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晶体管（1307）

产品编号	定价（美元）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 - 最大	供应商设备包	数据表	ROHS状态	水分灵敏度水平（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	FET类型	获得	排出源电压（VDSS）	电流 - 连续排水（ID） @ 25°C	驱动电压（最大RDS，最小RDS打开）	rds on（max） @ id，vgs	VGS（th）（Max） @ ID	门充电（QG）（Max） @ VGS	VGS（最大）	输入电容（CISS）（最大） @ vds	FET功能	功率耗散（最大）	电压 - 收集器发射器故障（最大）	电流 - 收集器（IC）（最大）	当前 - 收集器截止（最大）	晶体管类型	VCE饱和度（Max） @ IB，IC	直流电流增益（HFE）（min） @ ic，vce	频率 - 过渡	噪声图（db typ @ f）
cmpt2907ae tr pbfree	0.4000	RFQ	6	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（TR）	积极的	-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CMPT2907		350兆W	SOT-23	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													60 V	600 MA	10NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10v	200MHz
CP245-MJE15030-CM	-	RFQ	7091	中央半导体公司	CP245	托盘	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	死				死	-		1（无限）		1514-CP245-MJE15030-CM	过时的		1													150 v	8 a	100µA		500mv @ 100mA，1a	40 @ 3A，2V	30MHz
2N6486锡/铅	2.8900	RFQ	176	中央半导体公司	-	管子	积极的	-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			1.8 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													40 V	15 a	1ma	NPN	3.5V @ 5a，15a	20 @ 5A，4V	5MHz
2N3439 PBFRE	1.2173	RFQ	2655	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3金属可以			1 w	到39	下载	ROHS3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500													350 v	1 a	20µA（ICBO）	NPN	500mv @ 4mA，50mA	30 @ 2mA，10v	15MHz
TIP29A PBFRE	0.6296	RFQ	9652	中央半导体公司	-	大部分	上次购买	-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP29		30 W	TO-220-3	下载	ROHS3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													60 V	1 a	300µA	NPN	700mv @ 125mA，1a	40 @ 200mA，4V	3MHz
提示115	-	RFQ	6927	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				TO-220-3	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响	提示115c	Ear99	8541.29.0095	400													60 V		2mA	PNP-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	25MHz
MPQ3725A锡/铅	-	RFQ	1973	中央半导体公司	-	管子	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	14浸（0.300英寸，7.62mm）	MPQ3725		1W	TO-116	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	25													50V	1a	500NA（ICBO）	4 NPN（Quad）	450mv @ 50mA，500mA	30 @ 500mA，2V	200MHz
CJD13003 BK PBFRE	-	RFQ	9122	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 Leads + Tab），SC-63			1.56 w	DPAK	下载	ROHS3符合条件	1（无限）		1514-CJD13003BKPBFRE	Ear99	8541.29.0095	150													400 v	1.5 a	100µA	NPN	3V @ 500mA，1.5a	8 @ 500mA，2V	4MHz
CZT955 TR PBFRE	0.5700	RFQ	10	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（TR）	积极的	-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	CZT955		3 W	SOT-223	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													140 v	4 a	20NA	PNP	360mv @ 300mA，3a	100 @ 1A，5V	200MHz
CMPP6027 TR PBFRE	1.1333	RFQ	9774	中央半导体公司	*	胶带和卷轴（TR）	积极的				CMPP6027				下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
TIP47 SL	-	RFQ	9478	中央半导体公司	-	管子	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			40 W	TO-220-3	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													250 v	1 a	1ma	NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
CEN1232 TR	-	RFQ	6830	中央半导体公司	*	胶带和卷轴（TR）	过时的								-	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000
TIP49 SL	-	RFQ	3057	中央半导体公司	-	管子	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			40 W	TO-220-3	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													350 v	1 a	1ma	NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
D44C11	-	RFQ	3984	中央半导体公司	-	大部分	过时的								下载	ROHS3符合条件		到达不受影响	1514-D44C11	Ear99	8541.29.0075	1
2N5109UB BK	-	RFQ	8350	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			1W	UB	-				1514-2N5109UBBK	过时的		500		11DB											20V	400mA		NPN		40 @ 50mA，15v	1.2GHz	3.5db @ 200MHz
2N6467	-	RFQ	3193	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			40 W	到66	下载			到达不受影响	1514-2N6467	Ear99	8541.29.0095	1													100 v	4 a	-		-	-	5MHz
CZT3904 TR PBFRE	0.9700	RFQ	39	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（TR）	积极的	-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	CZT3904		2 w	SOT-223	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													40 V	200 ma	50NA	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
2n2219a pbfree	2.4300	RFQ	576	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3金属可以			800兆W	到39	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500													40 V	800 MA	10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10v	300MHz
CTLDM3590 TR	0.5300	RFQ	9	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		MOSFET（金属O化物）		TLM3D6D8	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	N通道		20 v	160mA（TA）	1.2V，4.5V	3ohm @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	0.46 NC @ 4.5 V	8V	9 pf @ 15 V	-	125MW（TA）
2N4938	-	RFQ	8519	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-78-6金属罐	2N493		-	TO-78-6	-	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													-	-	-	-	-	-	-
MPQ3725 PBFRE	-	RFQ	6551	中央半导体公司	-	管子	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	14浸（0.300英寸，7.62mm）	MPQ3725		1W	TO-116	下载	请求库存验证	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	25													40V	1a	500NA（ICBO）	4 NPN（Quad）	450mv @ 50mA，500mA	35 @ 100mA，1V	250MHz
CP307-2N5308-WN	-	RFQ	6925	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	死			625兆W	死	下载	ROHS3符合条件	1（无限）		1514-CP307-2N5308-WN	Ear99	8541.21.0095	1													40 V	300 MA	100NA（ICBO）	NPN-达灵顿	1.4V @ 200µA，200mA	20000 @ 100mA，5V	60MHz
BU807	-	RFQ	4303	中央半导体公司	-	管子	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			60 W	TO-220-3	下载	ROHS3符合条件	1（无限）		1514-BU807	Ear99	8541.29.0095	50													150 v	8 a	100µA	NPN-达灵顿	1.5V @ 50mA，5a	-	-
CEDM8001VL TR PBFRE	-	RFQ	7274	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	CEDM8001	MOSFET（金属O化物）		SOT-883VL	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	P通道		20 v	100mA（TA）	1.5V，4V	8ohm @ 10mA，4V	1.1V @ 250µA	0.66 NC @ 4.5 V	10V	45 pf @ 3 V	-	100MW（TA）
CXT5401 TR PBFRE	0.6600	RFQ	3	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（TR）	积极的	-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	CXT5401		1.2 w	SOT-89	下载	ROHS3符合条件	1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													150 v	600 MA	50NA（ICBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
TEC301-303	-	RFQ	7903	中央半导体公司	-	盒子	过时的								-		1（无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
2N6317	-	RFQ	5165	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			90 W	到66	下载			到达不受影响	1514-2N6317	Ear99	8541.29.0095	1													60 V	7 a	500µA		2V @ 1.75a，7a	35 @ 500mA，4V	4MHz
2N5190	-	RFQ	7507	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			40 W	TO-126	下载	Rohs不合规	1（无限）	到达不受影响	2N5190CS	Ear99	8541.29.0095	1,000													40 V	4 a	1ma	NPN	1.4V @ 1A，4A	25 @ 1.5A，2V	2MHz
2N4033 W/GOLD	-	RFQ	3647	中央半导体公司	-	盒子	过时的		通过洞	到205AD，TO-39-3金属可以				到39	下载		1（无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500
pn2906a tre pbfree	-	RFQ	9293	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（TR）	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）形成铅			625兆W	到92	下载	ROHS3符合条件	1（无限）		1514-PN2906ATREPBFREETR	Ear99	8541.21.0075	2,000													60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10v	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（1307）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²