SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
VS-FC420SA15 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FC420SA15 25.6600
RFQ
ECAD 2260 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 FC420 MOSFET (金属 o化物) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 150 v 400A(TC) 10V 2.75Mohm @ 200a,10v 5.4V @ 1mA 250 NC @ 10 V ±20V 13700 PF @ 25 V - 909W(TC)
VS-GB300AH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300AH120N -
RFQ
ECAD 2164 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(5) GB300 2500 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB300AH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 620 a 1.9V @ 15V,300A(类型) 5 ma 21 nf @ 25 V
VS-FA38SA50LCP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FA38SA50LCP -
RFQ
ECAD 8292 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 FA38 MOSFET (金属 o化物) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSFA38SA50LCP Ear99 8541.29.0095 180 n通道 500 v 38A(TC) 10V 130MOHM @ 23A,10V 4V @ 250µA 420 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 25 V - 500W(TC)
VS-GB75NA60UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75NA60UF -
RFQ
ECAD 4811 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GB75 447 w 标准 SOT-227 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 160 单身的 npt 600 v 109 a 2V @ 15V,35a 50 µA
VS-100MT060WSP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-100MT060WSP -
RFQ
ECAD 8105 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 12-mtp模块 100MT060 403 w 单相桥梁整流器 MTP - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 105 单身的 - 600 v 107 a 2.49V @ 15V,60a 100 µA 是的 9.5 nf @ 30 V
VS-ETF075Y60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETF075Y60U 102.1755
RFQ
ECAD 2016 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 175°C(TJ) 底盘安装 EMIPAK-2B ETF075 294 w 标准 EMIPAK-2B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 60 三级逆变器 600 v 100 a 1.93V @ 15V,75a 100 µA 是的 4.44 NF @ 30 V
VS-GA100TS120UPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA100TS120UPBF -
RFQ
ECAD 8337 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak GA100 520 w 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGA100TS120UPBF Ear99 8541.29.0095 15 半桥 - 1200 v 182 a 3V @ 15V,100a 1 MA 18.67 NF @ 30 V
VS-GB100TS60NPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TS60NPBF -
RFQ
ECAD 6585 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak GB100 390 w 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB100TS60NPBF Ear99 8541.29.0095 15 半桥 npt 600 v 108 a 2.85V @ 15V,100a 100 µA
VS-GB200TS60NPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB200TS60NPBF -
RFQ
ECAD 7396 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GB200 781 w 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB200TS60NPBF Ear99 8541.29.0095 15 半桥 npt 600 v 209 a 2.84V @ 15V,200a 200 µA
VS-GB400AH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB400AH120N -
RFQ
ECAD 4488 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(5) GB400 2500 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB400AH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 650 a 1.9V @ 15V,400a ty(typ) 5 ma 30 NF @ 25 V
VS-GB50LA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB50LA120UX -
RFQ
ECAD 6363 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GB50 431 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGB50LA120UX Ear99 8541.29.0095 180 单身的 npt 1200 v 84 a 2.8V @ 15V,50a 50 µA
VS-GB50NA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB50NA120UX -
RFQ
ECAD 3846 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GB50 431 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGB50NA120UX Ear99 8541.29.0095 180 单身的 npt 1200 v 84 a 2.8V @ 15V,50a 50 µA
VS-GB50TP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB50TP120N -
RFQ
ECAD 8378 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GB50 446 w 标准 int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB50TP120N Ear99 8541.29.0095 24 半桥 - 1200 v 100 a 2.15V @ 15V,50a 5 ma 4.29 NF @ 25 V
VS-GB75DA120UP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75DA120UP -
RFQ
ECAD 1823年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GB75 658 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGB75DA120UP Ear99 8541.29.0095 180 单身的 npt 1200 v 3.8V @ 15V,75a 250 µA
VS-GB75LP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75LP120N -
RFQ
ECAD 9601 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GB75 658 w 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB75LP120N Ear99 8541.29.0095 24 单身的 - 1200 v 170 a 1.82V @ 15V,75a ty(typ)) 1 MA 5.52 NF @ 25 V
VS-GB75TP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75TP120N -
RFQ
ECAD 2743 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GB75 543 w 标准 int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB75TP120N Ear99 8541.29.0095 24 半桥 - 1200 v 150 a 2.35V @ 15V,75a 5 ma 5.52 NF @ 25 V
VS-GB90DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB90DA120U -
RFQ
ECAD 8487 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GB90 862 w 标准 SOT-227 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB90DA120U Ear99 8541.29.0095 10 单身的 npt 1200 v 149 a 3.8V @ 15V,75a 250 µA
VS-GT100DA60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100DA60U -
RFQ
ECAD 5065 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GT100 577 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGT100DA60U Ear99 8541.29.0095 180 单身的 600 v 184 a 2V @ 15V,100a 100 µA
VS-GT100LA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100LA120UX -
RFQ
ECAD 1111 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GT100 463 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGT100LA120UX Ear99 8541.29.0095 180 单身的 1200 v 134 a 2.85V @ 15V,100a 100 µA
VS-GT175DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT175DA120U -
RFQ
ECAD 2201 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GT175 1087 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGT175DA120U Ear99 8541.29.0095 160 单身的 1200 v 288 a 2.1V @ 15V,100a 100 µA
VS-GT120DA65U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT120DA65U -
RFQ
ECAD 8864 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 大部分 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GT120 577 w 标准 SOT-227 下载 Ear99 8541.29.0095 160 单个开关 650 v 167 a 2V @ 15V,100a 50 µA 6.6 NF @ 30 V
VS-GB300TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300TH120U -
RFQ
ECAD 8038 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB300 2119 w 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB300TH120U Ear99 8541.29.0095 12 半桥 - 1200 v 530 a 3.6V @ 15V,300A 5 ma 25.3 NF @ 30 V
VS-92-0173 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-92-0173 -
RFQ
ECAD 1251 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 - - - Rohs符合条件 (1 (无限) 112-VS-92-0173 过时的 1 - - -
VS-CPV364M4FPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV364M4FPBF -
RFQ
ECAD 6901 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV364 63 W 标准 IMS-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 160 - 600 v 27 a 1.5V @ 15V,15a 250 µA 2.2 NF @ 30 V
VS-GB50YF120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB50YF120N -
RFQ
ECAD 8066 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 模块 GB50 330 w 标准 Econo2 4pack - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB50YF120N Ear99 8541.29.0095 12 - 1200 v 66 a 4.5V @ 15V,75a 250 µA
GA200SA60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division GA200SA60S -
RFQ
ECAD 2692 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GA200 630 w 标准 SOT-227B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 600 v 200 a 1.3V @ 15V,100a 1 MA 16.25 NF @ 30 V
VS-GB150TH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB150TH120N -
RFQ
ECAD 5871 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB150 1008 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB150TH120N Ear99 8541.29.0095 12 半桥 - 1200 v 300 a 2.35V @ 15V,150a 5 ma 11 nf @ 25 V
VS-GB100TS120NPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TS120NPBF -
RFQ
ECAD 5788 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 底盘安装 int-a-pak GB100 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 半桥 npt -
VS-CPV362M4KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV362M4KPBF -
RFQ
ECAD 1847年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV362 - IMS-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 160 - - -
VS-GT55LA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT55LA120UX 37.4900
RFQ
ECAD 157 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 291 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-GT55LA120UX Ear99 8541.29.0095 10 单菜器 沟渠场停止 1200 v 68 a 2.8V @ 15V,50a 50 µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库