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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-FC420SA15 | 25.6600 | ![]() | 2260 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | FC420 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 150 v | 400A(TC) | 10V | 2.75Mohm @ 200a,10v | 5.4V @ 1mA | 250 NC @ 10 V | ±20V | 13700 PF @ 25 V | - | 909W(TC) | ||||||||||||
![]() | VS-GB300AH120N | - | ![]() | 2164 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(5) | GB300 | 2500 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB300AH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200 v | 620 a | 1.9V @ 15V,300A(类型) | 5 ma | 不 | 21 nf @ 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-FA38SA50LCP | - | ![]() | 8292 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | FA38 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSFA38SA50LCP | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | n通道 | 500 v | 38A(TC) | 10V | 130MOHM @ 23A,10V | 4V @ 250µA | 420 NC @ 10 V | ±20V | 6900 PF @ 25 V | - | 500W(TC) | ||||||||||||
![]() | VS-GB75NA60UF | - | ![]() | 4811 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GB75 | 447 w | 标准 | SOT-227 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | 单身的 | npt | 600 v | 109 a | 2V @ 15V,35a | 50 µA | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-100MT060WSP | - | ![]() | 8105 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | 12-mtp模块 | 100MT060 | 403 w | 单相桥梁整流器 | MTP | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | 单身的 | - | 600 v | 107 a | 2.49V @ 15V,60a | 100 µA | 是的 | 9.5 nf @ 30 V | ||||||||||||||
![]() | VS-ETF075Y60U | 102.1755 | ![]() | 2016 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | EMIPAK-2B | ETF075 | 294 w | 标准 | EMIPAK-2B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | 三级逆变器 | 沟 | 600 v | 100 a | 1.93V @ 15V,75a | 100 µA | 是的 | 4.44 NF @ 30 V | ||||||||||||||
![]() | VS-GA100TS120UPBF | - | ![]() | 8337 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak | GA100 | 520 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSGA100TS120UPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 半桥 | - | 1200 v | 182 a | 3V @ 15V,100a | 1 MA | 不 | 18.67 NF @ 30 V | ||||||||||||||
![]() | VS-GB100TS60NPBF | - | ![]() | 6585 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak | GB100 | 390 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB100TS60NPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 半桥 | npt | 600 v | 108 a | 2.85V @ 15V,100a | 100 µA | 不 | ||||||||||||||
![]() | VS-GB200TS60NPBF | - | ![]() | 7396 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak(3 + 4) | GB200 | 781 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB200TS60NPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 半桥 | npt | 600 v | 209 a | 2.84V @ 15V,200a | 200 µA | 不 | ||||||||||||||
![]() | VS-GB400AH120N | - | ![]() | 4488 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(5) | GB400 | 2500 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB400AH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200 v | 650 a | 1.9V @ 15V,400a ty(typ) | 5 ma | 不 | 30 NF @ 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB50LA120UX | - | ![]() | 6363 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GB50 | 431 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSGB50LA120UX | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | npt | 1200 v | 84 a | 2.8V @ 15V,50a | 50 µA | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-GB50NA120UX | - | ![]() | 3846 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GB50 | 431 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSGB50NA120UX | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | npt | 1200 v | 84 a | 2.8V @ 15V,50a | 50 µA | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-GB50TP120N | - | ![]() | 8378 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak(3 + 4) | GB50 | 446 w | 标准 | int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB50TP120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 半桥 | - | 1200 v | 100 a | 2.15V @ 15V,50a | 5 ma | 不 | 4.29 NF @ 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB75DA120UP | - | ![]() | 1823年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GB75 | 658 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSGB75DA120UP | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | npt | 1200 v | 3.8V @ 15V,75a | 250 µA | 不 | ||||||||||||||||
![]() | VS-GB75LP120N | - | ![]() | 9601 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak(3 + 4) | GB75 | 658 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB75LP120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 单身的 | - | 1200 v | 170 a | 1.82V @ 15V,75a ty(typ)) | 1 MA | 不 | 5.52 NF @ 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB75TP120N | - | ![]() | 2743 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak(3 + 4) | GB75 | 543 w | 标准 | int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB75TP120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 半桥 | - | 1200 v | 150 a | 2.35V @ 15V,75a | 5 ma | 不 | 5.52 NF @ 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB90DA120U | - | ![]() | 8487 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GB90 | 862 w | 标准 | SOT-227 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB90DA120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | npt | 1200 v | 149 a | 3.8V @ 15V,75a | 250 µA | 不 | ||||||||||||||
![]() | VS-GT100DA60U | - | ![]() | 5065 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT100 | 577 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSGT100DA60U | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | 沟 | 600 v | 184 a | 2V @ 15V,100a | 100 µA | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-GT100LA120UX | - | ![]() | 1111 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT100 | 463 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSGT100LA120UX | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | 沟 | 1200 v | 134 a | 2.85V @ 15V,100a | 100 µA | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-GT175DA120U | - | ![]() | 2201 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT175 | 1087 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGT175DA120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | 单身的 | 沟 | 1200 v | 288 a | 2.1V @ 15V,100a | 100 µA | 不 | ||||||||||||||
![]() | VS-GT120DA65U | - | ![]() | 8864 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 大部分 | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT120 | 577 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | 单个开关 | 沟 | 650 v | 167 a | 2V @ 15V,100a | 50 µA | 不 | 6.6 NF @ 30 V | |||||||||||||||||
![]() | VS-GB300TH120U | - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB300 | 2119 w | 标准 | 双int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB300TH120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | - | 1200 v | 530 a | 3.6V @ 15V,300A | 5 ma | 不 | 25.3 NF @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-92-0173 | - | ![]() | 1251 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 112-VS-92-0173 | 过时的 | 1 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
VS-CPV364M4FPBF | - | ![]() | 6901 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | (19-sip (13个领先),IMS-2 | CPV364 | 63 W | 标准 | IMS-2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 v | 27 a | 1.5V @ 15V,15a | 250 µA | 不 | 2.2 NF @ 30 V | ||||||||||||||||
![]() | VS-GB50YF120N | - | ![]() | 8066 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | GB50 | 330 w | 标准 | Econo2 4pack | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB50YF120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | - | 1200 v | 66 a | 4.5V @ 15V,75a | 250 µA | 不 | |||||||||||||||
![]() | GA200SA60S | - | ![]() | 2692 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GA200 | 630 w | 标准 | SOT-227B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | - | 600 v | 200 a | 1.3V @ 15V,100a | 1 MA | 不 | 16.25 NF @ 30 V | |||||||||||||||
![]() | VS-GB150TH120N | - | ![]() | 5871 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB150 | 1008 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB150TH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | - | 1200 v | 300 a | 2.35V @ 15V,150a | 5 ma | 不 | 11 nf @ 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB100TS120NPBF | - | ![]() | 5788 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 底盘安装 | int-a-pak | GB100 | 标准 | int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | npt | - | 不 | |||||||||||||||||||||
VS-CPV362M4KPBF | - | ![]() | 1847年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | (19-sip (13个领先),IMS-2 | CPV362 | - | IMS-2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - | - | - | 不 | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT55LA120UX | 37.4900 | ![]() | 157 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | 291 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-GT55LA120UX | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单菜器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 68 a | 2.8V @ 15V,50a | 50 µA | 不 |
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