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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
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![]() | VS-ENV020M120M | 43.6400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | * | 盒子 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-ENV020M120M | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ENY050C60 | 54.2200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | * | 盒子 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-ENY050C60 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ENM040M60P | 64.7100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | * | 盒子 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-ENM040M60P | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ENV020F65U | 39.8500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | * | 盒子 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-ENV020F65U | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-20MT120PFP | 91.8800 | ![]() | 2525 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | hexfred® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 16-MTP模块 | 20MT120 | 240 w | 标准 | 16-MTP | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-VS-20MT120PFP | 1 | 全桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 57 a | 2.16V @ 15V,20A | 200 µA | 不 | 1430 pf @ 30 V | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT100LA65UF | 37.8600 | ![]() | 3653 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT100 | 230 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-VS-GT100LA65UF | 1 | 单菜器 | 沟渠场停止 | 650 v | 94 a | 2.1V @ 15V,100a | 80 µA | 不 | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-GB55LA120UX | - | ![]() | 9171 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | hexfred® | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GB55 | 431 w | 标准 | SOT-227 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | 单身的 | npt | 1200 v | 84 a | 50 µA | 不 | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT200TS065N | 90.8800 | ![]() | 6788 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 盒子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 517 w | 标准 | int-a-pak igbt | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 112-VS-GT200TS065N | 15 | 半桥逆变器 | 沟 | 650 v | 193 a | 2.3V @ 15V,200a | 100 µA | 不 | ||||||||||||||||||||||
VS-ETF150Y65N | 68.5600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 盒子 | 过时的 | 175°C(TJ) | 模块 | ETF150 | 600 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS-ETF150Y65NGI | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | 半桥逆变器 | npt | 650 v | 201 a | 2.17V @ 15V,150a | 是的 | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT180DA120U | 46.2400 | ![]() | 4466 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | hexfred® | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT180 | 1087 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 281 a | 2.05V @ 15V,100a | 100 µA | 不 | 9.35 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||
![]() | VS-VSHPS1444 | - | ![]() | 8826 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | VSHPS14 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 112-VS-VSHPS1444 | 过时的 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT75YF120UT | 146.1400 | ![]() | 107 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 431 w | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-GT75YF120UT | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 全桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 118 a | 2.6V @ 15V,75a | 100 µA | 是的 | |||||||||||||||||||
![]() | VS-GB90SA120U | - | ![]() | 1375 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4 | GB90 | 862 w | 标准 | SOT-227 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS-GB90SA120UGI | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | 单身的 | npt | 1200 v | 149 a | 3.9V @ 15V,75a | 250 µA | 不 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-GB200TH120N | - | ![]() | 4893 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB200 | 1136 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB200TH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | - | 1200 v | 360 a | 2.35V @ 15V,200a | 5 ma | 不 | 14.9 nf @ 25 V | |||||||||||||||||
![]() | VS-S1683 | - | ![]() | 6770 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | S1683 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 112-VS-S1683 | 过时的 | 12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GB400AH120U | - | ![]() | 8417 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(5) | GB400 | 2841 w | 标准 | 双int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB400AH120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200 v | 550 a | 3.6V @ 15V,400A | 5 ma | 不 | 33.7 NF @ 30 V | |||||||||||||||||
![]() | VS-GA300TD60S | - | ![]() | 9566 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 8) | GA300 | 1136 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGA300TD60S | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | - | 600 v | 530 a | 1.45V @ 15V,300A | 750 µA | 不 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-GB75YF120UT | - | ![]() | 1366 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | GB75 | 480 w | 标准 | Econo2 4pack | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB75YF120UT | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | - | 1200 v | 100 a | 4.5V @ 15V,100a | 250 µA | 是的 | |||||||||||||||||||
![]() | VS-GT400TH60N | - | ![]() | 4516 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 8) | GT400 | 1600 w | 标准 | 双int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGT400TH60N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | 沟 | 600 v | 530 a | 2.05V @ 15V,400A | 5 ma | 不 | 30.8 nf @ 30 V | |||||||||||||||||
![]() | VS-GB75LA60UF | - | ![]() | 9658 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GB75 | 447 w | 标准 | SOT-227 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | 单身的 | npt | 600 v | 109 a | 2V @ 15V,35a | 50 µA | 不 | |||||||||||||||||||
![]() | VS-GB150LH120N | - | ![]() | 4950 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB150 | 1389 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB150LH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200 v | 300 a | 1.87V @ 15V,150a ty(typ)) | 1 MA | 不 | 10.6 NF @ 25 V | |||||||||||||||||
![]() | VS-GB300TH120N | - | ![]() | 7750 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB300 | 1645 w | 标准 | 双int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB300TH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | - | 1200 v | 500 a | 2.45V @ 15V,300A | 5 ma | 不 | 21.2 NF @ 25 V | |||||||||||||||||
![]() | VS-GT200SA60UP | - | ![]() | 5873 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | - | rohs3符合条件 | 112-VS-GT200SA60UP | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT100DA120U | - | ![]() | 6448 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT100 | 893 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSGT100DA120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | 沟 | 1200 v | 258 a | 2.1V @ 15V,100a | 100 µA | 不 | |||||||||||||||||||
![]() | VS-ETL015Y120H | - | ![]() | 2877 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | EMIPAK-2B | ETL015 | 89 w | 标准 | EMIPAK-2B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 56 | 沟 | 1200 v | 22 a | 3.03V @ 15V,15a | 75 µA | 是的 | 1.07 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||
![]() | 50mt060uls | - | ![]() | 7149 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 10-mtp | 50MT060 | 445 w | 标准 | 10-mtp | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 单身的 | - | 600 v | 100 a | 2.55V @ 15V,100A | 250 µA | 不 | 14.7 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||
![]() | VS-GT105NA120UX | - | ![]() | 6939 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT105 | 463 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | 单身的 | 沟 | 1200 v | 134 a | 75 µA | 不 | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-GA100TS60SF | - | ![]() | 5865 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak | GA100 | 780 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 半桥 | pt | 600 v | 220 a | 1.28V @ 15V,100A | 1 MA | 不 | 16.25 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||
![]() | VS-FB190SA10 | - | ![]() | 2875 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | FB190 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 100 v | 190a(TJ) | 10V | 6.5MOHM @ 180A,10V | 4.35V @ 250µA | 250 NC @ 10 V | ±20V | 10700 PF @ 25 V | - | 568W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | mpsa42ph | - | ![]() | 7274 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | MPSA42 | 625兆 | TO-92-3 | - | Rohs不合规 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 300 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 2mA,20mA | 40 @ 30mA,10V | 50MHz |
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