晶体管(195)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce
VS-GB200TH120U	-	询价	9330	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	安装结构	双 INT-A-PAK (3 + 4)	国标200		1316 W	标准	双INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB200TH120U	EAR99	8541.29.0095	12	半桥												-	1200伏	330A	3.6V@15V，200A	5毫安	不	16.9nF@30V
VS-100MT060WDF	-	询价	8536	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	托盘	过时的	150°C（太焦）	安装结构	16-MTP模块	100MT060		462 W	标准	MTP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VS100MT060WDF	EAR99	8541.29.0095	105													-	600伏	121 一个	2.29V@15V，60A	100微安	是的	9.5nF@30V
VS-GT55NA120UX	37.4900	询价	159	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块			291 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	112-VS-GT55NA120UX	EAR99	8541.29.0095	10	单斩波器												沟渠场站	1200伏	68A	2.8V@15V，50A	50微安	不
VS-GB600AH120N	-	询价	3189	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	双 INT-A-PAK (5)	国标600		3125 W	标准	双INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB600AH120N	EAR99	8541.29.0095	12	单身的												-	1200伏	910A	1.9V @ 15V，600A（典型值）	5毫安	不	41nF@25V
VS-GT150TS065S	100.8500	询价	6108	Vishay General Semiconductor - 分割部门	弗雷德铂®	盒子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块			789 W	标准		-	符合ROHS3标准	1（无限制）		112-VS-GT150TS065S			15	半桥逆变器												沟	650伏	第372章		150微安	不
VS-GB300LH120N	-	询价	5475	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	安装结构	双 INT-A-PAK (3 + 4)	国标300		1645 W	标准	双INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB300LH120N	EAR99	8541.29.0095	12	单身的												-	1200伏	500A	2V @ 15V，300A（典型值）	5毫安	不	21.2nF@25V
VS-GB75YF120N	-	询价	9089	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	安装结构	模块	国标75		480W	标准	经济2 4件装	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB75YF120N	EAR99	8541.29.0095	12													-	1200伏	100A	4.5V@15V，100A	250微安	不
VS-GT75NP120N	-	询价	8383	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	INT-A-PAK (3 + 4)	GT75		446 W	标准	INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGT75NP120N	EAR99	8541.29.0095	24	单身的												-	1200伏	150A	2.08V @ 15V，75A（典型值）	1毫安	不	9.45nF@30V
VS-GA100NA60UP	-	询价	8659	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GA100		250W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		VSGA100NA60UP	EAR99	8541.29.0095	180	单身的												-	600伏	100A	2.1V@15V，50A	250微安	不	7.4nF@30V
VS-GT200TP065N	-	询价	7892	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	INT-A-Pak	GT200		600W	标准	INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	24	半桥												沟	650伏	第221章	2.12V@15V，200A	60微安	不
VS-GT75LA60UF	40.2600	询价	4260	Vishay General Semiconductor - 分割部门	弗雷德铂®	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GT75		231 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	112-VS-GT75LA60UF			1	单斩波器												沟渠场站	600伏	81A	2.26V@15V，70A	100微安	不
VS-GB150TS60NPBF	-	询价	6749	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	安装结构	INT-A-PAK (3 + 4)	国标150		500W	标准	INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB150TS60NPBF	EAR99	8541.29.0095	15	半桥												不扩散条约	600伏	138 一个	3V@15V，150A	200微安	不
VS-GT400TH120N	-	询价	2344	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	安装结构	双 INT-A-PAK (3 + 8)	GT400		2119西	标准	双INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGT400TH120N	EAR99	8541.29.0095	12	半桥												沟	1200伏	600A	2.15V@15V，400A	5毫安	不	28.8nF@25V
VS-GB100DA60UP	-	询价	4740	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	国标100		447 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		VSGB100DA60UP	EAR99	8541.29.0095	180	单身的												-	600伏	125A	2.8V@15V，100A	100微安	不
VS-GT300YH120N	208.0242	询价	第1757章	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	双 INT-A-PAK (3 + 8)	GT300		1042W	标准	双INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGT300YH120N	EAR99	8541.29.0095	12	半桥												沟	1200伏	第341章	2.17V @ 15V，300A（典型值）	300微安	不	36nF@30V
VS-GT100TP60N	79.2400	询价	24	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	的积极	175°C（太焦）	安装结构	INT-A-PAK (3 + 4)	GT100		417 W	标准	INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	24	半桥												沟	600伏	160A	2.1V@15V，100A	5毫安	不	7.71nF@30V
VS-GT50TP60N	-	询价	2413	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	175°C（太焦）	安装结构	INT-A-PAK (3 + 4)	GT50		208W	标准	INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGT50TP60N	EAR99	8541.29.0095	24	半桥												沟	600伏	85A	2.1V@15V，50A	1毫安	不	3.03nF@30V
VS-CPV363M4KPBF	-	询价	3037	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	19-SIP（13导联），IMS-2	CPV363		36W	标准	IMS-2	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	160													-	600伏	11A	2.1V@15V，6A	250微安	不	740pF@30V
VS-GT140DA60U	68.0600	询价	9869	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GT140		652W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	单身的												沟	600伏	200A	2V@15V，100A	100微安	不
VS-70MT060WSP	-	询价	8101	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	托盘	过时的	150°C（太焦）	安装结构	12-MTP模块	70MT060		378 W	单相桥式调整器	MTP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VS70MT060WSP	EAR99	8541.29.0095	105	单身的												-	600伏	96A	2.15V@15V，40A	100微安	是的	7.43nF@30V
CPV362M4F	-	询价	7380	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	19-SIP（13导联），IMS-2	CPV362		23W	标准	IMS-2	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	160	天线塔												-	600伏	8.8安	1.66V@15V，8.8A	250微安	不	340pF@30V
CPV363M4U	-	询价	1226	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	19-SIP（13导联），IMS-2	CPV363		36W	标准	IMS-2	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	160	天线塔												-	600伏	13A	2V@15V，13A	250微安	不	1.1nF@30V
VS-GB100TH120U	-	询价	4082	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	双 INT-A-PAK (3 + 4)	国标100		1136 W	标准	双INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB100TH120U	EAR99	8541.29.0095	12	半桥												不扩散条约	1200伏	200A	3.6V@15V，100A	5毫安	不	8.45nF@20V
VS-20MT120UFAPBF	-	询价	8023	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	托盘	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	16-MTP模块	20MT120		240W	标准	MTP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VS20MT120UFAPBF	EAR99	8541.29.0095	105	全桥景观器												不扩散条约	1200伏	20A	4.66V@15V，40A	250微安	不	3.79nF@30V
VS-40MT120PHAPBF	63.7700	询价	104	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	12-MTP模块			305W	标准	12-MTP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	112-VS-40MT120PHAPBF	EAR99	8541.29.0095	15	半桥												沟渠场站	1200伏	75A	2.65V@15V，40A	50微安	不	3.2nF@25V
VS-GB70LA60UF	-	询价	4224	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	国标70		447 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		VSGB70LA60UF	EAR99	8541.29.0095	180	单身的												不扩散条约	600伏	111 一个	2.44V@15V，70A	100微安	不
FA38SA50LC	-	询价	4174	Vishay General Semiconductor - 分割部门	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	FA38	MOSFET（金属O化物）			SOT-227	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10		N沟道	500V	38A（温度）	10V	130毫欧@23A，10V	4V@250μA	420nC@10V	±20V	6900pF@25V	-	500W（温度）
VS-ENZ025C60N	64.7100	询价	10	Vishay General Semiconductor - 分割部门	*	盒子	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	112-VS-ENZ025C60N	EAR99	8541.29.0095	100
VS-GB100LH120N	-	询价	2036	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	双 INT-A-PAK (3 + 4)	国标100		833 W	标准	双INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB100LH120N	EAR99	8541.29.0095	12	单身的												-	1200伏	200A	1.77V@15V，100A（典型值）	1毫安	不	8.96nF@25V
VS-GP100TS60SFPBF	-	询价	6512	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	INT-A-Pak	GP100		781 W	标准	INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	半桥												PT、海沟	600伏	第337章	1.34V@15V，100A	150微安	不

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(195)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²