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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 电压 -输出 | fet | 电压 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电压 -偏移( vt) | 电流 -阳极泄漏的门( -igao) | 电流-iv(iv) | 电流 -峰值 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N4234 PBFRE | 1.2511 | ![]() | 3556 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 40 V | 1 a | 1ma | PNP | 600mv @ 125mA,1a | 30 @ 250mA,1V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BDV64 | - | ![]() | 6723 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-218-3 | 125 w | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 12 a | - | PNP | - | 1000 @ 5A,4V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 提示117 pbfree | 0.6646 | ![]() | 6327 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示117 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 1ma(iCBO) | npn-达灵顿 | 2.5V @ 8mA,2a | 1000 @ 1A,4V | 25MHz | |||||||||||||||||||||||
2N3700 PBFRE | 1.1880 | ![]() | 9222 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 80 V | 1 a | 10NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | MPQ2222 PBFRE | 5.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | MPQ2222 | 650MW | TO-116 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 25 | 40V | 500mA | 50NA(iCBO) | 4 npn(Quad) | 1.6V @ 30mA,300mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N3584 PBFRE | 12.4700 | ![]() | 95 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 35 w | 到66 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 250 v | 2 a | 5mA | NPN | 750mv @ 125mA,1a | 25 @ 1A,10V | 10MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP611-2N5955-CT | - | ![]() | 1157 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP611 | 40 W | 死 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CP611-2N5955-CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 6 a | 1ma | PNP | 2V @ 1.2a,6a | 20 @ 2.5a,4V | 5MHz | ||||||||||||||||||||||
2N6433 PBFRE | 4.2300 | ![]() | 8593 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 300 v | 100 ma | 250NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 2mA,20mA | 40 @ 10mA,10v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CTLM7410-M832D BK | - | ![]() | 5789 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLM7410 | 1.65W | TLM832D | 下载 | 1514-CTLM7410-M832DBK | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 25V | 1a | 100NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 450mv @ 100mA,1a | 100 @ 500mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CMLDM7484 TR PBFRE | 0.6300 | ![]() | 81 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLDM7484 | MOSFET (金属 o化物) | 150MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 30V | 450mA | 460MOHM @ 200MA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.79NC @ 4.5V | 45pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||
![]() | CP375-CWDM3011N-WN | - | ![]() | 9854 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP375-CWDM3011N-WN | Ear99 | 8541.29.0040 | 18,670 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 20mohm @ 11a,10v | 3V @ 250µA | 6.3 NC @ 5 V | ±20V | 860 pf @ 15 V | - | 2.5W | ||||||||||||||||||
![]() | 提示130 | - | ![]() | 2626 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | |||||||||||||||||||||||||||||||
2n2919a | - | ![]() | 1590年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N2919 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 60 @ 10µA,5V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||
2n2905a pbfree | 2.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 600兆 | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 60 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | TIP31B PBFRE | 0.6296 | ![]() | 9337 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示31 | 40 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 3 a | 300µA | NPN | 1.2V @ 375mA,3a | 25 @ 1A,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CMPP6028R TR | - | ![]() | 4904 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | CMPP6028RTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 6V | 40V | 167兆 | 600 mv | 10 na | 25 µA | 150 NA | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX56-10 TR | - | ![]() | 6803 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 1.3 w | SOT-89 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,2V | 130MHz |
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