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（195年）

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VS-CPV364M4KPBF	-	RFQ	2726	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV364		63 W	标准	IMS-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	160	三相逆变器												-	600 v	24 a	1.8V @ 15V，24a	250 µA	不	1.6 nf @ 30 V
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VS-GT50TP120N	-	RFQ	9172	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	175°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak（3 + 4）	GT50		405 w	标准	int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGT50TP120N	Ear99	8541.29.0095	24	半桥												沟	1200 v	100 a	2.35V @ 15V，50a	5 ma	不	6.24 NF @ 30 V
GA200SA60U	-	RFQ	1337	Vishay通用半导体 -二极管部门	-		过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GA200		500 w	标准	SOT-227B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的												-	600 v	200 a	1.9V @ 15V，100a	1 MA	不	16.5 nf @ 30 V
CPV364M4U	-	RFQ	7732	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV364		63 W	标准	IMS-2	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	160	三相逆变器												-	600 v	20 a	1.84V @ 15V，20A	250 µA	不	2.1 NF @ 30 V
VS-GT400TH120U	-	RFQ	5234	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 8）	GT400		2344 w	标准	双int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGT400TH120U	Ear99	8541.29.0095	12	半桥												沟	1200 v	750 a	2.35V @ 15V，400A	5 ma	不	51.2 NF @ 30 V
VS-70MT060WHTAPBF	-	RFQ	6381	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	12-mtp模块	70MT060		347 w	标准	MTP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VS70MT060WHTAPBF	Ear99	8541.29.0095	105	半桥												npt	600 v	100 a	3.4V @ 15V，140a	700 µA	不	8 nf @ 30 V
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VS-GT200TS065S	115.8100	RFQ	3012	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	盒子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块			1 kW	标准		-	rohs3符合条件	（1 （无限）		112-VS-GT200TS065S			15	半桥逆变器												沟	650 v	476 a		200 µA	不
VS-GT75LP120N	-	RFQ	6088	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak	GT75		543 w	标准	int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	24	半桥												-	1200 v	150 a	2.35V @ 15V，75a	5 ma	不	5.52 NF @ 25 V
VS-20MT120UFP	-	RFQ	4450	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	16-MTP模块	20MT120		240 w	标准	MTP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VS20MT120UFP	Ear99	8541.29.0095	105	完整的桥梁逆变器												npt	1200 v	40 a	4.66V @ 15V，40a	250 µA	不	3.79 NF @ 30 V
VS-GB150TH120U	-	RFQ	6104	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 4）	GB150		1147 w	标准	双int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB150TH120U	Ear99	8541.29.0095	12	半桥												-	1200 v	280 a	3.6V @ 15V，150a	5 ma	不	12.7 NF @ 30 V
VS-GA200TH60S	-	RFQ	8699	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 4）	GA200		1042 w	标准	双int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGA200TH60S	Ear99	8541.29.0095	12	半桥												-	600 v	260 a	1.9V @ 15V，200a（类型）	5 µA	不	13.1 NF @ 25 V
VS-GT105LA120UX	-	RFQ	3465	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GT105		463 w	标准	SOT-227	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	160	单身的												npt	1200 v	134 a		75 µA	不
CPV363M4K	-	RFQ	3068	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV363		36 W	标准	IMS-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	160	三相逆变器												-	600 v	11 a	2V @ 15V，11a	250 µA	不	740 pf @ 30 V
CPV364M4F	-	RFQ	6788	Vishay通用半导体 -二极管部门	-		过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV364		63 W	标准	IMS-2	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	84	三相逆变器												-	600 v	27 a	1.6V @ 15V，27a	250 µA	不	2.2 NF @ 30 V
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FB180SA10	-	RFQ	8744	Vishay通用半导体 -二极管部门	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	FB180	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道	100 v	180a（TC）	10V	6.5MOHM @ 108A，10V	4V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	480W（TC）
VS-GA250SA60S	-	RFQ	3119	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4	GA250		961 w	标准	SOT-227	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的												-	600 v	400 a	1.66V @ 15V，200a	1 MA	不	16.25 NF @ 30 V
VS-GB400TH120N	-	RFQ	8302	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 4）	GB400		2604 w	标准	双int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB400TH120N	Ear99	8541.29.0095	12	半桥												-	1200 v	800 a	1.9V @ 15V，400a ty（typ）	5 ma	不	32.7 NF @ 25 V
VS-FC220SA20	-	RFQ	8471	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	FC220	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSFC220SA20	Ear99	8541.29.0095	160		n通道	200 v	220A（TC）	10V	7mohm @ 150a，10v	5.1V @ 500µA	350 NC @ 10 V	±30V	21000 PF @ 50 V	-	789W（TC）
VS-50MT060WHTAPBF	-	RFQ	2346	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	12-mtp模块	50MT060		658 w	标准	MTP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VS50MT060WHTAPBF	Ear99	8541.29.0095	15	半桥												-	600 v	114 a	3.2V @ 15V，100a	400 µA	不	7.1 NF @ 30 V
VS-50MT060TFT	61.7800	RFQ	8553	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	20-mtp模块	50MT060		144 w	标准	20-mtp	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	112-VS-50MT060TFT			1	全桥												沟渠场停止	600 v	55 a	2.1V @ 15V，50a	40 µA	不	3000 pf @ 25 V
VS-GT75NA60UF	37.4800	RFQ	5221	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GT75		231 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	112-VS-GT75NA60UF			1	单菜器												沟渠场停止	600 v	81 a	2.26V @ 15V，70a	100 µA	不
VS-GB75TP120U	-	RFQ	2388	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak（3 + 4）	GB75		500 w	标准	int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB75TP120U	Ear99	8541.29.0095	24	半桥												-	1200 v	105 a	3.2V @ 15V，75a ty（typ）	2 ma	不	4.3 NF @ 30 V
VS-CPV363M4FPBF	-	RFQ	1904年	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV363			-	IMS-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	160	-												-			-		不
VS-40MT120UHAPBF	-	RFQ	9513	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	12-mtp模块	40MT120		463 w	标准	MTP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VS40MT120UHAPBF	Ear99	8541.29.0095	15	半桥												npt	1200 v	80 a	4.91V @ 15V，80a	250 µA	不	8.28 NF @ 30 V
VS-GT200TP065U	2.0900	RFQ	9144	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	GT200		429 w	标准	int-a-pak	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	112-VS-GT200TP065U			1	半桥												沟渠场停止	650 v	177 a	2.12V @ 15V，200a	200 µA	不
VS-GB75SA120UP	-	RFQ	1928年	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GB75		658 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		VSGB75SA120UP	Ear99	8541.29.0095	180	单身的												npt	1200 v		3.8V @ 15V，75a	250 µA	不
VS-GT100TP120N	-	RFQ	7011	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	175°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak（3 + 4）	GT100		652 w	标准	int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGT100TP120N	Ear99	8541.29.0095	24	半桥												沟	1200 v	180 a	2.35V @ 15V，100A	5 ma	不	12.8 NF @ 30 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（195年）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²