RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（195年）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
VS-GT75YF120UT	146.1400	RFQ	107	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			431 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-GT75YF120UT	Ear99	8541.29.0095	12	全桥												沟渠场停止	1200 v	118 a	2.6V @ 15V，75a	100 µA	是的
VS-ENV020M120M	43.6400	RFQ	10	Vishay通用半导体 -二极管部门	*	盒子	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-ENV020M120M	Ear99	8541.29.0095	100
VS-ENY050C60	54.2200	RFQ	10	Vishay通用半导体 -二极管部门	*	盒子	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-ENY050C60	Ear99	8541.29.0095	100
VS-ENM040M60P	64.7100	RFQ	10	Vishay通用半导体 -二极管部门	*	盒子	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-ENM040M60P	Ear99	8541.29.0095	100
VS-ENV020F65U	39.8500	RFQ	10	Vishay通用半导体 -二极管部门	*	盒子	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-ENV020F65U	Ear99	8541.29.0095	100
VS-GT200TS065N	90.8800	RFQ	6788	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	盒子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块			517 w	标准	int-a-pak igbt	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		112-VS-GT200TS065N			15	半桥逆变器												沟	650 v	193 a	2.3V @ 15V，200a	100 µA	不
VS-GT200SA60UP	-	RFQ	5873	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	上次购买									-	rohs3符合条件			112-VS-GT200SA60UP			1
VS-20MT120PFP	91.8800	RFQ	2525	Vishay通用半导体 -二极管部门	hexfred®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	16-MTP模块	20MT120		240 w	标准	16-MTP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	112-VS-20MT120PFP			1	全桥												沟渠场停止	1200 v	57 a	2.16V @ 15V，20A	200 µA	不	1430 pf @ 30 V
VS-GT100LA65UF	37.8600	RFQ	3653	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GT100		230 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	112-VS-GT100LA65UF			1	单菜器												沟渠场停止	650 v	94 a	2.1V @ 15V，100a	80 µA	不
FA38SA50LC	-	RFQ	4174	Vishay通用半导体 -二极管部门	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	FA38	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道	500 v	38A（TC）	10V	130MOHM @ 23A，10V	4V @ 250µA	420 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	500W（TC）
FA57SA50LC	-	RFQ	7881	Vishay通用半导体 -二极管部门	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	FA57	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道	500 v	57A（TC）	10V	80MOHM @ 34a，10V	4V @ 250µA	338 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 25 V	-	625W（TC）
CPV362M4K	-	RFQ	2047	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV362		23 W	标准	IMS-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*CPV362M4K	Ear99	8541.29.0095	160	三相逆变器												-	600 v	5.7 a	1.93V @ 15V，3A	250 µA	不	450 pf @ 30 V
CPV363M4F	-	RFQ	2178	Vishay通用半导体 -二极管部门	-		过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV363		36 W	标准	IMS-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	84	三相逆变器												-	600 v	16 a	1.63V @ 15V，16a	250 µA	不	1.1 NF @ 30 V
CPV363M4U	-	RFQ	1226	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV363		36 W	标准	IMS-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	160	三相逆变器												-	600 v	13 a	2V @ 15V，13a	250 µA	不	1.1 NF @ 30 V
GA400TD25S	-	RFQ	6917	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 8）	GA400		1350 w	标准	双int-a-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥												-	250 v	400 a	1.6V @ 15V，400A	500 µA	不	36 NF @ 30 V
CPV362M4F	-	RFQ	7380	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV362		23 W	标准	IMS-2	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	160	三相逆变器												-	600 v	8.8 a	1.66V @ 15V，8.8a	250 µA	不	340 pf @ 30 V
GB35XF120K	-	RFQ	4628	Vishay通用半导体 -二极管部门	-		过时的	150°C（TJ）	底盘安装	Econo2	GB35		284 w	标准	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	14	三相逆变器												npt	1200 v	50 a	3V @ 15V，50a	100 µA	不	3.475 NF @ 30 V
VS-ETF150Y65U	-	RFQ	4463	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	托盘	过时的	175°C（TJ）	底盘安装	EMIPAK-2B	ETF150		417 w	标准	EMIPAK-2B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60	三级逆变器												沟	650 v	142 a	2.06V @ 15V，100a	100 µA	不	6.6 NF @ 30 V
vs-gp300td60s	-	RFQ	5442	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 8）	GP300		1136 w	标准	双int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	12	半桥												pt，战沟	600 v	580 a	1.45V @ 15V，300A	150 µA	不
VS-GP400TD60S	-	RFQ	1185	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 8）	GP400		1563 w	标准	双int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	12	半桥												pt，战沟	600 v	758 a	1.52V @ 15V，400A	200 µA	不
VS-150MT060WDF	-	RFQ	7943	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	12-mtp模块	150MT060		543 w	标准	12-MTP PressFit	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	105	双重斩波器												-	600 v	138 a	2.48V @ 15V，80a	100 µA	是的	14 NF @ 30 V
VS-GP100TS60SFPBF	-	RFQ	6512	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak	GP100		781 w	标准	int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	半桥												pt，战沟	600 v	337 a	1.34V @ 15V，100a	150 µA	不
VS-GT200TP065N	-	RFQ	7892	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak	GT200		600 w	标准	int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	半桥												沟	650 v	221 a	2.12V @ 15V，200a	60 µA	不
VS-GP250SA60S	-	RFQ	7566	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GP250		893 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的												pt，战沟	600 v	380 a	1.3V @ 15V，100a	100 µA	不
VS-FC270SA20	27.3100	RFQ	3308	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	FC270	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道	200 v	287a（TC）	10V	4.7MOHM @ 200a，10v	4.3V @ 1mA	250 NC @ 10 V	±20V	16500 PF @ 100 V	-	937W（TC）
VS-GT80DA120U	38.9900	RFQ	3455	Vishay通用半导体 -二极管部门	hexfred®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GT80		658 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的												沟	1200 v	139 a	2.55V @ 15V，80a	100 µA	不	4.4 NF @ 25 V
VS-GT80DA60U	-	RFQ	5528	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GT80		454 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-GT80DA60U	Ear99	8541.29.0095	10	单个开关												沟渠场停止	600 v	123 a	2.45V @ 15V，80a	100 µA	不	10.8 NF @ 25 V
VS-40MT060WFHT	-	RFQ	2539	Vishay通用半导体 -二极管部门	hexfred®	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	12-mtp模块	40MT060		284 w	标准	12-mtp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		112-VS-40MT060WFHT	Ear99	8541.29.0095	105	全桥												-	600 v	67 a	-	250 µA	是的
VS-GT55NA120UX	37.4900	RFQ	159	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			291 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-GT55NA120UX	Ear99	8541.29.0095	10	单菜器												沟渠场停止	1200 v	68 a	2.8V @ 15V，50a	50 µA	不
VS-GT75YF120NT	139.9800	RFQ	108	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			431 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-GT75YF120NT	Ear99	8541.29.0095	12	全桥												沟渠场停止	1200 v	118 a	2.6V @ 15V，75a	100 µA	是的

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（195年）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²