晶体管(195)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce
VS-FA38SA50LCP	-	询价	8292	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	FA38	MOSFET（金属O化物）			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		VSFA38SA50LCP	EAR99	8541.29.0095	180		N沟道	500V	38A（温度）	10V	130毫欧@23A，10V	4V@250μA	420nC@10V	±20V	6900pF@25V	-	500W（温度）
VS-GT100DA120UF	41.5000	询价	1995年	Vishay General Semiconductor - 分割部门	海克斯弗雷德®	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GT100		890W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	单身的												沟	1200伏	187 一个	2.55V@15V，100A	100微安	不	6.15nF@25V
VS-GA200HS60S1	-	询价	9125	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	INT-A-Pak	GA200		830W	标准	INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	15	半桥												-	600伏	480A	1.21V@15V，200A	1毫安	不	32.5nF@30V
VS-GT75LP120N	-	询价	6088	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	安装结构	INT-A-Pak	GT75		543 W	标准	INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	24	半桥												-	1200伏	150A	2.35V@15V，75A	5毫安	不	5.52nF@25V
VS-GB300AH120N	-	询价	2164	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	双 INT-A-PAK (5)	国标300		2500W	标准	双INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB300AH120N	EAR99	8541.29.0095	12	单身的												-	1200伏	620A	1.9V @ 15V，300A（典型值）	5毫安	不	21nF@25V
VS-GT400TD60S	259.7542	询价	4938	Vishay General Semiconductor - 分割部门	弗雷德铂®	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块			1364 W	标准	INT-A-PAK	下载			REACH 不出行	112-VS-GT400TD60S	EAR99	8541.29.0095	12	半桥												沟渠场站	600伏	711A	1.4V@15V，400A	300微安	不
VS-GT300TD60S	209.2825	询价	2843	Vishay General Semiconductor - 分割部门	弗雷德铂®	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块			882 W	标准	INT-A-PAK	下载			REACH 不出行	112-VS-GT300TD60S	EAR99	8541.29.0095	12	半桥												沟渠场站	600伏	第466章	1.47V@15V，300A	200微安	不	24.2nF@25V
VS-GA250SA60S	-	询价	3119	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4	GA250		961 W	标准	SOT-227	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	单身的												-	600伏	400A	1.66V@15V，200A	1毫安	不	16.25nF@30V
CPV363M4K	-	询价	3068	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	19-SIP（13导联），IMS-2	CPV363		36W	标准	IMS-2	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	160	天线塔												-	600伏	11A	2V@15V，11A	250微安	不	740pF@30V
VS-GT90DA120U	38.4000	询价	4419	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块			781 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	112-VS-GT90DA120U	EAR99	8541.29.0095	10	单身的												沟渠场站	1200伏	169 一个	2.6V@15V，75A	100微安	不
VS-ENQ030L120S	-	询价	7672	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	安装结构	EMIPAK-1B	ENQ030		216W	标准	EMIPAK-1B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	98	三层平面遮阳板												沟	1200伏	61A	2.52V@15V，30A	230微安	是的	3.34nF@30V
VS-GT400LH060N	135.4500	询价	9055	Vishay General Semiconductor - 分割部门	弗雷德铂®	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	GT400		1.363千W	标准	双INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	112-VS-GT400LH060N			1	单斩波器												沟渠场站	600伏	第492章	2V@15V，400A	20微安	不
VS-GT200TS065S	115.8100	询价	3012	Vishay General Semiconductor - 分割部门	弗雷德铂®	盒子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块			1千W	标准		-	符合ROHS3标准	1（无限制）		112-VS-GT200TS065S			15	半桥逆变器												沟	650伏	第476章		200微安	不
VS-GB75NA60UF	-	询价	4811	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	国标75		447 W	标准	SOT-227	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	160	单身的												不扩散条约	600伏	109一个	2V@15V，35A	50微安	不
VS-CPV364M4KPBF	-	询价	2726	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	19-SIP（13导联），IMS-2	CPV364		63W	标准	IMS-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	160	天线塔												-	600伏	24A	1.8V@15V，24A	250微安	不	1.6nF@30V
VS-CPV363M4FPBF	-	询价	1904年	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	19-SIP（13导联），IMS-2	CPV363			-	IMS-2	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	160	-												-			-		不
VS-GB400TH120N	-	询价	8302	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	双 INT-A-PAK (3 + 4)	国标400		2604 W	标准	双INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB400TH120N	EAR99	8541.29.0095	12	半桥												-	1200伏	800A	1.9V @ 15V，400A（典型值）	5毫安	不	32.7nF@25V
VS-GA200HS60S1PBF	-	询价	3571	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	INT-A-Pak	GA200		830W	标准	INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGA200HS60S1PBF	EAR99	8541.29.0095	15	半桥												-	600伏	480A	1.21V@15V，200A	1毫安	不	32.5nF@30V
VS-GB150TH120U	-	询价	6104	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	安装结构	双 INT-A-PAK (3 + 4)	国标150		第1147章	标准	双INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGB150TH120U	EAR99	8541.29.0095	12	半桥												-	1200伏	280A	3.6V@15V，150A	5毫安	不	12.7nF@30V
VS-150MT060WDF-P	-	询价	1842年	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	过时的	150°C（太焦）	安装结构	12-MTP模块	150MT060		543 W	标准	12-MTP压接	-		不适用			EAR99	8541.29.0095	105	双降压斩波器												-	600伏	138 一个	2.48V@15V，80A	100微安	不	14nF@30V
VS-FC220SA20	-	询价	8471	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	FC220	MOSFET（金属O化物）			SOT-227	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSFC220SA20	EAR99	8541.29.0095	160		N沟道	200V	220A（温度）	10V	7毫欧@150A，10V	5.1V@500μA	350nC@10V	±30V	21000pF@50V	-	789W（温度）
VS-70MT060WHTPBF	-	询价	6381	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	托盘	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	12-MTP模块	70MT060		347 W	标准	MTP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VS70MT060WHTPBF	EAR99	8541.29.0095	105	半桥												不扩散条约	600伏	100A	3.4V@15V，140A	700微安	不	8nF@30V
VS-GB75SA120UP	-	询价	1928年	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	国标75		658 W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		VSGB75SA120UP	EAR99	8541.29.0095	180	单身的												不扩散条约	1200伏		3.8V@15V，75A	250微安	不
VS-GA200TH60S	-	询价	8699	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	双 INT-A-PAK (3 + 4)	GA200		1042W	标准	双INT-A-PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGA200TH60S	EAR99	8541.29.0095	12	半桥												-	600伏	260A	1.9V@15V，200A（典型值）	5微安	不	13.1nF@25V
VS-20MT120UFP	-	询价	4450	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	托盘	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	16-MTP模块	20MT120		240W	标准	MTP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VS20MT120UFP	EAR99	8541.29.0095	105	全桥景观器												不扩散条约	1200伏	40A	4.66V@15V，40A	250微安	不	3.79nF@30V
VS-ETY020P120F	179.8500	询价	5155	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	托盘	的积极				ETY020					下载			REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	60
VS-GT100TP120N	-	询价	7011	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	过时的	175°C（太焦）	安装结构	INT-A-PAK (3 + 4)	GT100		652W	标准	INT-A-PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VSGT100TP120N	EAR99	8541.29.0095	24	半桥												沟	1200伏	180A	2.35V@15V，100A	5毫安	不	12.8nF@30V
CPV364M4U	-	询价	7732	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	19-SIP（13导联），IMS-2	CPV364		63W	标准	IMS-2	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	160	天线塔												-	600伏	20A	1.84V@15V，20A	250微安	不	2.1nF@30V
VS-GB90DA60U	-	询价	9603	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4	国标90		625W	标准	SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	VS-GB90DA60UGI	EAR99	8541.29.0095	160	单身的												不扩散条约	600伏	147 一个	2.8V@15V，100A	100微安	不
GA200SA60U	-	询价	第1337章	Vishay General Semiconductor - 分割部门	-		过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GA200		500W	标准	SOT-227B	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	单身的												-	600伏	200A	1.9V@15V，100A	1毫安	不	16.5nF@30V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(195)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²