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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 电压 -输出 | fet | 电压 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -故障( v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | (ID) - 最大 | 电流-iv(iv) | 电流 -峰值 |
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![]() | CP225-2N2218A-WN | - | ![]() | 5318 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 800兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP225-2N2218A-WNTB | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 40 V | 800 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 40 @ 150mA,10v | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3055 PBFRE | 4.9812 | ![]() | 9888 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 115 w | TO-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 70 v | 15 a | 700µA | NPN | 3V @ 3.3a,10a | 20 @ 4A,4V | 2.5MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CP247-MJ11016-WN | - | ![]() | 1079 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP247 | 200 w | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP247-MJ11016-WN | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 30 a | 1ma | npn-达灵顿 | 4V @ 300mA,30a | 1000 @ 20a,5v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM8001 bk pbfree | 0.1842 | ![]() | 2538 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | CEDM8001 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | P通道 | 20 v | (100mA)(TA) | 1.5V,4V | 8ohm @ 10mA,4V | 1.1V @ 250µA | 0.66 NC @ 4.5 V | 10V | 45 pf @ 3 V | - | 100mW(TA) | |||||||||||||||||||
![]() | CTLT953-M833 BK | - | ![]() | 2625 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 2.5 w | TLM833 | 下载 | 1514-CTLT953-M833BK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | 50NA | PNP | 420mv @ 400mA,4a | 100 @ 1A,1V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmldm7002aj t r pbfree | 0.8700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLDM7002 | MOSFET (金属 o化物) | 350MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 280mA | 2ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | 0.59NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | cmpt2907ae tr pbfree | 0.4000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPT2907 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | PNP | 700mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | PN4209 | - | ![]() | 4398 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-PN4209 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 15 v | 200 ma | 10NA | PNP | 600mv @ 5mA,50mA | 50 @ 10mA,300mv | 850MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1181 | - | ![]() | 7371 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 管子 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CEN1181 | 过时的 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT5401E BK | - | ![]() | 5353 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 220 v | 600 MA | 50NA | PNP | 150mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,5v | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3054A PBFRE | - | ![]() | 1403 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-2N3054APBFRE | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N4949 | - | ![]() | 5297 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | TO-206AA,TO-18-3 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 3V | - | 2 ma | 1 µA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | pn2906a tre pbfree | - | ![]() | 9293 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 625兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-PN2906ATREPBFREETR | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60 V | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 40 @ 500mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CXDM6053N TR PBFRE | 0.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | CXDM6053 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 5.3a(ta) | 4.5V,10V | 41MOHM @ 5.3A,10V | 3V @ 250µA | 8.8 NC @ 5 V | 20V | 920 PF @ 30 V | - | 1.2W(TA) | |||||||||||||||||||
![]() | 2N5784 | - | ![]() | 1094 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | 到39 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-2N5784 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 65 v | 3.5 a | 100µA | NPN | 500mv @ 100mA,1a | 20 @ 1a,2v | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CJD3055 TR13 PBFRE | - | ![]() | 6891 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 1.75 w | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CJD3055TR13PBFREETR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 60 V | 10 a | 50µA | NPN | 8V @ 3.3a,10a | 20 @ 4A,4V | 2MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CP802-CWDM3011P-WN | - | ![]() | 1231 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP802 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP802-CWDM3011P-WN | Ear99 | 8541.29.0040 | 8,000 | P通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 13mohm @ 1a,10v | 3V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 3100 pf @ 8 V | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | BCW31 Tr | - | ![]() | 7713 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-BCW31TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 100 ma | - | NPN | 250mv @ 500µA,10mA | 110 @ 2mA,5V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1232 TR | - | ![]() | 6830 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT3640 BK | - | ![]() | 8055 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | 1514-CMPT3640BK | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 12 v | 80 ma | 10NA | PNP | 600mv @ 5mA,50mA | 30 @ 10mA,300mv | 500MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP210-2N5486-CT | - | ![]() | 4934 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | - | - | 1514-CP210-2N5486-CT | 过时的 | 1 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6316锡/铅 | - | ![]() | 2186 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-2N6316TIN/铅 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLT3474 BK | - | ![]() | 9811 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLT3474 | 350MW | SOT-563 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CMLT3474BK | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 25V | 1a | 100NA(ICBO) | NPN,PNP | 450mv @ 100mA,1a | 100 @ 500mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6317 | - | ![]() | 5165 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 90 W | 到66 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-2N6317 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 7 a | 500µA | 2V @ 1.75a,7a | 35 @ 500mA,4V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP305-2N3019-CT20 | 150.5200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | CP305-2N3019-CT20 PBFRE | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1 a | 10NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMPQ3904 TR13 | - | ![]() | 7552 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | MMPQ3904 | 1W | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 40V | 200mA | - | 4 npn(Quad) | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 450MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CP398X-CTLDM303N-WN | - | ![]() | 8638 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | cp398 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 3.6a(ta) | 2.5V,4.5V | 78MOHM @ 1.8A,2.5V | 1.2V @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | 12V | 590 pf @ 10 V | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | 2N3468 | - | ![]() | 7819 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | - | 1 w | 到39 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-2N3468 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 1 a | 100NA | PNP | 1.2V @ 100mA,1a | 40 @ 1A,5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TEC301-303 | - | ![]() | 7903 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP210-2N4416A-CT | - | ![]() | 3740 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | 1514-CP210-2N4416A-CT | 过时的 | 400 | n通道 | 35 v | 4pf @ 15V | 35 v | 5 ma @ 20 V | 2.5 V @ 1 na | 15 ma |
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