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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (ciss)(最大(ciss) @ vds | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -故障( v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | 电阻-RDS((在) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | (ID) - 最大 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N4916 | - | ![]() | 6468 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-106-3 DOMED | TO-106 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | 30 V | - | PNP | 300mv @ 5mA,50mA | 70 @ 10mA,1V | 400MHz | ||||||||||||
![]() | 2N5139 | - | ![]() | 8210 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5143 | - | ![]() | 6238 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-222AA,TO-105-3 DOMED | TO-105 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | 20 v | 50NA(iCBO) | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 30 @ 50mA,1V | 100MHz | ||||||||||||
![]() | CEN363 | - | ![]() | 6364 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||
![]() | TEC304 | - | ![]() | 4150 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||
2N2223 | - | ![]() | 2299 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N222 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 500mA | 10NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 1.2V @ 5mA,50mA | 50 @ 10mA,5V | 50MHz | |||||||||
2N2641 | - | ![]() | 7769 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N264 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 50 @ 10µA,5V | 40MHz | |||||||||
2N2903 | - | ![]() | 4076 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N290 | 1.2W | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 30V | 50mA | 10NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 1V @ 500µA,5mA | 125 @ 1mA,5v | 60MHz | |||||||||
2n2903a | - | ![]() | 2544 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N2903 | 1.2W | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 30V | 50mA | 10NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 1V @ 500µA,5mA | 125 @ 1mA,5v | 60MHz | |||||||||
2N2914 | - | ![]() | 2837 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N291 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 150 @ 10µA,5V | 60MHz | |||||||||
2N3808 | - | ![]() | 5296 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N380 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 50mA | - | 2 PNP (双) | - | 150 @ 1mA,5V | 100MHz | |||||||||
2N4938 | - | ![]() | 8519 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N493 | - | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||
CEN876 | - | ![]() | 3090 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | CEN8 | - | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||
MD2905A | - | ![]() | 9849 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD290 | - | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 600mA | - | 2 PNP (双) | - | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||
MD7003 | - | ![]() | 8244 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD700 | - | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 40V | 50mA | - | 2 PNP (双) | - | 40 @ 100µA,10V | 200MHz | |||||||||
MD8003 | - | ![]() | 3566 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD800 | - | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 100 @ 1mA,10v | 260MHz | |||||||||
![]() | CP647-2N6287-CT | - | ![]() | 9223 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 36 | 100 v | 20 a | 1ma | pnp-达灵顿 | 3V @ 200mA,20a | 4MHz | |||||||||||
![]() | CP647-MJ11015-CT | - | ![]() | 7284 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP647 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 36 | 120 v | 30 a | 1ma | pnp-达灵顿 | 4V @ 300mA,30a | 200 @ 30a,5v | - | |||||||||
![]() | CP647-MJ11015-WN | - | ![]() | 7213 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP647 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 120 v | 30 a | 1ma | pnp-达灵顿 | 4V @ 300mA,30a | 200 @ 30a,5v | - | |||||||||
![]() | CP647-MJ11015-WR | - | ![]() | 8147 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP647 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 120 v | 30 a | 1ma | pnp-达灵顿 | 4V @ 300mA,30a | 200 @ 30a,5v | - | |||||||||
![]() | CP547-CEN1103-WS | - | ![]() | 1124 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CP547-PMD19K100-CT | - | ![]() | 2416 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 49 | ||||||||||||||||||
![]() | CP547-PMD19K100-WS | - | ![]() | 8263 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 400 | ||||||||||||||||||
![]() | 2N2904 PBFRE | 1.2173 | ![]() | 4074 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 3 W | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 V | 600 MA | 20NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 40 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||
![]() | 2N3055 PBFRE | 4.9812 | ![]() | 9888 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 115 w | TO-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 70 v | 15 a | 700µA | NPN | 3V @ 3.3a,10a | 20 @ 4A,4V | 2.5MHz | |||||||||
![]() | 2N3415 PBFRE | 0.5610 | ![]() | 1393 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 1.5 w | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 25 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 300mv @ 3mA,50mA | 180 @ 2mA,4.5V | - | |||||||||
![]() | 2N3439 PBFRE | 1.2173 | ![]() | 2655 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 350 v | 1 a | 20µA(ICBO) | NPN | 500mv @ 4mA,50mA | 30 @ 2mA,10v | 15MHz | |||||||||
![]() | 2N4391 PBFRE | 1.4775 | ![]() | 1032 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 14pf @ 20V | 40 V | 150 ma @ 20 V | 10 V @ 1 na | 30欧姆 | 100 PA | ||||||||||
![]() | 2N6488 PBFRE | - | ![]() | 2189 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 75 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 15 a | - | NPN | 3.5V @ 5a,15a | 25 @ 1A,4V | 5MHz | |||||||||
![]() | BC182 PBFRE | 0.2536 | ![]() | 4408 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | BC182 | 到92 | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | - | - | - | - | - |
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