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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
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![]() | VS-GA100TS60SFPBF | - | ![]() | 1054 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak | GA100 | 780 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGA100TS60SFPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 半桥 | pt | 600 v | 220 a | 1.28V @ 15V,100A | 1 MA | 不 | 16.25 NF @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GA200SA60UP | - | ![]() | 6509 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GA200 | 500 w | 标准 | SOT-227 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGA200SA60UP | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | - | 600 v | 200 a | 1.9V @ 15V,100a | 1 MA | 不 | 16.5 nf @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB100DA60UP | - | ![]() | 4740 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GB100 | 447 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSGB100DA60UP | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | - | 600 v | 125 a | 2.8V @ 15V,100a | 100 µA | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-GB100LH120N | - | ![]() | 2036 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB100 | 833 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB100LH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200 v | 200 a | 1.77V @ 15V,100a ty(typ)) | 1 MA | 不 | 8.96 NF @ 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB100TH120U | - | ![]() | 4082 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB100 | 1136 w | 标准 | 双int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB100TH120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | npt | 1200 v | 200 a | 3.6V @ 15V,100a | 5 ma | 不 | 8.45 NF @ 20 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB15XP120KTPBF | - | ![]() | 5764 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 12-mtp模块 | GB15 | 187 W | 标准 | MTP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB15XP120KTPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | 三相逆变器 | npt | 1200 v | 30 a | 3.66V @ 15V,30a | 250 µA | 是的 | 1.95 nf @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB75YF120N | - | ![]() | 9089 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | GB75 | 480 w | 标准 | Econo2 4pack | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB75YF120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | - | 1200 v | 100 a | 4.5V @ 15V,100a | 250 µA | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-GT140DA60U | 68.0600 | ![]() | 9869 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT140 | 652 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | 沟 | 600 v | 200 a | 2V @ 15V,100a | 100 µA | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-GT50TP60N | - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak(3 + 4) | GT50 | 208 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGT50TP60N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 半桥 | 沟 | 600 v | 85 a | 2.1V @ 15V,50a | 1 MA | 不 | 3.03 NF @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-100MT060WDF | - | ![]() | 8536 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 16-MTP模块 | 100MT060 | 462 w | 标准 | MTP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS100MT060WDF | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | - | 600 v | 121 a | 2.29V @ 15V,60a | 100 µA | 是的 | 9.5 nf @ 30 V | ||||||||||||||
![]() | VS-20MT050XC | - | ![]() | 5741 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | - | 20MT050 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS20MT050XC | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | - | - | - | 不 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-20MT120UFAPBF | - | ![]() | 8023 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 16-MTP模块 | 20MT120 | 240 w | 标准 | MTP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS20MT120UFAPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | 完整的桥梁逆变器 | npt | 1200 v | 20 a | 4.66V @ 15V,40a | 250 µA | 不 | 3.79 NF @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-70MT060WSP | - | ![]() | 8101 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 12-mtp模块 | 70MT060 | 378 w | 单相桥梁整流器 | MTP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS70MT060WSP | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | 单身的 | - | 600 v | 96 a | 2.15V @ 15V,40a | 100 µA | 是的 | 7.43 NF @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-50MT060PHTAPBF | 72.2800 | ![]() | 7222 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | hexfred® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 12-mtp模块 | 50MT060 | 305 w | 标准 | 12-mtp | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-VS-50MT060PHTAPBF | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 600 v | 121 a | 1.64V @ 15V,50a | 100 µA | 是的 | 6000 pf @ 25 V | ||||||||||||||||
![]() | VS-GT75LA60UF | 40.2600 | ![]() | 4260 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT75 | 231 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-VS-GT75LA60UF | 1 | 单菜器 | 沟渠场停止 | 600 v | 81 a | 2.26V @ 15V,70a | 100 µA | 不 | |||||||||||||||||
![]() | VS-EMF050J60U | - | ![]() | 5252 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | emipak2 | EMF050 | 338 w | 标准 | emipak2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSEMF050J60U | Ear99 | 8541.29.0095 | 56 | 三级逆变器 | - | 600 v | 88 a | 2.1V @ 15V,50a | 100 µA | 不 | 9.5 nf @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GT80DA120U | 38.9900 | ![]() | 3455 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | hexfred® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT80 | 658 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | 沟 | 1200 v | 139 a | 2.55V @ 15V,80a | 100 µA | 不 | 4.4 NF @ 25 V | ||||||||||||||
CPV363M4U | - | ![]() | 1226 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | (19-sip (13个领先),IMS-2 | CPV363 | 36 W | 标准 | IMS-2 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | 三相逆变器 | - | 600 v | 13 a | 2V @ 15V,13a | 250 µA | 不 | 1.1 NF @ 30 V | |||||||||||||||
![]() | VS-GT100TP60N | 79.2400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak(3 + 4) | GT100 | 417 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 半桥 | 沟 | 600 v | 160 a | 2.1V @ 15V,100a | 5 ma | 不 | 7.71 NF @ 30 V | ||||||||||||||
![]() | VS-CPV363M4KPBF | - | ![]() | 3037 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | (19-sip (13个领先),IMS-2 | CPV363 | 36 W | 标准 | IMS-2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 v | 11 a | 2.1V @ 15V,6A | 250 µA | 不 | 740 pf @ 30 V | ||||||||||||||||
VS-CPV363M4UPBF | - | ![]() | 3479 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | (19-sip (13个领先),IMS-2 | CPV363 | 36 W | 标准 | IMS-2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 v | 13 a | 2.2V @ 15V,6.8a | 250 µA | 不 | 1.1 NF @ 30 V | ||||||||||||||||
![]() | GB35XF120K | - | ![]() | 4628 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | Econo2 | GB35 | 284 w | 标准 | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 14 | 三相逆变器 | npt | 1200 v | 50 a | 3V @ 15V,50a | 100 µA | 不 | 3.475 NF @ 30 V | |||||||||||||||
VS-GP250SA60S | - | ![]() | 7566 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GP250 | 893 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | pt,战沟 | 600 v | 380 a | 1.3V @ 15V,100a | 100 µA | 不 | ||||||||||||||||
![]() | VS-FA40SA50LC | 24.7261 | ![]() | 2509 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | FA40 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSFA40SA50LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | n通道 | 500 v | 40a(TC) | 10V | 130MOHM @ 23A,10V | 4V @ 250µA | 420 NC @ 10 V | ±20V | 6900 PF @ 25 V | - | 543W(TC) | |||||||||||
![]() | VS-GT150TS065S | 100.8500 | ![]() | 6108 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 盒子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 789 w | 标准 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 112-VS-GT150TS065S | 15 | 半桥逆变器 | 沟 | 650 v | 372 a | 150 µA | 不 | ||||||||||||||||||||
CPV363M4F | - | ![]() | 2178 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | (19-sip (13个领先),IMS-2 | CPV363 | 36 W | 标准 | IMS-2 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 84 | 三相逆变器 | - | 600 v | 16 a | 1.63V @ 15V,16a | 250 µA | 不 | 1.1 NF @ 30 V | ||||||||||||||||
CPV362M4F | - | ![]() | 7380 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | (19-sip (13个领先),IMS-2 | CPV362 | 23 W | 标准 | IMS-2 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | 三相逆变器 | - | 600 v | 8.8 a | 1.66V @ 15V,8.8a | 250 µA | 不 | 340 pf @ 30 V | |||||||||||||||
![]() | VS-GB05XP120KTPBF | - | ![]() | 5750 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 12-mtp模块 | GB05 | 76 W | 标准 | MTP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB05XP120KTPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | 三相逆变器 | - | 1200 v | 12 a | - | 250 µA | 是的 | ||||||||||||||
![]() | VS-GB150TS60NPBF | - | ![]() | 6749 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak(3 + 4) | GB150 | 500 w | 标准 | int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB150TS60NPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 半桥 | npt | 600 v | 138 a | 3V @ 15V,150a | 200 µA | 不 | ||||||||||||||
![]() | VS-GT75YF120NT | 139.9800 | ![]() | 108 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 431 w | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-GT75YF120NT | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 全桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 118 a | 2.6V @ 15V,75a | 100 µA | 是的 |
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