SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
VS-GT100NA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100NA120UX -
RFQ
ECAD 9787 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GT100 463 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGT100NA120UX Ear99 8541.29.0095 180 单身的 1200 v 134 a 2.85V @ 15V,100a 100 µA
CPV362M4U Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV362M4U -
RFQ
ECAD 7618 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV362 23 W 标准 IMS-2 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 160 三相逆变器 - 600 v 7.2 a 1.95V @ 15V,7.2a 250 µA 530 pf @ 30 V
VS-GB100TH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TH120N -
RFQ
ECAD 9228 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB100 833 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB100TH120N Ear99 8541.29.0095 12 半桥 - 1200 v 200 a 2.35V @ 15V,100A 5 ma 8.58 nf @ 25 V
VS-GB100TP120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TP120U -
RFQ
ECAD 8769 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 - 底盘安装 int-a-pak GB100 735 w 标准 int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB100TP120U Ear99 8541.29.0095 24 半桥 - 1200 v 150 a 3.9V @ 15V,100a 2 ma 4.3 NF @ 25 V
VS-25MT060WFAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25MT060WFAPBF -
RFQ
ECAD 9958 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 16-MTP模块 25MT060 195 w 标准 MTP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS25MT060WFAPBF Ear99 8541.29.0095 105 完整的桥梁逆变器 - 600 v 69 a 3.25V @ 15V,50a 250 µA 5.42 NF @ 30 V
VS-GB100LP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100LP120N -
RFQ
ECAD 7295 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak GB100 658 w 标准 int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB100LP120N Ear99 8541.29.0095 24 单身的 - 1200 v 200 a 1.8V @ 15V,100A(类型) 1 MA 7.43 NF @ 25 V
VS-CPV362M4UPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV362M4UPBF -
RFQ
ECAD 2185 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV362 23 W 标准 IMS-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 160 - 600 v 7.2 a 2.2V @ 15V,3.9a 250 µA 530 pf @ 30 V
2N3904PH Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2N3904PH -
RFQ
ECAD 4097 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 - 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) 2N3904 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 40 V 200 ma - NPN 300mv @ 5mA,50mA 100 @ 10mA,1V 300MHz
VS-GB200LH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB200LH120N -
RFQ
ECAD 4720 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB200 1562 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB200LH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 370 a 2.07V @ 15V,200a(类型) 100 NA 18 nf @ 25 V
VS-ETF150Y65U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETF150Y65U -
RFQ
ECAD 4463 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 175°C(TJ) 底盘安装 EMIPAK-2B ETF150 417 w 标准 EMIPAK-2B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 60 三级逆变器 650 v 142 a 2.06V @ 15V,100a 100 µA 6.6 NF @ 30 V
VS-GP300TD60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gp300td60s -
RFQ
ECAD 5442 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 8) GP300 1136 w 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 12 半桥 pt,战沟 600 v 580 a 1.45V @ 15V,300A 150 µA
VS-150MT060WDF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150MT060WDF -
RFQ
ECAD 7943 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 12-mtp模块 150MT060 543 w 标准 12-MTP PressFit - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 105 双重斩波器 - 600 v 138 a 2.48V @ 15V,80a 100 µA 是的 14 NF @ 30 V
VS-GT200TP065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT200TP065N -
RFQ
ECAD 7892 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak GT200 600 w 标准 int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 半桥 650 v 221 a 2.12V @ 15V,200a 60 µA
VS-100MT060WDF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-100MT060WDF -
RFQ
ECAD 8536 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 16-MTP模块 100MT060 462 w 标准 MTP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS100MT060WDF Ear99 8541.29.0095 105 - 600 v 121 a 2.29V @ 15V,60a 100 µA 是的 9.5 nf @ 30 V
VS-20MT050XC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MT050XC -
RFQ
ECAD 5741 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 积极的 - - - 20MT050 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS20MT050XC Ear99 8541.29.0095 10 - - -
VS-20MT120UFAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MT120UFAPBF -
RFQ
ECAD 8023 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 16-MTP模块 20MT120 240 w 标准 MTP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS20MT120UFAPBF Ear99 8541.29.0095 105 完整的桥梁逆变器 npt 1200 v 20 a 4.66V @ 15V,40a 250 µA 3.79 NF @ 30 V
VS-70MT060WSP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70MT060WSP -
RFQ
ECAD 8101 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 12-mtp模块 70MT060 378 w 单相桥梁整流器 MTP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS70MT060WSP Ear99 8541.29.0095 105 单身的 - 600 v 96 a 2.15V @ 15V,40a 100 µA 是的 7.43 NF @ 30 V
VS-GT50TP60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT50TP60N -
RFQ
ECAD 2413 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 175°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GT50 208 w 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGT50TP60N Ear99 8541.29.0095 24 半桥 600 v 85 a 2.1V @ 15V,50a 1 MA 3.03 NF @ 30 V
VS-GA100TS60SFPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA100TS60SFPBF -
RFQ
ECAD 1054 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak GA100 780 w 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGA100TS60SFPBF Ear99 8541.29.0095 15 半桥 pt 600 v 220 a 1.28V @ 15V,100A 1 MA 16.25 NF @ 30 V
VS-GA200SA60UP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200SA60UP -
RFQ
ECAD 6509 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GA200 500 w 标准 SOT-227 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGA200SA60UP Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 600 v 200 a 1.9V @ 15V,100a 1 MA 16.5 nf @ 30 V
VS-GB100DA60UP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100DA60UP -
RFQ
ECAD 4740 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GB100 447 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGB100DA60UP Ear99 8541.29.0095 180 单身的 - 600 v 125 a 2.8V @ 15V,100a 100 µA
VS-GB100LH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100LH120N -
RFQ
ECAD 2036 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB100 833 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB100LH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 200 a 1.77V @ 15V,100a ty(typ)) 1 MA 8.96 NF @ 25 V
VS-GB100TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TH120U -
RFQ
ECAD 4082 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB100 1136 w 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB100TH120U Ear99 8541.29.0095 12 半桥 npt 1200 v 200 a 3.6V @ 15V,100a 5 ma 8.45 NF @ 20 V
VS-GB15XP120KTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB15XP120KTPBF -
RFQ
ECAD 5764 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 12-mtp模块 GB15 187 W 标准 MTP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB15XP120KTPBF Ear99 8541.29.0095 105 三相逆变器 npt 1200 v 30 a 3.66V @ 15V,30a 250 µA 是的 1.95 nf @ 30 V
VS-GB75YF120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75YF120N -
RFQ
ECAD 9089 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 模块 GB75 480 w 标准 Econo2 4pack 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB75YF120N Ear99 8541.29.0095 12 - 1200 v 100 a 4.5V @ 15V,100a 250 µA
VS-GT140DA60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT140DA60U 68.0600
RFQ
ECAD 9869 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GT140 652 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 600 v 200 a 2V @ 15V,100a 100 µA
CPV362M4K Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV362M4K -
RFQ
ECAD 2047 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV362 23 W 标准 IMS-2 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *CPV362M4K Ear99 8541.29.0095 160 三相逆变器 - 600 v 5.7 a 1.93V @ 15V,3A 250 µA 450 pf @ 30 V
VS-GT80DA60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT80DA60U -
RFQ
ECAD 5528 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GT80 454 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-GT80DA60U Ear99 8541.29.0095 10 单个开关 沟渠场停止 600 v 123 a 2.45V @ 15V,80a 100 µA 10.8 NF @ 25 V
VS-VSHPS1445 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSHPS1445 -
RFQ
ECAD 3948 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 112-VS-VSHPS1445 过时的 160
VS-40MT060WFHT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40MT060WFHT -
RFQ
ECAD 2539 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 托盘 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 12-mtp模块 40MT060 284 w 标准 12-mtp 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 112-VS-40MT060WFHT Ear99 8541.29.0095 105 全桥 - 600 v 67 a - 250 µA 是的
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库