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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 电压 -输出 | fet | 获得 | 电压 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) | 电流-iv(iv) | 电流 -峰值 |
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![]() | BF246A | - | ![]() | 6065 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF246B | - | ![]() | 4219 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | BF246 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU408 PBFRE | 1.1223 | ![]() | 6261 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BU408 | 60 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 200 v | 7 a | 100NA | NPN | 1V @ 1.2a,6a | - | 10MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | TIP29A PBFRE | 0.6296 | ![]() | 9652 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TIP29 | 30 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 1 a | 300µA | NPN | 700mv @ 125mA,1a | 40 @ 200ma,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TIP29B PBFRE | 0.6296 | ![]() | 2859 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TIP29 | 30 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 1 a | 300µA | NPN | 700mv @ 125mA,1a | 40 @ 200ma,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TIP32A PBFRE | 0.6296 | ![]() | 3518 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示32 | 40 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 3 a | 300µA | PNP | 1.2V @ 375mA,3a | 25 @ 1A,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TIP32B PBFRE | 0.6296 | ![]() | 1160 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示32 | 40 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 3 a | 300µA | PNP | 1.2V @ 375mA,3a | 25 @ 1A,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TIP41 PBFRE | 0.6296 | ![]() | 5087 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示41 | 65 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 40 V | 6 a | 700µA | NPN | 1.5V @ 600mA,6a | 30 @ 300mA,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TIP42 PBFRE | 0.6296 | ![]() | 6154 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示42 | 65 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 40 V | 6 a | 400µA | PNP | 1.5V @ 600mA,6a | 30 @ 300mA,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP710-CMPTA96-CT | - | ![]() | 4920 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 350兆 | 死 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 400 | 450 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 50 @ 10mA,10v | 20MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7120-M832DS BK | - | ![]() | 1124 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM7120 | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W | TLM832DS | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 20V | 1A(1A) | 100mohm @ 500mA,4.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4NC @ 4.5V | 220pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||
![]() | CP304X-MPSA06-CT | - | ![]() | 9378 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP304 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 400 | 80 V | 500 MA | 100NA | NPN | 250mv @ 10mA,100mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7120-M621H bk | - | ![]() | 6433 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | TLM621H | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 20 v | 1A(1A) | 1.5V,4.5V | 100mohm @ 500mA,4.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4 NC @ 4.5 V | 8V | 220 pf @ 10 V | - | 1.6W(TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8002A-M621H TR | - | ![]() | 2800 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | TLM621H | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 50 V | 280mA(TA) | 5V,10V | 2.5ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | 0.72 NC @ 4.5 V | 20V | 70 pf @ 25 V | - | 1.6W(TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | cmpth81 bk | - | ![]() | 2044 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 225MW | SOT-23 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | - | 20V | 50mA | PNP | 60 @ 5mA,10v | 600MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1072B BK | - | ![]() | 3717 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 盒子 | 过时的 | - | 供应商不确定 | CEN1072BBK | 过时的 | 0000.00.0000 | 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZTUX87 bk | - | ![]() | 6173 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 2 w | SOT-223 | 下载 | 供应商不确定 | CZTUX87BK | Ear99 | 8541.29.0095 | 350 | 450 v | 500 MA | 100µA | NPN | 1V @ 20mA,200mA | 12 @ 40mA,5V | 20MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1320 bk | - | ![]() | 6172 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | - | - | - | - | (1 (无限) | CEN1320BK | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1372 TR | - | ![]() | 8619 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | - | - | - | - | (1 (无限) | CEN1372TR | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLT953-M833S BK | - | ![]() | 8650 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | 2.5 w | TLM833S | 下载 | (1 (无限) | CTLT953-M833SBK | Ear99 | 8541.29.0075 | 5,000 | 100 v | 5 a | 50NA | PNP | 420mv @ 400mA,4a | 100 @ 1A,1V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CTLT953-M833S TR | - | ![]() | 4950 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | 2.5 w | TLM833S | 下载 | (1 (无限) | CTLT953-M833STR | Ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 100 v | 5 a | 50NA | PNP | 420mv @ 400mA,4a | 100 @ 1A,1V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CP219-2N5338-WN | - | ![]() | 3904 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 100 v | 5 a | 100µA | NPN | 1.2V @ 500mA,5a | 30 @ 2a,2v | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||
2N2647 | - | ![]() | 7507 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | TO-206AA,TO-18-3 | 下载 | 不适用 | 2N2647CS | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 6V | - | 300兆 | 18 ma | 2 µA | ||||||||||||||||||||||||||||||
2N4949 | - | ![]() | 5297 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | TO-206AA,TO-18-3 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 3V | - | 2 ma | 1 µA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5431 | - | ![]() | 7170 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | TO-206AA,TO-18-3 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 1V | - | 2 ma | 400 NA | |||||||||||||||||||||||||||||||
2N5038 | - | ![]() | 2771 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 140 w | TO-3 | 下载 | 不适用 | 2n5038cs | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | 90 v | 20 a | 50mA | NPN | 2.5V @ 5a,20a | 50 @ 2a,5v | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CP398X-CPDM303-CT20 | - | ![]() | 3771 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | - | - | cp398 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | CP398X-CTLDM303N-WN | - | ![]() | 8638 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | cp398 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 3.6a(ta) | 2.5V,4.5V | 78MOHM @ 1.8A,2.5V | 1.2V @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | 12V | 590 pf @ 10 V | - | - | |||||||||||||||||
![]() | CP373-CMPDM303NH-WN | - | ![]() | 4345 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | n通道 | 30 V | 3.6a(ta) | 2.5V,4.5V | 78MOHM @ 1.8A,2.5V | 1.2V @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | 12V | 590 pf @ 10 V | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | CP373-CTLDM303N-WN | - | ![]() | 3536 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | n通道 | 30 V | 3.6a(ta) | 2.5V,4.5V | 78MOHM @ 1.8A,2.5V | 1.2V @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | 12V | 590 pf @ 10 V | - | - |
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