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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 输入 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 电流 - 电极电极电流(最大) NTC热敏电阻 输入电容 (Cies) @ Vce
VS-GA200SA60SP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200SA60SP -
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ECAD 1004 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GA200 781 W 标准 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) VSGA200SA60SP EAR99 8541.29.0095 180 单身的 - 600伏 1.3V@15V,100A 1毫安 16.25nF@30V
VS-ENW30S120T Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENW30S120T 130.3500
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ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 * 盒子 的积极 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 112-VS-ENW30S120T EAR99 8541.29.0095 100
VS-GB50LP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB50LP120N -
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ECAD 1848年 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 INT-A-PAK (3 + 4) 国标50 446 W 标准 INT-A-PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 VSGB50LP120N EAR99 8541.29.0095 24 单身的 - 1200伏 100A 1.7V@15V,50A(典型值) 1毫安 4.29nF@25V
VS-FC80NA20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FC80NA20 -
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ECAD 8317 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 安装结构 SOT-227-4,迷你块 FC80 MOSFET(金属O化物) SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 160 N沟道 200V 108A(温度) 10V 14毫欧@80A,10V 5.5V@250μA 161nC@10V ±30V 10720pF@50V - 405W(温度)
VS-ENV020M120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENV020M120M 43.6400
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ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 * 盒子 的积极 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 112-VS-ENV020M120M EAR99 8541.29.0095 100
VS-VSHPS1444 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSHPS1444 -
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ECAD 8826 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 托盘 过时的 VSHPS14 - 符合ROHS3标准 1(无限制) 112-VS-VSHPS1444 过时的 160
VS-GT180DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT180DA120U 46.2400
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ECAD 4466 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 海克斯弗雷德® 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GT180 1087 W 标准 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10 单身的 沟渠场站 1200伏 第281章 2.05V@15V,100A 100微安 9.35nF@25V
VS-25MT060WFAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25MT060WFAPBF -
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ECAD 9958 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 托盘 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 16-MTP模块 25MT060 195 W 标准 MTP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 VS25MT060WFAPBF EAR99 8541.29.0095 105 全桥景观器 - 600伏 69一个 3.25V@15V,50A 250微安 5.42nF@30V
VS-S1683 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1683 -
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ECAD 6770 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 托盘 过时的 S1683 - 符合ROHS3标准 1(无限制) 112-VS-S1683 过时的 12
VS-ETF075Y60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETF075Y60U 102.1755
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ECAD 2016年 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 的积极 175°C(太焦) 安装结构 EMIPAK-2B ETF075 294 W 标准 EMIPAK-2B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 60 三层平面遮阳板 600伏 100A 1.93V@15V,75A 100微安 是的 4.44nF@30V
VS-GB300TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300TH120U -
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ECAD 8038 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 安装结构 双 INT-A-PAK (3 + 4) 国标300 2119西 标准 双INT-A-PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 VSGB300TH120U EAR99 8541.29.0095 12 半桥 - 1200伏 530A 3.6V@15V,300A 5毫安 25.3nF@30V
VS-FB190SA10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FB190SA10 -
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ECAD 2875 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 安装结构 SOT-227-4,迷你块 FB190 MOSFET(金属O化物) SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10 N沟道 100伏 190A(天) 10V 6.5毫欧@180A,10V 4.35V@250μA 250nC@10V ±20V 10700pF@25V - 568W(温度)
VS-GT75YF120UT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75YF120UT 146.1400
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ECAD 107 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 盒子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 模块 431 W 标准 - 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 112-VS-GT75YF120UT EAR99 8541.29.0095 12 全桥 沟渠场站 1200伏 118 一个 2.6V@15V,75A 100微安 是的
VS-GB50LA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB50LA120UX -
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ECAD 6363 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 SOT-227-4,迷你块 国标50 431 W 标准 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) VSGB50LA120UX EAR99 8541.29.0095 180 单身的 不扩散条约 1200伏 84A 2.8V@15V,50A 50微安
VS-GB100TP120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TP120U -
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ECAD 8769 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 - 安装结构 INT-A-Pak 国标100 735 W 标准 INT-A-PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 VSGB100TP120U EAR99 8541.29.0095 24 半桥 - 1200伏 150A 3.9V@15V,100A 2毫安 4.3nF@25V
VS-CPV362M4UPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV362M4UPBF -
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ECAD 2185 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 19-SIP(13导联),IMS-2 CPV362 23W 标准 IMS-2 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 160 - 600伏 7.2A 2.2V@15V,3.9A 250微安 530pF@30V
VS-GB50YF120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB50YF120N -
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ECAD 8066 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 安装结构 模块 国标50 330W 标准 经济2 4件装 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 VSGB50YF120N EAR99 8541.29.0095 12 - 1200伏 66A 4.5V@15V,75A 250微安
VS-GT100NA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100NA120UX -
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ECAD 9787 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GT100 463 W 标准 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) VSGT100NA120UX EAR99 8541.29.0095 180 单身的 1200伏 134 一个 2.85V@15V,100A 100微安
VS-GB400AH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB400AH120N -
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ECAD 4488 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 双 INT-A-PAK (5) 国标400 2500W 标准 双INT-A-PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 VSGB400AH120N EAR99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200伏 650A 1.9V @ 15V,400A(典型值) 5毫安 30nF@25V
VS-GB200TS60NPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB200TS60NPBF -
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ECAD 7396 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 INT-A-PAK (3 + 4) 国标200 781 W 标准 INT-A-PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 VSGB200TS60NPBF EAR99 8541.29.0095 15 半桥 不扩散条约 600伏 第209章 2.84V@15V,200A 200微安
VS-GA100TS120UPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA100TS120UPBF -
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ECAD 8337 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 INT-A-Pak GA100 520W 标准 INT-A-PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) VSGA100TS120UPBF EAR99 8541.29.0095 15 半桥 - 1200伏 182 一个 3V@15V,100A 1毫安 18.67nF@30V
VS-100MT060WSP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-100MT060WSP -
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ECAD 8105 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 12-MTP模块 100MT060 403 W 单相桥式调整器 MTP - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 105 单身的 - 600伏 107 一个 2.49V@15V,60A 100微安 是的 9.5nF@30V
VS-GB90SA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB90SA120U -
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ECAD 第1375章 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 SOT-227-4 国标90 862 W 标准 SOT-227 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 VS-GB90SA120UGI EAR99 8541.29.0095 160 单身的 不扩散条约 1200伏 149 一个 3.9V@15V,75A 250微安
CPV362M4U Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV362M4U -
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ECAD 7618 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 19-SIP(13导联),IMS-2 CPV362 23W 标准 IMS-2 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 160 天线塔 - 600伏 7.2A 1.95V@15V,7.2A 250微安 530pF@30V
VS-GB75YF120UT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75YF120UT -
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ECAD 1366 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 安装结构 模块 国标75 480W 标准 经济2 4件装 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 VSGB75YF120UT EAR99 8541.29.0095 12 - 1200伏 100A 4.5V@15V,100A 250微安 是的
VS-GB100LP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100LP120N -
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ECAD 7295 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 INT-A-Pak 国标100 658 W 标准 INT-A-PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 VSGB100LP120N EAR99 8541.29.0095 24 单身的 - 1200伏 200A 1.8V @ 15V,100A(典型值) 1毫安 7.43nF@25V
VS-ETF150Y65N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETF150Y65N 68.5600
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ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 弗雷德铂® 盒子 过时的 175°C(太焦) 模块 ETF150 600W 标准 模块 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 VS-ETF150Y65NGI EAR99 8541.29.0095 60 半桥逆变器 不扩散条约 650伏 第201章 2.17V@15V,150A 是的
VS-GB200LH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB200LH120N -
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ECAD 4720 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 双 INT-A-PAK (3 + 4) 国标200 1562 W 标准 双INT-A-PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 VSGB200LH120N EAR99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200伏 370A 2.07V @ 15V,200A(典型值) 100纳安 18nF@25V
VS-GT100LA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100LA120UX -
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ECAD 1111 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 SOT-227-4,迷你块 GT100 463 W 标准 SOT-227 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) VSGT100LA120UX EAR99 8541.29.0095 180 单身的 1200伏 134 一个 2.85V@15V,100A 100微安
VS-GT400TH60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT400TH60N -
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ECAD 4516 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 的积极 175°C(太焦) 安装结构 双 INT-A-PAK (3 + 8) GT400 1600W 标准 双INT-A-PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 VSGT400TH60N EAR99 8541.29.0095 12 半桥 600伏 530A 2.05V@15V,400A 5毫安 30.8nF@30V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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    15,000米2

    智能仓库