB50LP120N Ear99 8541.29.0095 24 单身的 - 1200 v 100 a 1.7V @ 15V,50a(类型) 1 MA 4.29 NF @ 25 V
VS-GB70NA60UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB70NA60UF -
RFQ
ECAD 2412 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GB70 447 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGB70NA60UF Ear99 8541.29.0095 180 单身的 npt 600 v 111 a 2.44V @ 15V,70a 100 µA
VS-GB75SA120UP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75SA120UP -
RFQ
ECAD 1928年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GB75 658 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGB75SA120UP Ear99 8541.29.0095 180 单身的 npt 1200 v 3.8V @ 15V,75a 250 µA
VS-GB75TP120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75TP120U -
RFQ
ECAD 2388 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GB75 500 w 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB75TP120U Ear99 8541.29.0095 24 半桥 - 1200 v 105 a 3.2V @ 15V,75a ty(typ) 2 ma 4.3 NF @ 30 V
VS-GT100TP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100TP120N -
RFQ
ECAD 7011 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 175°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GT100 652 w 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGT100TP120N Ear99 8541.29.0095 24 半桥 1200 v 180 a 2.35V @ 15V,100A 5 ma 12.8 NF @ 30 V
VS-GT300FD060N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT300FD060N 670.5450
RFQ
ECAD 4047 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 上次购买 175°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(4 + 8) GT300 1250 w 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGT300FD060N Ear99 8541.29.0095 12 三级逆变器 沟渠场停止 600 v 379 a 2.5V @ 15V,300A 250 µA 23.3 NF @ 30 V
VS-GT400TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT400TH120U -
RFQ
ECAD 5234 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 8) GT400 2344 w 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGT400TH120U Ear99 8541.29.0095 12 半桥 1200 v 750 a 2.35V @ 15V,400A 5 ma 51.2 NF @ 30 V
VS-GT50TP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT50TP120N -
RFQ
ECAD 9172 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 175°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GT50 405 w 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGT50TP120N Ear99 8541.29.0095 24 半桥 1200 v 100 a 2.35V @ 15V,50a 5 ma 6.24 NF @ 30 V
VS-20MT120UFP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MT120UFP -
RFQ
ECAD 4450 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 16-MTP模块 20MT120 240 w 标准 MTP - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS20MT120UFP Ear99 8541.29.0095 105 完整的桥梁逆变器 npt 1200 v 40 a 4.66V @ 15V,40a 250 µA 3.79 NF @ 30 V
VS-40MT120UHAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40MT120UHAPBF -
RFQ
ECAD 9513 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 12-mtp模块 40MT120 463 w 标准 MTP - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS40MT120UHAPBF Ear99 8541.29.0095 15 半桥 npt 1200 v 80 a 4.91V @ 15V,80a 250 µA 8.28 NF @ 30 V
VS-40MT120UHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40MT120UHTAPBF -
RFQ
ECAD 3806 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 12-mtp模块 40MT120 463 w 标准 MTP - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS40MT120UHTAPBF Ear99 8541.29.0095 105 半桥 npt 1200 v 80 a 4.91V @ 15V,80a 250 µA 8.28 NF @ 30 V
VS-50MT060WHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50MT060WHTAPBF -
RFQ
ECAD 2346 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 12-mtp模块 50MT060 658 w 标准 MTP - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS50MT060WHTAPBF Ear99 8541.29.0095 15 半桥 - 600 v 114 a 3.2V @ 15V,100a 400 µA 7.1 NF @ 30 V
VS-70MT060WHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70MT060WHTAPBF -
RFQ
ECAD 6381 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 12-mtp模块 70MT060 347 w 标准 MTP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS70MT060WHTAPBF Ear99 8541.29.0095 105 半桥 npt 600 v 100 a 3.4V @ 15V,140a 700 µA 8 nf @ 30 V
VS-GB55NA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB55NA120UX -
RFQ
ECAD 6073 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GB55 431 w 标准 SOT-227 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 160 单身的 npt 1200 v 84 a 50 µA
VS-GB75NA60UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75NA60UF -
RFQ
ECAD 4811 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GB75 447 w 标准 SOT-227 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 160 单身的 npt 600 v 109 a 2V @ 15V,35a 50 µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库