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晶体管（（1307）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
cmxdm7002a bk pbfree	-	RFQ	5002	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	CMXDM7002	MOSFET （金属 o化物）	350MW（TA）	SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CMXDM7002ABKPBFRE	Ear99	8541.21.0095	3,500	2 n 通道（双）			60V	280mA（TA）		2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.592NC @ 4.5V		50pf @ 25V	-
CTLDM8002A-M621H TR	-	RFQ	2800	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		TLM621H	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		50 V	280mA（TA）	5V，10V	2.5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.72 NC @ 4.5 V	20V	70 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
CWDM305P TR13 PBFRE	0.1183	RFQ	3853	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CWDM305	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	5.3a（ta）	5V，10V	72MOHM @ 2.7A，10V	3V @ 250µA	7 NC @ 5 V	16V	590 pf @ 10 V	-	2W（TA）
cmpt2907a tr pbfree	0.7000	RFQ	36	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CMPT2907		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														60 V	600 MA	10NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
2N5190	-	RFQ	7507	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			40 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N5190CS	Ear99	8541.29.0095	1,000														40 V	4 a	1ma	NPN	1.4V @ 1A，4A	25 @ 1.5A，2V	2MHz
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CM5943	-	RFQ	7681	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1W	到39	-				1514-CM5943	过时的		500			11.4db											30V	400mA		NPN		25 @ 50mA，15v	2.4GHz	8DB @ 200MHz
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CMPT3904E TR PBFRE	0.4200	RFQ	169	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CMPT3904		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														40 V	200 ma	-	NPN	200mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
2N5878 PBFRE	-	RFQ	5423	中央半导体公司	-	管子	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			150 w	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20														80 V	10 a	1ma	NPN	3V @ 2.5a，10a	20 @ 4A，4V	4MHz
tip49 tr	-	RFQ	9507	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			40 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400														350 v	1 a	1ma	NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
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2N2904 PBFRE	1.2173	RFQ	4074	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			3 W	到39	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500														40 V	600 MA	20NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	200MHz
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提示135	-	RFQ	8324	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-220-3			70 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	TIP135CS	Ear99	8541.29.0095	400														60 V	8 a	-	pnp-达灵顿	-	-	-
TIP42 PBFRE	0.6296	RFQ	6154	中央半导体公司	-	大部分	上次购买	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示42		65 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50														40 V	6 a	400µA	PNP	1.5V @ 600mA，6a	30 @ 300mA，4V	3MHz
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提示105	-	RFQ	7543	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			80 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	提示105c	Ear99	8541.29.0095	500														60 V	8 a	50µA	pnp-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	4MHz
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CXDM6053N TR PBFRE	0.9700	RFQ	1	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	CXDM6053	MOSFET （金属 o化物）		SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	41MOHM @ 5.3A，10V	3V @ 250µA	8.8 NC @ 5 V	20V	920 PF @ 30 V	-	1.2W（TA）
CMPT5551E TR	-	RFQ	5506	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														220 v	600 MA	50NA	NPN	100mv @ 5mA，50mA	120 @ 10mA，5V	300MHz
提示145	-	RFQ	1549年	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3			125 w	TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	TIP145CS	Ear99	8541.29.0095	400														60 V	10 a	-	PNP	-	1000 @ 5A，4V	-
CZT5401E TR	-	RFQ	4014	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			2 w	SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000														220 v	600 MA	50NA	PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
CP219-2N5338-WN	-	RFQ	3904	中央半导体公司	-	托盘	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死				死	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1														100 v	5 a	100µA	NPN	1.2V @ 500mA，5a	30 @ 2a，2v	30MHz
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CP127-2N6301-CT5	76.3200	RFQ	13	中央半导体公司	-	托盘	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CP127-2N6301-CT5 PBFRE	Ear99	8541.29.0095	1														80 V	8 a	500µA	npn-达灵顿	3V @ 80mA，8a	750 @ 4A，3V	4MHz
CDM22010-650 SL	2.1100	RFQ	464	中央半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CDM22010	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	10a（10a）	10V	1欧姆 @ 5A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	30V	1168 PF @ 25 V	-	2W（TA），156w（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1307）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²