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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -故障( -v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | 电阻-RDS((在) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) | (ID) - 最大 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N5172 PBFRE | 0.6500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 25 v | 100 ma | 100NA | NPN | 250mv @ 1mA,10mA | 100 @ 10mA,10v | 200MHz | ||||||||||||||||||||||
MD2905A | - | ![]() | 9849 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD290 | - | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 600mA | - | 2 PNP (双) | - | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | cmpth81 bk | - | ![]() | 2044 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 225MW | SOT-23 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | - | 20V | 50mA | PNP | 60 @ 5mA,10v | 600MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CP608-TIP32C-WN | - | ![]() | 6896 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP608 | 2 w | 死 | - | 到达不受影响 | 1514-CP608-TIP32C-WN | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 100 v | 3 a | 300µA | PNP | 1.2V @ 375mA,3a | 25 @ 1A,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4391 PBFRE | 1.4775 | ![]() | 1032 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 14pf @ 20V | 40 V | 150 ma @ 20 V | 10 V @ 1 na | 30欧姆 | 100 PA | |||||||||||||||||||||||
![]() | CTLT953-M833 BK | - | ![]() | 2625 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 2.5 w | TLM833 | 下载 | 1514-CTLT953-M833BK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | 50NA | PNP | 420mv @ 400mA,4a | 100 @ 1A,1V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CZTUX87 bk | - | ![]() | 6173 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 2 w | SOT-223 | 下载 | 供应商不确定 | CZTUX87BK | Ear99 | 8541.29.0095 | 350 | 450 v | 500 MA | 100µA | NPN | 1V @ 20mA,200mA | 12 @ 40mA,5V | 20MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6426 PBFRE | 0.1623 | ![]() | 3079 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP226V-2N4392-CT | - | ![]() | 7823 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 1.8 w | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP226V-2N4392-CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | n通道 | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 25 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60欧姆 | 50 mA | ||||||||||||||||||||
![]() | CMPT5551E BK | - | ![]() | 3172 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 220 v | 600 MA | 50NA | NPN | 100mv @ 5mA,50mA | 120 @ 10mA,5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CP206-2N4393-WN | - | ![]() | 4399 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP206-2N4393-WN | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMUT555551E TR | - | ![]() | 9501 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | 250兆 | SOT-523 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 220 v | 600 MA | 50NA | NPN | 100mv @ 5mA,50mA | 120 @ 10mA,5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT6429 TR PBFRE | 0.4900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPT6429 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 200 ma | 100NA | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 500 @ 100µA,5V | 700MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CP647-MJ11015-WN | - | ![]() | 7213 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP647 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 120 v | 30 a | 1ma | pnp-达灵顿 | 4V @ 300mA,30a | 200 @ 30a,5v | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | BDV65B | - | ![]() | 8993 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-218-3 | 125 w | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | BDV65BC | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 100 v | 12 a | - | NPN | - | 1000 @ 5A,4V | 60MHz | |||||||||||||||||||||
2N5195 SL h | - | ![]() | 5425 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-225AA,TO-126-3 | 40 W | TO-126 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 4 a | 1ma | PNP | 1.4V @ 1A,4A | 20 @ 1.5A,2V | 2MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | TIP125 SL | - | ![]() | 1075 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 500µA | pnp-达灵顿 | 4V @ 20mA,5a | 1000 @ 3a,3v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLT7410-M521 TR | - | ![]() | 1137 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 5-POWERTFDFN | 900兆 | TLM521 | 下载 | 1514-CTLT7410-M521TR | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 25 v | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 450mv @ 100mA,1a | 100 @ 500mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN363 | - | ![]() | 6364 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZT3906 TR PBFRE | 0.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | CZT3906 | 2 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 40 V | 200 ma | - | PNP | 400mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||
2N3726 | - | ![]() | 6067 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N372 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45V | 300mA | - | 2 PNP (双) | - | 135 @ 1mA,5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP225-2N2218A-WN | - | ![]() | 5318 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 800兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP225-2N2218A-WNTB | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 40 V | 800 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 40 @ 150mA,10v | 250MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CMKT2222A TR PBFRE | 0.4900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | CMKT2222 | 350MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 600mA | 10NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N3054A PBFRE | - | ![]() | 1403 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-2N3054APBFRE | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmpta44 tr pbfree | 0.6200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPTA44 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 400 v | 300 MA | 500NA | NPN | 750mv @ 5mA,50mA | 50 @ 10mA,10v | 20MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | cxt2222a tr pbfree | 0.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | CXT2222 | 1.2 w | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 40 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6212 | - | ![]() | 1121 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 35 w | 到66 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-2N6212 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 300 v | 2 a | 5mA | PNP | 1.6V @ 125mA,1a | 10 @ 1A,3.2V | 20MHz | ||||||||||||||||||||||
2N2920 | - | ![]() | 3217 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N292 | 1.5W | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2n2920cs | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 30mA | 2NA | 2 NPN (双) | 350mv @ 100µA,1mA | 300 @ 1mA,5v | 60MHz | |||||||||||||||||||||
2n2219a pbfree | 2.4300 | ![]() | 576 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 800兆 | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 40 V | 800 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM8001 bk pbfree | 0.1842 | ![]() | 2538 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | CEDM8001 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | P通道 | 20 v | (100mA)(TA) | 1.5V,4V | 8ohm @ 10mA,4V | 1.1V @ 250µA | 0.66 NC @ 4.5 V | 10V | 45 pf @ 3 V | - | 100mW(TA) |
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