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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MPQ2484锡/铅 | - | ![]() | 5356 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | MPQ2484 | 3W | TO-116 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 25 | 40V | - | 20NA(ICBO) | 4 npn(Quad) | - | - | 50MHz | ||||||||||||||||
![]() | CMLT3906E TR | 0.5000 | ![]() | 225 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLT3906 | 150MW | SOT-563 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200mA | - | 2 PNP (双) | 200mv @ 5mA,50mA | 150 @ 10mA,1V | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2N3420 | - | ![]() | 2800 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | 到39 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-2N3420 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 3 a | 500NA | NPN | 500mv @ 200mA,2a | 40 @ 1A,2V | - | ||||||||||||||||||
![]() | 2N2857 PBFRE | 6.9900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AF,TO-72-4金属可以 | 200MW | 到72 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | - | 15V | 40mA | NPN | 30 @ 3mA,1V | 1.9GHz | 4.5dB @ 450MHz | |||||||||||||||||
![]() | TIP32C PBFRE | 0.6296 | ![]() | 5239 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示32 | 40 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 3 a | 300µA | PNP | 1.2V @ 375mA,3a | 25 @ 1A,4V | 3MHz | |||||||||||||||||
2n2920a | - | ![]() | 6434 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N2920 | 1.5W | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 30mA | 2NA | 2 NPN (双) | 350mv @ 100µA,1mA | 300 @ 1mA,5v | 60MHz | |||||||||||||||||
![]() | PN5910 TRE | - | ![]() | 1691年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 310 MW | 到92 | - | 1514-PN5910TRE | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 20 v | 50 mA | 10NA | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 30 @ 50mA,1V | 700MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2N3903 PBFRE | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 40 V | 50NA(iCBO) | NPN | - | 50 @ 10mA,1V | 250MHz | |||||||||||||||||||
2N2916 | - | ![]() | 6547 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N291 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 150 @ 10µA,5V | 60MHz | |||||||||||||||||
![]() | 提示117 pbfree | 0.6646 | ![]() | 6327 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示117 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 1ma(iCBO) | npn-达灵顿 | 2.5V @ 8mA,2a | 1000 @ 1A,4V | 25MHz | ||||||||||||||||||
MD2905 | - | ![]() | 5154 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD290 | - | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 600mA | - | 2 PNP (双) | - | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||
2N4016 | - | ![]() | 1511 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N401 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 300mA | - | 2 PNP (双) | - | 135 @ 1mA,5V | 200MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2N4871 | - | ![]() | 8757 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 300兆 | 到92 | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | cmpth10 tr | - | ![]() | 6282 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350MW | SOT-23 | 下载 | (1 (无限) | cmpth10tr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 25V | NPN | 60 @ 4mA,10v | 650MHz | - | |||||||||||||||||||
![]() | CMKT3946 TR PBFRE | 0.4900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | CMKT3946 | 350MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200mA | - | NPN,PNP | 300mv @ 5mA,50mA / 400mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz,250MHz | ||||||||||||||||
![]() | CP147-MJ11016-WN | - | ![]() | 8628 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 200 w | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP147-MJ11016-WN | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 30 a | 1ma | npn-达灵顿 | 4V @ 300mA,30a | 1000 @ 20a,5v | 4MHz | |||||||||||||||||
![]() | CJD47 TR13 PBFRE | - | ![]() | 1686年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | CJD47 | 1.56 w | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 250 v | 1 a | 200µA | NPN | 1V @ 200mA,1a | 30 @ 300mA,10v | 10MHz | ||||||||||||||||
![]() | BDV64 | - | ![]() | 6723 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-218-3 | 125 w | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 12 a | - | PNP | - | 1000 @ 5A,4V | 60MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2N3707 PBFRE | 1.1400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 30 V | 100NA(ICBO) | NPN | - | 100 @ 1mA,5V | - | |||||||||||||||||||
![]() | bc857br tr pbfree | 0.4200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC857 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 220 @ 2mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | CXDM3069N BK | - | ![]() | 1922年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-89 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CXDM3069NBK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 6.9a(ta) | 2.5V,10V | 30mohm @ 7a,10v | 1.4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | 12V | 580 pf @ 15 V | - | 1.2W(TA) | ||||||||||||||
![]() | TIP110 | - | ![]() | 4733 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TIP110C | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 60 V | 2mA | npn-达灵顿 | 2.5V @ 8mA,2a | 1000 @ 1A,4V | 25MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TIP42B PBFRE | 0.6296 | ![]() | 6766 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示42 | 65 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 6 a | 400µA | PNP | 1.5V @ 600mA,6a | 30 @ 300mA,4V | 3MHz | |||||||||||||||||
![]() | CP307-MPSA13-WN | - | ![]() | 4673 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 625兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP307-MPSA13-WN | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 500 MA | 100NA(ICBO) | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 10000 @ 100mA,5V | 125MHz | |||||||||||||||||
![]() | CDM2208-800FP | - | ![]() | 7289 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | (1 (无限) | 1514-CDM2208-800FP | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 8A(TC) | 10V | 1.6OHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 24.45 NC @ 10 V | 30V | 1110 PF @ 25 V | - | 57W(TC) | ||||||||||||||
![]() | 2N3565 | - | ![]() | 6334 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N915 PBFRE | - | ![]() | 1151 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N915 | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | - | NPN | - | 50 @ 10mA,10v | 250MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2N2925 PBFRE | 0.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 25 v | 100NA(ICBO) | NPN | - | - | 160MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CP547-2N6287-WN | - | ![]() | 2695 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 400 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3646锡/铅 | - | ![]() | 8838 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 下载 | (1 (无限) | 1514-PN3646TIN/铅 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 |
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