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（195年）

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VS-FA38SA50LCP	-	RFQ	8292	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	FA38	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		VSFA38SA50LCP	Ear99	8541.29.0095	180		n通道	500 v	38A（TC）	10V	130MOHM @ 23A，10V	4V @ 250µA	420 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	500W（TC）
CPV364M4U	-	RFQ	7732	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV364		63 W	标准	IMS-2	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	160	三相逆变器												-	600 v	20 a	1.84V @ 15V，20A	250 µA	不	2.1 NF @ 30 V
VS-FC80NA20	-	RFQ	8317	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	FC80	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	160		n通道	200 v	108a（TC）	10V	14mohm @ 80a，10v	5.5V @ 250µA	161 NC @ 10 V	±30V	10720 PF @ 50 V	-	405W（TC）
VS-GT400TH120U	-	RFQ	5234	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 8）	GT400		2344 w	标准	双int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGT400TH120U	Ear99	8541.29.0095	12	半桥												沟	1200 v	750 a	2.35V @ 15V，400A	5 ma	不	51.2 NF @ 30 V
VS-CPV362M4KPBF	-	RFQ	1847年	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV362			-	IMS-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	160	-												-			-		不
VS-ETF075Y60U	102.1755	RFQ	2016	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	底盘安装	EMIPAK-2B	ETF075		294 w	标准	EMIPAK-2B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60	三级逆变器												沟	600 v	100 a	1.93V @ 15V，75a	100 µA	是的	4.44 NF @ 30 V
VS-GA100TS120UPBF	-	RFQ	8337	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak	GA100		520 w	标准	int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		VSGA100TS120UPBF	Ear99	8541.29.0095	15	半桥												-	1200 v	182 a	3V @ 15V，100a	1 MA	不	18.67 NF @ 30 V
VS-GB100TS60NPBF	-	RFQ	6585	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak	GB100		390 w	标准	int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB100TS60NPBF	Ear99	8541.29.0095	15	半桥												npt	600 v	108 a	2.85V @ 15V，100a	100 µA	不
VS-GB200TS60NPBF	-	RFQ	7396	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak（3 + 4）	GB200		781 w	标准	int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB200TS60NPBF	Ear99	8541.29.0095	15	半桥												npt	600 v	209 a	2.84V @ 15V，200a	200 µA	不
VS-GB400AH120N	-	RFQ	4488	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（5）	GB400		2500 w	标准	双int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB400AH120N	Ear99	8541.29.0095	12	单身的												-	1200 v	650 a	1.9V @ 15V，400a ty（typ）	5 ma	不	30 NF @ 25 V
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VS-GB50NA120UX	-	RFQ	3846	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GB50		431 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		VSGB50NA120UX	Ear99	8541.29.0095	180	单身的												npt	1200 v	84 a	2.8V @ 15V，50a	50 µA	不
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VS-GT120DA65U	-	RFQ	8864	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GT120		577 w	标准	SOT-227	下载					Ear99	8541.29.0095	160	单个开关												沟	650 v	167 a	2V @ 15V，100a	50 µA	不	6.6 NF @ 30 V
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VS-ENV020F65U	39.8500	RFQ	10	Vishay通用半导体 -二极管部门	*	盒子	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-ENV020F65U	Ear99	8541.29.0095	100
VS-GT200TS065N	90.8800	RFQ	6788	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	盒子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块			517 w	标准	int-a-pak igbt	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		112-VS-GT200TS065N			15	半桥逆变器												沟	650 v	193 a	2.3V @ 15V，200a	100 µA	不
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VS-GT100LA65UF	37.8600	RFQ	3653	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GT100		230 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	112-VS-GT100LA65UF			1	单菜器												沟渠场停止	650 v	94 a	2.1V @ 15V，100a	80 µA	不
VS-GT55LA120UX	37.4900	RFQ	157	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			291 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-GT55LA120UX	Ear99	8541.29.0095	10	单菜器												沟渠场停止	1200 v	68 a	2.8V @ 15V，50a	50 µA	不
VS-GB100TS120NPBF	-	RFQ	5788	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的		底盘安装	int-a-pak	GB100			标准	int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥												npt			-		不

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（195年）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²