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（195年）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
VS-40MT120PHAPBF	63.7700	RFQ	104	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	12-mtp模块			305 w	标准	12-mtp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-40MT120PHAPBF	Ear99	8541.29.0095	15	半桥												沟渠场停止	1200 v	75 a	2.65V @ 15V，40a	50 µA	不	3.2 NF @ 25 V
VS-ENK025C65S	71.2300	RFQ	10	Vishay通用半导体 -二极管部门	*	盒子	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-ENK025C65S	Ear99	8541.29.0095	100
VS-ENZ025C60N	64.7100	RFQ	10	Vishay通用半导体 -二极管部门	*	盒子	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-ENZ025C60N	Ear99	8541.29.0095	100
VS-GT250SA60S	35.5788	RFQ	5342	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			750 w	标准	SOT-227	下载			到达不受影响	112-VS-GT250SA60S	Ear99	8541.29.0095	160	单身的												沟渠场停止	600 v	359 a	1.16V @ 15V，100a	100 µA	不	24.2 NF @ 25 V
VS-VSHPS1445	-	RFQ	3948	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	托盘	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）		112-VS-VSHPS1445	过时的		160
VS-FC420SA10	23.7600	RFQ	6400	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	FC420	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道	100 v	435a（TC）	10V	2.15MOHM @ 200A，10V	3.8V @ 750µA	375 NC @ 10 V	±20V	17300 PF @ 25 V	-	652W（TC）
VS-GB100YG120NT	-	RFQ	1943年	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	GB100		625 w	标准	Econo3 4pack	-					Ear99	8541.29.0095	10	全桥												npt	1200 v	127 a	4V @ 15V，100a	80 µA	是的
VS-GB150YG120NT	-	RFQ	7460	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	GB150		892 w	标准	Econo3 4pack	-					Ear99	8541.29.0095	10	全桥												npt	1200 v	182 a	4V @ 15V，200a	120 µA	是的
VS-CPV363M4KPBF	-	RFQ	3037	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV363		36 W	标准	IMS-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	160													-	600 v	11 a	2.1V @ 15V，6A	250 µA	不	740 pf @ 30 V
VS-CPV363M4UPBF	-	RFQ	3479	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV363		36 W	标准	IMS-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	160													-	600 v	13 a	2.2V @ 15V，6.8a	250 µA	不	1.1 NF @ 30 V
VS-CPV364M4UPBF	-	RFQ	4578	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV364		63 W	标准	IMS-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	160													-	600 v	20 a	2.1V @ 15V，10a	250 µA	不	2.1 NF @ 30 V
VS-EMF050J60U	-	RFQ	5252	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	emipak2	EMF050		338 w	标准	emipak2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSEMF050J60U	Ear99	8541.29.0095	56	三级逆变器												-	600 v	88 a	2.1V @ 15V，50a	100 µA	不	9.5 nf @ 30 V
VS-FA40SA50LC	24.7261	RFQ	2509	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	FA40	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSFA40SA50LC	Ear99	8541.29.0095	160		n通道	500 v	40a（TC）	10V	130MOHM @ 23A，10V	4V @ 250µA	420 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	543W（TC）
VS-FA72SA50LC	-	RFQ	1930年	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	FA72	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSFA72SA50LC	Ear99	8541.29.0095	160		n通道	500 v	72A（TC）	10V	80MOHM @ 34a，10V	4V @ 250µA	338 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 25 V	-	1136W（TC）
VS-FB180SA10P	-	RFQ	3277	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	FB180	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		VSFB180SA10P	Ear99	8541.29.0095	160		n通道	100 v	180a（TC）	10V	6.5MOHM @ 180A，10V	4V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	480W（TC）
VS-GA100NA60UP	-	RFQ	8659	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GA100		250 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		VSGA100NA60UP	Ear99	8541.29.0095	180	单身的												-	600 v	100 a	2.1V @ 15V，50a	250 µA	不	7.4 nf @ 30 V
VS-GA100TS60SFPBF	-	RFQ	1054	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak	GA100		780 w	标准	int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGA100TS60SFPBF	Ear99	8541.29.0095	15	半桥												pt	600 v	220 a	1.28V @ 15V，100A	1 MA	不	16.25 NF @ 30 V
VS-GA200SA60UP	-	RFQ	6509	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GA200		500 w	标准	SOT-227	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGA200SA60UP	Ear99	8541.29.0095	10	单身的												-	600 v	200 a	1.9V @ 15V，100a	1 MA	不	16.5 nf @ 30 V
VS-GA400TD60S	-	RFQ	6642	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 8）	GA400		1563 w	标准	双int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGA400TD60S	Ear99	8541.29.0095	12	半桥												-	600 v	750 a	1.52V @ 15V，400A	1 MA	不
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VS-GB100DA60UP	-	RFQ	4740	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GB100		447 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		VSGB100DA60UP	Ear99	8541.29.0095	180	单身的												-	600 v	125 a	2.8V @ 15V，100a	100 µA	不
VS-GB100LH120N	-	RFQ	2036	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 4）	GB100		833 w	标准	双int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB100LH120N	Ear99	8541.29.0095	12	单身的												-	1200 v	200 a	1.77V @ 15V，100a ty（typ））	1 MA	不	8.96 NF @ 25 V
VS-GB100TH120U	-	RFQ	4082	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 4）	GB100		1136 w	标准	双int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB100TH120U	Ear99	8541.29.0095	12	半桥												npt	1200 v	200 a	3.6V @ 15V，100a	5 ma	不	8.45 NF @ 20 V
VS-GB100TP120N	-	RFQ	2414	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak	GB100		650 w	标准	int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB100TP120N	Ear99	8541.29.0095	24	半桥												-	1200 v	200 a	2.2V @ 15V，100a	5 ma	不	7.43 NF @ 25 V
VS-GB150TS60NPBF	-	RFQ	6749	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak（3 + 4）	GB150		500 w	标准	int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB150TS60NPBF	Ear99	8541.29.0095	15	半桥												npt	600 v	138 a	3V @ 15V，150a	200 µA	不
VS-GB15XP120KTPBF	-	RFQ	5764	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	12-mtp模块	GB15		187 W	标准	MTP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB15XP120KTPBF	Ear99	8541.29.0095	105	三相逆变器												npt	1200 v	30 a	3.66V @ 15V，30a	250 µA	是的	1.95 nf @ 30 V
VS-GB200TH120U	-	RFQ	9330	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 4）	GB200		1316 w	标准	双int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB200TH120U	Ear99	8541.29.0095	12	半桥												-	1200 v	330 a	3.6V @ 15V，200a	5 ma	不	16.9 NF @ 30 V
VS-GB300LH120N	-	RFQ	5475	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 4）	GB300		1645 w	标准	双int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB300LH120N	Ear99	8541.29.0095	12	单身的												-	1200 v	500 a	2V @ 15V，300A（类型）	5 ma	不	21.2 NF @ 25 V
VS-GB600AH120N	-	RFQ	3189	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（5）	GB600		3125 w	标准	双int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB600AH120N	Ear99	8541.29.0095	12	单身的												-	1200 v	910 a	1.9V @ 15V，600A（类型）	5 ma	不	41 NF @ 25 V
VS-GB70LA60UF	-	RFQ	4224	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GB70		447 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		VSGB70LA60UF	Ear99	8541.29.0095	180	单身的												npt	600 v	111 a	2.44V @ 15V，70a	100 µA	不

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（195年）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²