晶体管(195)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce
VS-GT105NA120UX	-	询价	6939	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GT105		463 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	160	单身的												沟	1200伏	134 一个		75微安	不
VS-GB90DA120U	-	询价	8487	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	国标90		862 W	标准	SOT-227	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB90DA120U	EAR99	8541.29.0095	10	单身的												不扩散条约	1200伏	149 一个	3.8V@15V，75A	250微安	不
VS-GB50NA120UX	-	询价	3846	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	国标50		431 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		VSGB50NA120UX	EAR99	8541.29.0095	180	单身的												不扩散条约	1200伏	84A	2.8V@15V，50A	50微安	不
VS-GT175DA120U	-	询价	2201	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GT175		1087 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGT175DA120U	EAR99	8541.29.0095	160	单身的												沟	1200伏	第288章	2.1V@15V，100A	100微安	不
VS-ENM040M60P	64.7100	询价	10	Vishay General Semiconductor - 分割部门	*	盒子	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	112-VS-ENM040M60P	EAR99	8541.29.0095	100
VS-GT120DA65U	-	询价	8864	Vishay General Semiconductor - 分割部门	弗雷德铂®	大部分	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GT120		577 宽	标准	SOT-227	下载					EAR99	8541.29.0095	160	单开关												沟	650伏	167 一个	2V@15V，100A	50微安	不	6.6nF@30V
50MT060ULS	-	询价	7149	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-		过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	10-MTP	50MT060		445W	标准	10-MTP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	单身的												-	600伏	100A	2.55V@15V，100A	250微安	不	14.7nF@30V
VS-GB55LA120UX	-	询价	9171	Vishay General Semiconductor - 分割部门	海克斯弗雷德®	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	国标55		431 W	标准	SOT-227	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	160	单身的												不扩散条约	1200伏	84A		50微安	不
VS-GB100TS60NPBF	-	询价	6585	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	INT-A-Pak	国标100		390W	标准	INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB100TS60NPBF	EAR99	8541.29.0095	15	半桥												不扩散条约	600伏	108一个	2.85V@15V，100A	100微安	不
VS-CPV364M4UPBF	-	询价	4578	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	19-SIP（13导联），IMS-2	CPV364		63W	标准	IMS-2	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	160													-	600伏	20A	2.1V@15V，10A	250微安	不	2.1nF@30V
CPV363M4F	-	询价	2178	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-		过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	19-SIP（13导联），IMS-2	CPV363		36W	标准	IMS-2	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	84	天线塔												-	600伏	16A	1.63V@15V，16A	250微安	不	1.1nF@30V
VS-GP250SA60S	-	询价	7566	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GP250		第893章	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	单身的												PT、海沟	600伏	380A	1.3V@15V，100A	100微安	不
VS-GT250SA60S	35.5788	询价	5342	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块			750W	标准	SOT-227	下载			REACH 不出行	112-VS-GT250SA60S	EAR99	8541.29.0095	160	单身的												沟渠场站	600伏	第359章	1.16V@15V，100A	100微安	不	24.2nF@25V
VS-FC270SA20	27.3100	询价	3308	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	FC270	MOSFET（金属O化物）			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10		N沟道	200V	287A（TC）	10V	4.7毫欧@200A，10V	4.3V@1mA	250nC@10V	±20V	16500pF@100V	-	937W（温度）
VS-CPV363M4UPBF	-	询价	3479	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	19-SIP（13导联），IMS-2	CPV363		36W	标准	IMS-2	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	160													-	600伏	13A	2.2V@15V，6.8A	250微安	不	1.1nF@30V
VS-40MT060WFHT	-	询价	2539	Vishay General Semiconductor - 分割部门	海克斯弗雷德®	托盘	过时的	150°C（太焦）	安装结构	12-MTP模块	40MT060		284 W	标准	12-MTP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		112-VS-40MT060WFHT	EAR99	8541.29.0095	105	全桥												-	600伏	67A	-	250微安	是的
VS-150MT060WDF	-	询价	7943	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	过时的	150°C（太焦）	安装结构	12-MTP模块	150MT060		543 W	标准	12-MTP压接	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	105	双降压斩波器												-	600伏	138 一个	2.48V@15V，80A	100微安	是的	14nF@30V
VS-GT100TS065N	74.1100	询价	5534	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	盒子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块			259 W	标准	INT-A-PAK IGBT	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		112-VS-GT100TS065N			15	半桥逆变器												沟渠场站	650伏	96A	2.3V@15V，100A	50微安	不
VS-GB150YG120NT	-	询价	7460	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	模块	国标150		892 W	标准	ECONO3 4件装	-					EAR99	8541.29.0095	10	全桥												不扩散条约	1200伏	182 一个	4V@15V，200A	120微安	是的
VS-20MT050XC	-	询价	5741	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	托盘	的积极	-	-	-	20MT050			-	-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VS20MT050XC	EAR99	8541.29.0095	10	-												-			-		不
FA57SA50LC	-	询价	7881	Vishay General Semiconductor - 分割部门	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	FA57	MOSFET（金属O化物）			SOT-227	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10		N沟道	500V	57A（温度）	10V	80毫欧@34A，10V	4V@250μA	338nC@10V	±20V	10000pF@25V	-	625W（温度）
VS-EMF050J60U	-	询价	5252	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	安装结构	EMIPAK2	电磁场050		338 W	标准	EMIPAK2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSEMF050J60U	EAR99	8541.29.0095	56	三层平面遮阳板												-	600伏	88A	2.1V@15V，50A	100微安	不	9.5nF@30V
VS-FA72SA50LC	-	询价	1930年	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	FA72	MOSFET（金属O化物）			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSFA72SA50LC	EAR99	8541.29.0095	160		N沟道	500V	72A（温度）	10V	80毫欧@34A，10V	4V@250μA	338nC@10V	±20V	10000pF@25V	-	1136W（温度）
VS-GB100TP120N	-	询价	2414	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	安装结构	INT-A-Pak	国标100		650W	标准	INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB100TP120N	EAR99	8541.29.0095	24	半桥												-	1200伏	200A	2.2V@15V，100A	5毫安	不	7.43nF@25V
VS-FA40SA50LC	24.7261	询价	2509	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	FA40	MOSFET（金属O化物）			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSFA40SA50LC	EAR99	8541.29.0095	160		N沟道	500V	40A（温度）	10V	130毫欧@23A，10V	4V@250μA	420nC@10V	±20V	6900pF@25V	-	543W（温度）
VS-GA200SA60UP	-	询价	6509	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GA200		500W	标准	SOT-227	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGA200SA60UP	EAR99	8541.29.0095	10	单身的												-	600伏	200A	1.9V@15V，100A	1毫安	不	16.5nF@30V
GA400TD25S	-	询价	6917	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	双 INT-A-PAK (3 + 8)	GA400		1350W	标准	双INT-A-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	半桥												-	250伏	400A	1.6V@15V，400A	500微安	不	36nF@30V
VS-GT80DA120U	38.9900	询价	3455	Vishay General Semiconductor - 分割部门	海克斯弗雷德®	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GT80		658 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	单身的												沟	1200伏	139 一个	2.55V@15V，80A	100微安	不	4.4nF@25V
VS-GA100TS60SFPBF	-	询价	1054	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	INT-A-Pak	GA100		780W	标准	INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGA100TS60SFPBF	EAR99	8541.29.0095	15	半桥												PT	600伏	220A	1.28V@15V，100A	1毫安	不	16.25nF@30V
VS-GA100NA60UP	-	询价	8659	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GA100		250W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		VSGA100NA60UP	EAR99	8541.29.0095	180	单身的												-	600伏	100A	2.1V@15V，50A	250微安	不	7.4nF@30V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(195)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²