SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
VS-GA100TS60SFPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA100TS60SFPBF -
RFQ
ECAD 1054 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak GA100 780 w 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGA100TS60SFPBF Ear99 8541.29.0095 15 半桥 pt 600 v 220 a 1.28V @ 15V,100A 1 MA 16.25 NF @ 30 V
VS-GA200SA60UP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200SA60UP -
RFQ
ECAD 6509 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GA200 500 w 标准 SOT-227 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGA200SA60UP Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 600 v 200 a 1.9V @ 15V,100a 1 MA 16.5 nf @ 30 V
VS-GB100DA60UP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100DA60UP -
RFQ
ECAD 4740 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GB100 447 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGB100DA60UP Ear99 8541.29.0095 180 单身的 - 600 v 125 a 2.8V @ 15V,100a 100 µA
VS-GB100LH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100LH120N -
RFQ
ECAD 2036 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB100 833 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB100LH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 200 a 1.77V @ 15V,100a ty(typ)) 1 MA 8.96 NF @ 25 V
VS-GB100TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TH120U -
RFQ
ECAD 4082 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB100 1136 w 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB100TH120U Ear99 8541.29.0095 12 半桥 npt 1200 v 200 a 3.6V @ 15V,100a 5 ma 8.45 NF @ 20 V
VS-GB15XP120KTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB15XP120KTPBF -
RFQ
ECAD 5764 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 12-mtp模块 GB15 187 W 标准 MTP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB15XP120KTPBF Ear99 8541.29.0095 105 三相逆变器 npt 1200 v 30 a 3.66V @ 15V,30a 250 µA 是的 1.95 nf @ 30 V
VS-GB75YF120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75YF120N -
RFQ
ECAD 9089 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 模块 GB75 480 w 标准 Econo2 4pack 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB75YF120N Ear99 8541.29.0095 12 - 1200 v 100 a 4.5V @ 15V,100a 250 µA
VS-GT140DA60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT140DA60U 68.0600
RFQ
ECAD 9869 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GT140 652 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 600 v 200 a 2V @ 15V,100a 100 µA
VS-GT50TP60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT50TP60N -
RFQ
ECAD 2413 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 175°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GT50 208 w 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGT50TP60N Ear99 8541.29.0095 24 半桥 600 v 85 a 2.1V @ 15V,50a 1 MA 3.03 NF @ 30 V
VS-100MT060WDF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-100MT060WDF -
RFQ
ECAD 8536 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 16-MTP模块 100MT060 462 w 标准 MTP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS100MT060WDF Ear99 8541.29.0095 105 - 600 v 121 a 2.29V @ 15V,60a 100 µA 是的 9.5 nf @ 30 V
VS-20MT050XC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MT050XC -
RFQ
ECAD 5741 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 积极的 - - - 20MT050 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS20MT050XC Ear99 8541.29.0095 10 - - -
VS-20MT120UFAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MT120UFAPBF -
RFQ
ECAD 8023 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 16-MTP模块 20MT120 240 w 标准 MTP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS20MT120UFAPBF Ear99 8541.29.0095 105 完整的桥梁逆变器 npt 1200 v 20 a 4.66V @ 15V,40a 250 µA 3.79 NF @ 30 V
VS-70MT060WSP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70MT060WSP -
RFQ
ECAD 8101 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 12-mtp模块 70MT060 378 w 单相桥梁整流器 MTP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS70MT060WSP Ear99 8541.29.0095 105 单身的 - 600 v 96 a 2.15V @ 15V,40a 100 µA 是的 7.43 NF @ 30 V
VS-50MT060PHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50MT060PHTAPBF 72.2800
RFQ
ECAD 7222 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 12-mtp模块 50MT060 305 w 标准 12-mtp 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 112-VS-50MT060PHTAPBF 1 半桥 沟渠场停止 600 v 121 a 1.64V @ 15V,50a 100 µA 是的 6000 pf @ 25 V
VS-GT75LA60UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75LA60UF 40.2600
RFQ
ECAD 4260 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GT75 231 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 112-VS-GT75LA60UF 1 单菜器 沟渠场停止 600 v 81 a 2.26V @ 15V,70a 100 µA
VS-EMF050J60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-EMF050J60U -
RFQ
ECAD 5252 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 emipak2 EMF050 338 w 标准 emipak2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSEMF050J60U Ear99 8541.29.0095 56 三级逆变器 - 600 v 88 a 2.1V @ 15V,50a 100 µA 9.5 nf @ 30 V
VS-GT80DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT80DA120U 38.9900
RFQ
ECAD 3455 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GT80 658 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 1200 v 139 a 2.55V @ 15V,80a 100 µA 4.4 NF @ 25 V
CPV363M4U Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV363M4U -
RFQ
ECAD 1226 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV363 36 W 标准 IMS-2 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 160 三相逆变器 - 600 v 13 a 2V @ 15V,13a 250 µA 1.1 NF @ 30 V
VS-GT100TP60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100TP60N 79.2400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 175°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GT100 417 w 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 半桥 600 v 160 a 2.1V @ 15V,100a 5 ma 7.71 NF @ 30 V
VS-CPV363M4KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV363M4KPBF -
RFQ
ECAD 3037 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV363 36 W 标准 IMS-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 160 - 600 v 11 a 2.1V @ 15V,6A 250 µA 740 pf @ 30 V
VS-CPV363M4UPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV363M4UPBF -
RFQ
ECAD 3479 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV363 36 W 标准 IMS-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 160 - 600 v 13 a 2.2V @ 15V,6.8a 250 µA 1.1 NF @ 30 V
GB35XF120K Vishay General Semiconductor - Diodes Division GB35XF120K -
RFQ
ECAD 4628 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 Econo2 GB35 284 w 标准 - 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 14 三相逆变器 npt 1200 v 50 a 3V @ 15V,50a 100 µA 3.475 NF @ 30 V
VS-GP250SA60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GP250SA60S -
RFQ
ECAD 7566 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GP250 893 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt,战沟 600 v 380 a 1.3V @ 15V,100a 100 µA
VS-FA40SA50LC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FA40SA50LC 24.7261
RFQ
ECAD 2509 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 FA40 MOSFET (金属 o化物) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSFA40SA50LC Ear99 8541.29.0095 160 n通道 500 v 40a(TC) 10V 130MOHM @ 23A,10V 4V @ 250µA 420 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 25 V - 543W(TC)
VS-GT150TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT150TS065S 100.8500
RFQ
ECAD 6108 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 盒子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 789 w 标准 - rohs3符合条件 (1 (无限) 112-VS-GT150TS065S 15 半桥逆变器 650 v 372 a 150 µA
CPV363M4F Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV363M4F -
RFQ
ECAD 2178 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV363 36 W 标准 IMS-2 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 84 三相逆变器 - 600 v 16 a 1.63V @ 15V,16a 250 µA 1.1 NF @ 30 V
CPV362M4F Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV362M4F -
RFQ
ECAD 7380 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV362 23 W 标准 IMS-2 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 160 三相逆变器 - 600 v 8.8 a 1.66V @ 15V,8.8a 250 µA 340 pf @ 30 V
VS-GB05XP120KTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB05XP120KTPBF -
RFQ
ECAD 5750 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 12-mtp模块 GB05 76 W 标准 MTP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB05XP120KTPBF Ear99 8541.29.0095 105 三相逆变器 - 1200 v 12 a - 250 µA 是的
VS-GB150TS60NPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB150TS60NPBF -
RFQ
ECAD 6749 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GB150 500 w 标准 int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB150TS60NPBF Ear99 8541.29.0095 15 半桥 npt 600 v 138 a 3V @ 15V,150a 200 µA
VS-GT75YF120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75YF120NT 139.9800
RFQ
ECAD 108 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 431 w 标准 - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-GT75YF120NT Ear99 8541.29.0095 12 全桥 沟渠场停止 1200 v 118 a 2.6V @ 15V,75a 100 µA 是的
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库