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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 电压 -输出 | fet | 获得 | 电压 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -故障( -v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | 电阻-RDS((在) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) | (ID) - 最大 | 电压 -偏移( vt) | 电流 -阳极泄漏的门( -igao) | 电流-iv(iv) | 电流 -峰值 |
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![]() | CMPP6027R BK | - | ![]() | 5831 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 下载 | (1 (无限) | CMPP6027RBK | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 6V | 40V | 167兆 | 1.6 v | 10 na | 50 µA | 2 µA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP773-CMPDM302PH-CT | - | ![]() | 5995 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | P通道 | 30 V | 2.4A(TA) | 2.5V,4.5V | 91MOHM @ 1.2A,4.5V | 1.4V @ 250µA | 9.6 NC @ 5 V | 12V | 800 pf @ 10 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP226V-2N4393-CT | - | ![]() | 5273 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 1.8 w | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP226V-2N4393-CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | n通道 | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 5 ma @ 3 V | 500 mv @ 1 na | 100欧姆 | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP210-2N4416A-CT20 | - | ![]() | 2287 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | - | 1514-CP210-2N4416A-CT20 | 过时的 | 20 | n通道 | 35 v | 4pf @ 15V | 35 v | 5 ma @ 20 V | 2.5 V @ 1 na | 15 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP210-2N4416A-CT | - | ![]() | 3740 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | 1514-CP210-2N4416A-CT | 过时的 | 400 | n通道 | 35 v | 4pf @ 15V | 35 v | 5 ma @ 20 V | 2.5 V @ 1 na | 15 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP373-CTLDM303N-WN | - | ![]() | 3536 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | n通道 | 30 V | 3.6a(ta) | 2.5V,4.5V | 78MOHM @ 1.8A,2.5V | 1.2V @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | 12V | 590 pf @ 10 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJ6503 PBFRE | - | ![]() | 6713 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | MJ6503 | 管子 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | MJ6503 | 125 w | TO-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-MJ6503PBFRE | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 v | 8 a | 500µA | PNP | 5V @ 3a,8a | 15 @ 2a,5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmpdm7002ag tr pbfree | 0.5100 | ![]() | 147 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPDM7002 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 280mA(TA) | 5V,10V | 2ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | 40V | 50 pf @ 25 V | - | 350MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4258 TRE | - | ![]() | 1242 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 625兆 | 到92 | - | 1514-PN4258TRE | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 12 v | 50 mA | 10NA | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 30 @ 500mA,1V | 700MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
2N4237 PBFRE | 3.4600 | ![]() | 132 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 6 W | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 40 V | 3 a | 700µA | NPN | 600mv @ 100mA,1a | 30 @ 250mA,1V | 2MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP304X-MPSA06-CT | - | ![]() | 9378 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP304 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 400 | 80 V | 500 MA | 100NA | NPN | 250mv @ 10mA,100mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1232 BK | - | ![]() | 2092 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDM2206-800LR | - | ![]() | 7583 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 1514-CDM2206-800LR | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 6A(TC) | 10V | 950MOHM @ 3A,10V | 4V @ 250µA | 24.3 NC @ 10 V | 30V | 474.7 PF @ 100 V | - | 110W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CJD3055 TR13 PBFRE | - | ![]() | 6891 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 1.75 w | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CJD3055TR13PBFREETR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 60 V | 10 a | 50µA | NPN | 8V @ 3.3a,10a | 20 @ 4A,4V | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP398X-CTLDM303N-WN | - | ![]() | 8638 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | cp398 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 3.6a(ta) | 2.5V,4.5V | 78MOHM @ 1.8A,2.5V | 1.2V @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | 12V | 590 pf @ 10 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BDV65 | - | ![]() | 5727 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-218-3 | 125 w | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 12 a | - | NPN | - | 1000 @ 5A,4V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
2N2720 | - | ![]() | 8257 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N272 | - | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP32B PBFRE | 0.6296 | ![]() | 1160 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示32 | 40 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 3 a | 300µA | PNP | 1.2V @ 375mA,3a | 25 @ 1A,4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDV65A | - | ![]() | 9115 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-218-3 | 125 w | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 V | 12 a | - | NPN | - | 1000 @ 5A,4V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
MD8003 | - | ![]() | 3566 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD800 | - | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 100 @ 1mA,10v | 260MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | pn2906a pbfree | - | ![]() | 2576 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | PN2906 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 60 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
2N2102 PBFRE | 2.2500 | ![]() | 289 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 65 v | 1 a | 2NA(ICBO) | NPN | - | 40 @ 150mA,10v | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6468 | - | ![]() | 8291 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 40 W | 到66 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-2N6468 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 4 a | 1ma | 4V @ 800mA,4a | 15 @ 1.5A,4V | 5MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 提示131 | - | ![]() | 4670 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-220-3 | 70 W | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TIP131CS | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 80 V | 8 a | - | npn-达灵顿 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tip49 sl锡/铅 | 0.6200 | ![]() | 62 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示49 | 40 W | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 350 v | 1 a | 1ma | NPN | 1V @ 200mA,1a | 30 @ 300mA,10v | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP120 | - | ![]() | 2575 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TIP120CS | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 60 V | 500µA | npn-达灵顿 | 4V @ 20mA,5a | 1000 @ 3a,3v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
2N4033 W/GOLD | - | ![]() | 3647 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 到39 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CWDM305PD TR13 PBFRE | 0.1675 | ![]() | 8037 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CWDM305 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 30V | 5.3a | 72MOHM @ 2.7A,10V | 3V @ 250µA | 7NC @ 5V | 590pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 提示136 | - | ![]() | 8960 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-220-3 | 70 W | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 80 V | 8 a | - | pnp-达灵顿 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP617-CM4957-CT20 | - | ![]() | 2437 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | 1514-CP617-CM4957-CT20 | 过时的 | 500 | - | - | - | - | - | - | - |
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