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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 电流 - 电极电极电流(最大) | NTC热敏电阻 | 输入电容 (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-GA200SA60SP | - | ![]() | 1004 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GA200 | 781 W | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | VSGA200SA60SP | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | - | 600伏 | 1.3V@15V,100A | 1毫安 | 不 | 16.25nF@30V | |||||||||||||||
![]() | VS-ENW30S120T | 130.3500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | * | 盒子 | 的积极 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 112-VS-ENW30S120T | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GB50LP120N | - | ![]() | 1848年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | INT-A-PAK (3 + 4) | 国标50 | 446 W | 标准 | INT-A-PAK | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VSGB50LP120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | 单身的 | - | 1200伏 | 100A | 1.7V@15V,50A(典型值) | 1毫安 | 不 | 4.29nF@25V | |||||||||||||
![]() | VS-FC80NA20 | - | ![]() | 8317 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | FC80 | MOSFET(金属O化物) | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | N沟道 | 200V | 108A(温度) | 10V | 14毫欧@80A,10V | 5.5V@250μA | 161nC@10V | ±30V | 10720pF@50V | - | 405W(温度) | ||||||||||||
![]() | VS-ENV020M120M | 43.6400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | * | 盒子 | 的积极 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 112-VS-ENV020M120M | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VSHPS1444 | - | ![]() | 8826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 托盘 | 过时的 | VSHPS14 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 112-VS-VSHPS1444 | 过时的 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT180DA120U | 46.2400 | ![]() | 4466 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 海克斯弗雷德® | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GT180 | 1087 W | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | 沟渠场站 | 1200伏 | 第281章 | 2.05V@15V,100A | 100微安 | 不 | 9.35nF@25V | ||||||||||||||
![]() | VS-25MT060WFAPBF | - | ![]() | 9958 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | 16-MTP模块 | 25MT060 | 195 W | 标准 | MTP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VS25MT060WFAPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | 全桥景观器 | - | 600伏 | 69一个 | 3.25V@15V,50A | 250微安 | 不 | 5.42nF@30V | |||||||||||||
![]() | VS-S1683 | - | ![]() | 6770 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 托盘 | 过时的 | S1683 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 112-VS-S1683 | 过时的 | 12 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ETF075Y60U | 102.1755 | ![]() | 2016年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 的积极 | 175°C(太焦) | 安装结构 | EMIPAK-2B | ETF075 | 294 W | 标准 | EMIPAK-2B | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | 三层平面遮阳板 | 沟 | 600伏 | 100A | 1.93V@15V,75A | 100微安 | 是的 | 4.44nF@30V | ||||||||||||||
![]() | VS-GB300TH120U | - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 安装结构 | 双 INT-A-PAK (3 + 4) | 国标300 | 2119西 | 标准 | 双INT-A-PAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VSGB300TH120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | - | 1200伏 | 530A | 3.6V@15V,300A | 5毫安 | 不 | 25.3nF@30V | |||||||||||||
![]() | VS-FB190SA10 | - | ![]() | 2875 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | FB190 | MOSFET(金属O化物) | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N沟道 | 100伏 | 190A(天) | 10V | 6.5毫欧@180A,10V | 4.35V@250μA | 250nC@10V | ±20V | 10700pF@25V | - | 568W(温度) | ||||||||||||
![]() | VS-GT75YF120UT | 146.1400 | ![]() | 107 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 盒子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | 431 W | 标准 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 112-VS-GT75YF120UT | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | 全桥 | 沟渠场站 | 1200伏 | 118 一个 | 2.6V@15V,75A | 100微安 | 是的 | |||||||||||||||
![]() | VS-GB50LA120UX | - | ![]() | 6363 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | 国标50 | 431 W | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | VSGB50LA120UX | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | 不扩散条约 | 1200伏 | 84A | 2.8V@15V,50A | 50微安 | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-GB100TP120U | - | ![]() | 8769 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | - | 安装结构 | INT-A-Pak | 国标100 | 735 W | 标准 | INT-A-PAK | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VSGB100TP120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | 半桥 | - | 1200伏 | 150A | 3.9V@15V,100A | 2毫安 | 不 | 4.3nF@25V | |||||||||||||
| VS-CPV362M4UPBF | - | ![]() | 2185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 19-SIP(13导联),IMS-2 | CPV362 | 23W | 标准 | IMS-2 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600伏 | 7.2A | 2.2V@15V,3.9A | 250微安 | 不 | 530pF@30V | ||||||||||||||||
![]() | VS-GB50YF120N | - | ![]() | 8066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 安装结构 | 模块 | 国标50 | 330W | 标准 | 经济2 4件装 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VSGB50YF120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | - | 1200伏 | 66A | 4.5V@15V,75A | 250微安 | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-GT100NA120UX | - | ![]() | 9787 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GT100 | 463 W | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | VSGT100NA120UX | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | 沟 | 1200伏 | 134 一个 | 2.85V@15V,100A | 100微安 | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-GB400AH120N | - | ![]() | 4488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | 双 INT-A-PAK (5) | 国标400 | 2500W | 标准 | 双INT-A-PAK | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VSGB400AH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200伏 | 650A | 1.9V @ 15V,400A(典型值) | 5毫安 | 不 | 30nF@25V | |||||||||||||
![]() | VS-GB200TS60NPBF | - | ![]() | 7396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | INT-A-PAK (3 + 4) | 国标200 | 781 W | 标准 | INT-A-PAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VSGB200TS60NPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 半桥 | 不扩散条约 | 600伏 | 第209章 | 2.84V@15V,200A | 200微安 | 不 | ||||||||||||||
![]() | VS-GA100TS120UPBF | - | ![]() | 8337 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | INT-A-Pak | GA100 | 520W | 标准 | INT-A-PAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | VSGA100TS120UPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 半桥 | - | 1200伏 | 182 一个 | 3V@15V,100A | 1毫安 | 不 | 18.67nF@30V | ||||||||||||||
![]() | VS-100MT060WSP | - | ![]() | 8105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | 12-MTP模块 | 100MT060 | 403 W | 单相桥式调整器 | MTP | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | 单身的 | - | 600伏 | 107 一个 | 2.49V@15V,60A | 100微安 | 是的 | 9.5nF@30V | ||||||||||||||
![]() | VS-GB90SA120U | - | ![]() | 第1375章 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | SOT-227-4 | 国标90 | 862 W | 标准 | SOT-227 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VS-GB90SA120UGI | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | 单身的 | 不扩散条约 | 1200伏 | 149 一个 | 3.9V@15V,75A | 250微安 | 不 | ||||||||||||||
| CPV362M4U | - | ![]() | 7618 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 19-SIP(13导联),IMS-2 | CPV362 | 23W | 标准 | IMS-2 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | 天线塔 | - | 600伏 | 7.2A | 1.95V@15V,7.2A | 250微安 | 不 | 530pF@30V | |||||||||||||||
![]() | VS-GB75YF120UT | - | ![]() | 1366 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 安装结构 | 模块 | 国标75 | 480W | 标准 | 经济2 4件装 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VSGB75YF120UT | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | - | 1200伏 | 100A | 4.5V@15V,100A | 250微安 | 是的 | |||||||||||||||
![]() | VS-GB100LP120N | - | ![]() | 7295 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | INT-A-Pak | 国标100 | 658 W | 标准 | INT-A-PAK | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VSGB100LP120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | 单身的 | - | 1200伏 | 200A | 1.8V @ 15V,100A(典型值) | 1毫安 | 不 | 7.43nF@25V | |||||||||||||
| VS-ETF150Y65N | 68.5600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 弗雷德铂® | 盒子 | 过时的 | 175°C(太焦) | 模块 | ETF150 | 600W | 标准 | 模块 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VS-ETF150Y65NGI | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | 半桥逆变器 | 不扩散条约 | 650伏 | 第201章 | 2.17V@15V,150A | 是的 | |||||||||||||||||
![]() | VS-GB200LH120N | - | ![]() | 4720 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | 双 INT-A-PAK (3 + 4) | 国标200 | 1562 W | 标准 | 双INT-A-PAK | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VSGB200LH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200伏 | 370A | 2.07V @ 15V,200A(典型值) | 100纳安 | 不 | 18nF@25V | |||||||||||||
![]() | VS-GT100LA120UX | - | ![]() | 1111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GT100 | 463 W | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | VSGT100LA120UX | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | 沟 | 1200伏 | 134 一个 | 2.85V@15V,100A | 100微安 | 不 | |||||||||||||||
![]() | VS-GT400TH60N | - | ![]() | 4516 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 的积极 | 175°C(太焦) | 安装结构 | 双 INT-A-PAK (3 + 8) | GT400 | 1600W | 标准 | 双INT-A-PAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VSGT400TH60N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | 沟 | 600伏 | 530A | 2.05V@15V,400A | 5毫安 | 不 | 30.8nF@30V |

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